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作者：豐寧
受需求放緩、供應增加、價格競爭加劇等因素影響，存儲芯片的價格在2022年最后兩個季度均出現(xiàn)暴跌。
根據(jù)TrendForce的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM的平均價格繼2022年第三季度暴跌31.4%之后，在第四季度的跌幅擴大到了34.4%。今年Q1，DRAM均價跌幅收斂至13%～18%，Q2 DRAM價格跌幅收窄至10%到15%。
與DRAM市況相似，NAND閃存的市場需求也大幅下滑。2022年Q3和Q4 NAND Flash價格跌幅均超過20%，今年Q1 NAND Flash均價跌幅收斂至10％-15％，Q2 NAND Flash均價續(xù)跌 10%～15%。
可以看到，今年Q1、Q2存儲市場的跌幅正在逐漸放緩。眾所周知，存儲價格具有很強的周期性，在這一輪市場下滑到底部后，伴隨著經(jīng)濟和需求面的改善，存儲市場復蘇跡象正在出現(xiàn)并日益明顯。
?01、9月，市場回暖跡象愈發(fā)明顯
根據(jù)TrendForce統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年Q3預估 DRAM均價跌幅收斂至0~5% 。NAND Flash均價跌幅收斂至3～8％。跌幅的收斂得益于三星、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等一眾廠商的減產策略。如今存儲市場的供需關系正在加速回歸平衡。
三井住友信托銀行的山上隼人以三星電子、SK海力士、美光等廠商的存貨資產等為依據(jù)，計算出“庫存周轉天數(shù)”，在2023年4-6月時平均為151天、較近期最高紀錄的2022年10-12月（158天、過去10年來最長）縮短4%。因銷售出現(xiàn)改善，市場也傳出“DRAM價格應該不會再往下跌”的聲音。
同時在市場的現(xiàn)貨價格上，也不斷有好消息傳來。從2023年4月，存儲芯片的現(xiàn)貨報價跌幅開始收斂，6月有市場消息稱，存儲芯片三巨頭集體醞釀漲價，目標漲幅最高8％，8月，指標性產品8GB DDR4價格為每塊1.48美元左右，已是連續(xù)第四個月環(huán)比持平。
存儲芯片在經(jīng)過史上最長的庫存調整期后，近期屬合約市場下游的廠商，已被原廠通知第四季度合約價要調漲，比如據(jù)《韓國經(jīng)濟日報》引述業(yè)界消息報道稱，日前三星已與小米、OPPO、谷歌等智能手機品牌客戶簽署了DRAM和NAND Flash芯片供應協(xié)議，價格比現(xiàn)有的合約價高出了10%～20%。上游漲價合約價格信息的調整帶動，這一波漲價由8-9月現(xiàn)貨市場開始反彈。
?02、存儲產品全線漲價
首先看DRAM。在供應端，自今年年初起，三大DRAM龍頭陸續(xù)啟動減產措施，以因應市場需求不振，且進入下半年后，業(yè)界再度傳出三星將再度減產，且累計各大DRAM廠的減產后，將可望讓第四季度的DRAM市場供給量再比第三季減少兩成。早在今年4月，美光消費零部件相關部門就正式向經(jīng)銷商發(fā)出通知稱，自5月起，DRAM及NAND Flash將不再接受低于現(xiàn)階段行情的詢價——換言之，美光認為現(xiàn)階段價格已是最低行情，不再響應降價要求。
在需求端，PC、智能手機等終端電子裝置搭載容量都呈現(xiàn)大幅成長趨勢，這也成為下半年有效去化庫存的關鍵。
在三大DRAM原廠的市場供給量持續(xù)減少，以及終端電子裝置搭載容量年成長五成情況下，下半年DRAM價格也有望迎來上漲。業(yè)內預計，DRAM將于今年四季度開始上漲，標志著新一輪增長周期的開始。并且，DRAM 價格上漲不僅是由于減產和庫存清倉等因素，還與人工智能市場有關。
再看NAND。本月韓媒 Business Korea 報道，三星內部認為目前 NAND Flash 供應價格過低，公司計劃今年四季度起，調漲 NAND Flash 產品的合約價格，漲幅在 10% 以上，預計最快本月新合約便將采用新價格。
自今年年初以來，三星一直采取減產措施，晶圓產量大幅下降了40%。只是最初的減產舉措主要集中在DRAM領域，但隨著下半年開始，三星著手大幅削減NAND Flash業(yè)務產量。當前，三星正試圖推動NAND價格正?；?，以實現(xiàn)公司的盈利目標。在三星的減產戰(zhàn)略下，DRAM領域已出現(xiàn)價格反彈，而NAND產品仍存在突破空間。三星的目標是進一步擴大減產規(guī)模，以降低供應量，并逐步提高產品價格，從而實現(xiàn)公司的反轉目標。
美光也宣布將自9月起提高NAND Flash晶圓合約價約10%，這一舉措被認為有望改善美光下半年的盈利狀況。不僅如此，隨后，SK海力士、西部數(shù)據(jù)、鎧俠等廠商也紛紛跟進，將價格上調了約10%。為了確保此次漲價取得預期效果，三星、美光甚至內部下達了一個明確的指令：絕不虧本賣NAND芯片，必須盈利才能出貨。
在國內存儲市場，漲價行情也正自上而下傳導，據(jù)中國閃存市場信息顯示，由于NAND晶圓顆粒的價格上漲，以及貿易商出貨報價抬高的影響，國產SSD、eMMC/UFS、卡和 U盤等成品端現(xiàn)貨價格全線走高。
其中SSD成本價格大概已上漲 20% 左右，國產二三線 SSD 品牌廠家近期已經(jīng)陸續(xù)開始執(zhí)行漲價。有些品牌在8月底已小漲，有的品牌已從 9 月份開始執(zhí)行漲價，首次成本價格上漲預計約達到 10% 左右，整體上漲幅度可以達到 15% 以上。預計多數(shù)品牌可能選擇幾輪的漲價策略陸續(xù)執(zhí)行，主要看市場需求以及終端的接受度而定，如果市場需求過差持續(xù)上漲可能受阻。
國內不少存儲模組大廠最近已經(jīng)向客戶宣布暫停低價接單。從9月12日最新情況來看，上游方面，1Tb/512Gb TLC NAND Flash Wafer連續(xù)數(shù)周調漲，當周上漲至3.35/1.65 美元；而在DDR方面，DDR4 16Gb/4Gb eTT價格分別上漲2.38%/5.88%；在渠道市場，SSD和內存條價格也出現(xiàn)普漲行情。
三星、鎧俠、SK海力士等上游NAND Flash原廠開始拉高晶圓合約價，由于下游系統(tǒng)模組廠手中庫存低于正常季節(jié)水準，引發(fā)終端搶貨，消費性SSD、存儲卡，手機相關零組件如eMMC、eMCP價格全面走揚。供應鏈傳出，目前平均漲幅約在個位數(shù)左右，由于部分存儲產品庫存水位相對較低，因此四季度漲幅有望上看雙位數(shù)。
?03、五大廠商8、9月最新營收，多家創(chuàng)新高
歷經(jīng)原廠陸續(xù)減產后，已有多家存儲廠商在最近兩個月的營收出現(xiàn)了環(huán)比增長的跡象，預示著需求正在緩慢回升。
南亞科：8 月營收25.75 億新臺幣，較2022年同期減少24.69%，較7月增加5.65%，為九個月來新紀錄；9月營收為27.24 億元新臺幣，月增5.8%，年減15.03%，業(yè)績再創(chuàng)新高。
群聯(lián)電子：8 月營收39.90 億新臺幣，環(huán)比增長17.56%；9月營收為50.04億元新臺幣，月增25.38%，年增4.05%，重返50億元新臺幣大關，創(chuàng)14個月新高。群聯(lián)電子表示8月SSD模組出貨量已逐漸回溫，其中PCle SSD模組同比增長約60%，整體NAND位元數(shù)同比增長近50%。部分NAND控制芯片開始出現(xiàn)客戶端庫存不足的狀況。隨后在9月份SSD模組出貨量持續(xù)出現(xiàn)逐漸回溫狀況。其中，PCIe SSD模組出貨量成長更是將近60%，而整體NAND儲存位元數(shù)的年成長率（BitGrowth Rate） 也超過75% 。
華邦電子：8月營收64.24億新臺幣，環(huán)比增長1.74%；9月營收為67.66億元新臺幣，月增5.32%，年減7.96%。華邦電子表示8月DRAM市場略有回溫。旺宏：8月營收26.01億新臺幣，環(huán)比增長19.23%；9月營收為25.01億元新臺幣，月減3.8%，年減39.6%。旺宏表示2023年下半年汽車NOR Flash有望逐季回升。
威剛：8 月營收29.71 億新臺幣，環(huán)比增長30.40%，創(chuàng)近11 個月單月新高。9月業(yè)績暫未公布。不過威剛指出，其8月DRAM模組營收較上個月大幅成長五成，不僅一舉超過14億元，也達到2022年5月以來單月新高，占整體營收比重則拉高至47.57%。SSD單月營收同步回升至9.98億元，月增19.89%，營收比重為33.6%；閃存卡、U盤及其他產品占比18.83%。
10月初，威剛董事長陳立白表示，存儲芯片產業(yè)苦熬兩年，黑暗將過，2024年下半年更可能出現(xiàn)短缺。他認為，由于三大存儲芯片巨頭積極減產，效益開始顯現(xiàn)，NAND及DRAM近期現(xiàn)貨價皆從低谷處呈現(xiàn)雙位數(shù)反彈。
眼看市場回暖在即，2024年存儲市場的發(fā)展趨勢將會如何？
?04、2024年，中國市場DRAM、NAND芯片供應將出現(xiàn)短缺
近日，三星電子對其全球主要客戶的半導體需求進行了調查。結果表明，各領域客戶的存儲庫存調整已接近完成，半導體行業(yè)將從 2024 年起全面反彈。三星預計從 2024 年開始將會有部分地區(qū)的 DRAM 和 NAND Flash 供應出現(xiàn)短缺，特別是在中國市場。
三星的一位高級管理人員提到，越來越多的半導體公司已經(jīng)完成庫存調整，特別是在與最大客戶蘋果公司成功進行價格談判之后。預計NAND業(yè)務的虧損將大幅減少。
在服務器DRAM業(yè)務方面，針對北美大客戶的半導體庫存調整也進入最后階段。數(shù)據(jù)中心運營商為了應對人工智能需求，正在擴大基礎設施投資。
那么未來存儲市場的需求驅動力又有哪些？
?05、未來哪些存儲芯片將變得更加火熱？
據(jù)華經(jīng)產業(yè)研究院統(tǒng)計，智能手機對DRAM和NAND的需求量均接近40%。此外，服務器和PC對DRAM的需求分別達到34%和13%。
手機：對大容量LPDDR、3D NAND組件等需求越來越大。
國內智能手機市場正掀起一場大內存普及戰(zhàn)役。過去一兩年，低端手機NAND Flash容量由32GB逐漸升至64GB；中端手機已經(jīng)逐漸取消RAM 8GB和ROM 128GB容量配置，完全普及256GB；支持RAM 12/16/18GB和ROM 512GB/1TB容量的機型越來越多，并逐漸向中低端滲透。反映到全球存儲容量規(guī)模上，2022年全球NAND Flash容量增長6%至6100億GB，全球DRAM容量將增長2%至1900億GB。可以見得，未來對大容量LPDDR、3D NAND組件等需求會越來越大。
PC：DDR5/LPDDR5滲透率提高，512GB SSD成為主流。
PC及平板電腦的出貨量大漲，對于DDR內存的需求也顯著增大，DDR5已經(jīng)開始被推向市場的風口。英特爾及 AMD 均已發(fā)布支持 DDR5 的處理器，AMD 在 2022 年 8 月發(fā)布其銳龍 7000 系列處理器，首發(fā)包括 R9 7950X、R9 7900X、R7 7700X、R7 7600X 四個型號，已在 9 月 27 日正式上市，7000 系列處理器全面支持 DDR5，且不再支持 DDR4 內存，足以看出 AMD 對于未來搭載 DDR5 內存平臺的信心。
另外在PC領域，固態(tài)硬盤已經(jīng)完全取代了機械硬盤，目前筆記本電腦中配備512GB SSD成為主流，搭載1TB/2TB的SSD的PC也在逐漸增多。
AI服務器：DDR5滲透率快速增長，HBM需求激增。
服務器需求的增長正在成為存儲芯片市場的新能動，超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的高性能服務器更是離不開DDR5的加持，疊加AI效應的持續(xù)發(fā)酵，HBM產品需求暴增。據(jù)悉，2023年開年后三星、SK海力士兩家存儲大廠HBM訂單快速增加，價格也水漲船高，近期HBM3規(guī)格DRAM價格已上漲5倍。
根據(jù)TrendForce，目前高端AI服務器GPU搭載HBM已成主流，預估2023年全球HBM需求容量將達2.9億GB，同比增長近60%。TrendForce測算，2023年HBM市場規(guī)模預計為31.6億美金，到2025年市場規(guī)模有望突破100億美金。
從目前各原廠規(guī)劃來看，TrendForce預估2024年HBM供給位元量將同比增長105%。
汽車等新興領域驅動存儲市場增長。
隨著智能汽車的不斷發(fā)展也給主流和利基型存儲帶來新的增長點。據(jù)悉，全自動駕駛車輛所需的DRAM、NAND將分別是傳統(tǒng)汽車的30倍與100倍。另外在物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴設備、云計算、大數(shù)據(jù)和安防電子等新興領域的技術發(fā)展將持續(xù)引領市場增長。
在經(jīng)歷了一年的價格波動之后，存儲芯片市場終于開始走向回暖。結合幾大原廠最新財報數(shù)據(jù)及市場動態(tài)顯示，庫存調整有所成效，預計存儲芯片行業(yè)有望最晚在2024年步入量價齊升的上行通道。
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