重慶東微電子推出高性能抗射頻干擾MEMS硅麥放大器芯片

專業(yè)的模擬及混合信號芯片設(shè)計企業(yè)重慶東微電子股份有限公司日前宣布：成功開發(fā)并推出其第三代硅基微機電系統(tǒng)麥克風(fēng)（Silicon MEMS Microphone，以下簡稱“MEMS麥克風(fēng)”）模擬接口放大器芯片EMT6913。該芯片針對低功耗MEMS麥克風(fēng)應(yīng)用而設(shè)計，通過采用全新的獨創(chuàng)架構(gòu)，從而帶來了卓越的音頻信號質(zhì)量，并具有極高的射頻干擾抑制能力。借助專為EMT6913放大器芯片開發(fā)的修調(diào)軟件，MEMS麥克風(fēng)模組（以下簡稱“硅麥模組”）制造企業(yè)可以根據(jù)不同MEMS麥克風(fēng)器件的特性和應(yīng)用系統(tǒng)的特點，將硅麥模組的靈敏度和性能調(diào)節(jié)到理想狀態(tài)，從而大大提高產(chǎn)品性能和生產(chǎn)效率。

作為一款針對中端市場開發(fā)的硅麥前置放大器芯片，EMT6913的設(shè)計重點是為硅麥模組制造商帶來高性能和麥克風(fēng)器件適配靈活性，從而為硅麥模組創(chuàng)造高經(jīng)濟(jì)性。為此，該芯片采用了重慶東微電子已獲專利的模擬電路技術(shù)、自主創(chuàng)新的電路設(shè)計、全新版圖設(shè)計和可編程增益調(diào)節(jié)軟件，不僅獲得領(lǐng)先業(yè)界的產(chǎn)品低失真，而且具有出色的抗電源干擾和抗射頻干擾能力。EMT6913的實測電源紋波抑制比（PSRR，Vpp =100mV@217Hz 方波）達(dá)到了 -79dB，總諧波失真（THD）為 0.06% （94dB SPL @ 1KHz），抗射頻干擾能力為-113dB (1800MHz)。

EMT6913芯片采用重慶東微電子提供的自主開發(fā)的修調(diào)工具軟件和片上修調(diào)邏輯配合，通過輸出引腳把封裝好的MEMS麥克風(fēng)的靈敏度調(diào)整到+-1dB。EMT6913的放大器增益調(diào)整范圍為0dB 到10dB, 電荷泵偏壓調(diào)節(jié)范圍為8到16V。因此，即使配合普通的MEMS 聲音傳感器，生產(chǎn)出來的硅麥模組的信噪比（SNR）也可達(dá)到63dB以上，從而為硅麥模組制造商提供了更高的經(jīng)濟(jì)性和靈活性。

由于采用了高集成度的設(shè)計，EMT6913可以支持硅麥模組制造商去開發(fā)更加小巧的模組，且放大器部分不需要任何外圍電路。搭載EMT6913的高性能、低功耗和小體積硅麥模組可以支持智能手機、平板電腦、智能音箱、藍(lán)牙耳機、聲控玩具和其他多種系統(tǒng)設(shè)備。目前該產(chǎn)品已通過先期用戶的測試并獲得采用，完美配合了這些MEMS麥克風(fēng)制造商的傳感器及模組制造設(shè)備。EMT6913即將在2023年第四季度實現(xiàn)全面量產(chǎn)。

重慶東微電子的技術(shù)團(tuán)隊在傳感器接口等領(lǐng)域擁有雄厚的技術(shù)積累和豐富的應(yīng)用經(jīng)驗，一直專注于微型聲學(xué)和X射線成像系統(tǒng)模擬集成電路的設(shè)計和開發(fā)。此前，重慶東微電子已成功推出面向中高端市場的模擬接口放大器芯片EMT6910，該器件可與高性能、高靈敏度的MEMS麥克風(fēng)一起封裝，從而打造信噪比高達(dá)66dB的高品質(zhì)硅麥模組；該器件也可以采用專用修調(diào)軟件進(jìn)行靈敏度修調(diào)。隨著EMT6913的推出，東微電子在MEMS麥克風(fēng)接口放大器電路方面已經(jīng)形成了全系列的產(chǎn)品。