半導體激光器的熱狀態(tài)和工作方式有關(guān),一般有三種工作方式:
1)?在直流驅(qū)動下的CW連續(xù)工作;
2)直流偏置在閾值附近的小信號調(diào)制;
3)在脈沖狀態(tài)下工作,常將具有高占空比的脈沖工作方式稱為準連續(xù)QCW。
在QCW模式下的一個特立,占空比為1時就是連續(xù)工作模式,激光器所產(chǎn)生的熱耗散功率為:
IV分別為激光器上的脈沖峰值工作電流和相應的電壓,rs為串聯(lián)電阻,Pp為輸出的光脈沖峰值功率,T為脈沖寬度,f為脈沖重復頻率。Tf稱為占空比。Pp和占空比Tf之積為平均光功率,熱耗散功率在激光器中產(chǎn)生的溫升為:
rT為激光器的熱阻。當占空比比較小的時候,激光器處在發(fā)熱和散熱的交替過程,不會有大量的熱累計,然而在CW或QCW狀態(tài)下,激光器的內(nèi)部有大量的熱累計,對激光器的運行是一種極大的考驗,產(chǎn)生的溫升和結(jié)區(qū)面積S有關(guān),相當于加大了熱阻,結(jié)區(qū)溫度為:
J為激光器的工作電流密度,?Rs=rsS;RT=rTS。
半導體激光器的熱阻和使用的熱沉、芯片與熱沉的接觸狀況有關(guān),例如InGaAsP/InP埋層異質(zhì)結(jié)激光器,襯底接觸熱沉的熱阻是76℃/W,而以相反一邊(襯底朝上)接觸熱沉其熱阻為44℃/W。激光器熱沉是一個用于吸收和散發(fā)熱量的組件,在激光器中起到非常重要的作用。激光器熱沉通常有一個類似于銅或鋁的底部,其上覆蓋了一個熱導率很高的材料。這個高熱導率材料通常是金屬或合金,比如銅、銀、金、鎢、鉬等,它可以快速將熱量從底部導出。
早期常用銅作為熱沉,目前有用AlN,SiC、金剛石做熱沉的。
性能也是差別較大。:
做熱沉產(chǎn)品的一些常見公司:
目前成本來說金剛石的成本還是較貴,AlN的單價還可以接受,SiC也挺貴的。