新品速遞 | 希荻微推出應(yīng)用于服務(wù)器等產(chǎn)品的E-Fuses負(fù)載開關(guān)芯片

日前，中國領(lǐng)先的模擬芯片廠商——希荻微電子集團(tuán)股份有限公司(以下簡稱“希荻微”)宣布推出全新 E-Fuse 系列 HL8511/12和HL8521/22 產(chǎn)品，旨在保護(hù)輸出 (OUT) 上的電路，使其免受電源總線 (IN) 電壓瞬變和大浪涌電流的不良影響，即實(shí)現(xiàn)保護(hù)電源總線免受意外輸出短路和意外過載的功能。

一、產(chǎn)品概述

HL8512/22通過控制外置NMOS，實(shí)現(xiàn)反向電流阻斷 (HL8511/21不提供該功能)。這些E-Fuse產(chǎn)品通過集成了功率 FET，來管理負(fù)載電流、控制輸出電壓和調(diào)節(jié)輸出斜率。

在工作期間，當(dāng)IN引腳電壓超過欠壓鎖定閾值時(shí)，HL8511/21和HL8512/22開始檢測EN/UV引腳電壓閾值。如果 EN/UV 引腳電壓超過 VENR，則內(nèi)部 MOSFET 使能，允許電流從IN 引腳流向 OUT 引腳；如果 EN/UV 引腳電壓低于 VENF，則內(nèi)部 MOSFET 關(guān)斷。E-Fuse芯片還實(shí)時(shí)監(jiān)控流向設(shè)備的負(fù)載電流，確保負(fù)載電流不超過限流閾值。

HL8511/21 和 HL8512/22具有熱保護(hù)功能。當(dāng)設(shè)備溫度超過熱關(guān)斷閾值(通常為150°C)時(shí)，內(nèi)部功率 FET 關(guān)斷，斷開負(fù)載與電源的連接。一旦發(fā)生熱關(guān)斷，E-Fuse將持續(xù)監(jiān)控設(shè)備的溫度。當(dāng)溫度降低至設(shè)定值以下時(shí)，HL8511/21 和 HL8512/22有自動重啟和關(guān)閉鎖存兩個版本。

HL8511/12和HL8521/22的主要應(yīng)用領(lǐng)域是服務(wù)器、SSD、POS、USB接口、線纜保護(hù)等。

二、產(chǎn)品優(yōu)勢

1. 高精度的限流控制。當(dāng)輸出電流是3.6A時(shí)，HL8511/12和HL8521/22的限流精度范圍是+/-8%，與友商相比，希荻微的E-Fuses負(fù)載開關(guān)系列芯片的限流控制精度更高。

2. 超快的OCP響應(yīng)時(shí)間。與友商相比，HL8511/12和HL8521/22的OCP響應(yīng)時(shí)間更短，箝位輸入電流時(shí)間更及時(shí)。

3. 支持單故障失效模式。當(dāng)ISET引腳失效時(shí)，HL8511/12和HL8521/22處于安全模式，仍然可以繼續(xù)進(jìn)行工作，賦能終端應(yīng)用解決方案更安全和高效。

4. 超低熱插拔電流和浪涌電流。與友商相比，HL8511/12和HL8521/22具有超低的熱插拔電流和浪涌電流，這樣可以更有效保護(hù)輸入端口，很好地控制子系統(tǒng)插入工作總線時(shí)產(chǎn)生的浪涌電流和電壓尖峰。

5. 有效箝位VOUT，保護(hù)設(shè)備。當(dāng)輸入電壓以10V/us的速度躍升，并超過過壓保護(hù)門限時(shí)，HL8511/12和HL8521/22仍可將輸出電壓限定在保護(hù)門限以內(nèi)，有效防止負(fù)載因電壓超標(biāo)而損壞。

三、展望未來

希荻微總經(jīng)理David Nam表示: "希荻微的 E-Fuse 產(chǎn)品 (HL8511/12和HL8521/22) 在電流極限精度和響應(yīng)時(shí)間等關(guān)鍵指標(biāo)上均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，當(dāng)輸入電壓以10V/us的速度躍升時(shí)，我們的E-Fuse 產(chǎn)品能夠有效地箝位VOUT?！?/p>