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氮化鎵快充技術的普及，絕不僅僅是成品數量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應商從最初的幾家增加到十幾家，產品類型多樣，主控芯片品牌超過十個，使后續(xù)的氮化鎵快充市場多元化。開發(fā)開辟了最關鍵的一環(huán)。
1. 氮化鎵快速充電市場規(guī)模。
氮化鎵（GaN）是下一代半導體材料，其運行速度比傳統(tǒng)硅快20倍。Si）技術，并能夠在尖端的快速充電器產品中使用時提供三倍以上的功率，可以實現(xiàn)遠遠超過現(xiàn)有產品的性能，在尺寸相同的情況下，輸出功率增加了三倍。
正是由于這些性能優(yōu)勢，使得氮化鎵在消費類快充源極市場得到廣泛應用。充電頭網統(tǒng)計數據顯示，目前已有數十家主流電源廠商開發(fā)了氮化鎵快充產品線，并陸續(xù)推出了數百款氮化鎵快充新品。眾多知名手機/筆記本品牌如華為、小米、OPPO、魅族、三星、中興、努比亞、魅族、realme、戴爾、聯(lián)想等。已經陸續(xù)進入游戲，而蘋果也已經推出了氮化鎵快速充電。
2. 氮化鎵控制器的分類。
通過調研了解到，目前市面上的氮化鎵控制器按照不同的分類規(guī)則，可以分為不同的類型。如按照芯片的集成程度，可以分為分立式氮化鎵控制器和封裝式氮化鎵控制儀兩種類型。根據拓撲結構，可分為三種主流類型：LLC、ACF和QR。
分立式氮化鎵控制器：這類控制器在市場上應用非常廣泛，其中最經典的代表是安森美半導體NCP1342與此同時，隨著半導體國產化的趨勢，不少本土功率芯片企業(yè)也紛紛研發(fā)出氮化鎵控制器。與NCP1342相比，它們還采用了內置驅動器設計，可直接驅動氮化鎵功率器件。事實上，一個更精簡的外圍設計可以在應用中實現(xiàn)。
KT65C1R200D內置650V/200mΩGaN HE MT、邏輯控制器、GaN驅動器和高壓啟動管。它采用反激模式，并在DFN8x8mm封裝。輸出功率為45W，最大工作頻率為150KHz。
與傳統(tǒng)的控制器+驅動器+GaN電路相比，KT65C1R200D只需要一個芯片就可以完成原來三個芯片可以完成的功能，電源系統(tǒng)設計更加簡化。同時，東科DKG045Q還具有多種工作模式，可降低待機功耗，提高輕載效率。芯片還內置完整的保護功能，增加系統(tǒng)可靠性。
氮化鎵快速充電是未來消費電源市場發(fā)展的趨勢，現(xiàn)已進入商業(yè)快車道。它在USB PD領域大放異彩快速充電的來源和市場規(guī)模正在迅速擴大。這一方面體現(xiàn)在進入氮化鎵快充市場的終端品牌數量和成品氮化鎵快充產品數量的持續(xù)增加。另一方面，也體現(xiàn)在越來越多的氮化鎵功率器件制造商和氮化鎵控制器制造商進入市場。
KeepTops KT65C1R200D作為氮化鎵快充的核心部件，GaN控制器已經成為各個電源芯片廠商的重中之重。從本次系統(tǒng)總結中也可以看出，除了眾多國際一線品牌，本土的功率芯片廠商也開始在氮化鎵快充領域發(fā)力，推出性價比極高的產品服務市場。多元化發(fā)展提供了豐富的解決方案。
隨著眾多氮化鎵控制芯片廠商的進入，各類氮化鎵快充控制器類型將進一步完善，有利于避免產品同質化，促進市場健康發(fā)展。
