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安森美與博格華納擴大碳化硅戰(zhàn)略合作, 協(xié)議總價值超10億美元

2023/07/19
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博格華納將集成安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件到其VIPER功率模塊中,用于主驅(qū)逆變器解決方案,以提高電動汽車的性能

Viper 800V碳化硅逆變器

2023年7月19日--智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi,美國納斯達克股票代碼:ON)與提供創(chuàng)新可持續(xù)的車行方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商博格華納(BorgWarner,紐約證交所股票代碼:BWA),擴大碳化硅(SiC)方面的戰(zhàn)略合作,協(xié)議總價值超10億美元。博格華納計劃將安森美的EliteSiC 1200 V和750 V功率器件集成到其VIPER功率模塊中。長期以來,雙方已在廣泛的產(chǎn)品領(lǐng)域開展戰(zhàn)略合作,其中即包括EliteSiC器件。

安森美提供高性能的 EliteSiC 技術(shù),同時保持電動汽車主驅(qū)市場所需的高標(biāo)準(zhǔn)品質(zhì)、高可靠性及供應(yīng)穩(wěn)定性。安森美擁有幾十年的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品設(shè)計、開發(fā)和制造經(jīng)驗,且已獲大批量汽車應(yīng)用驗證。

博格華納公司副總裁,動力驅(qū)動系統(tǒng)總裁兼總經(jīng)理Stefan Demmerle說:“首要的是,安森美持續(xù)進行戰(zhàn)略投資,在其整個端到端供應(yīng)鏈中加速提升SiC產(chǎn)能,這讓我們有信心能滿足市場現(xiàn)在和未來對我們解決方案不斷增長的需求。”

博格華納的碳化硅主驅(qū)逆變器與其它同類方案相比,具有更高的能效、更好的冷卻性能、更快的充電速度和更緊湊小巧的封裝。博格華納在其解決方案中采用EliteSiC技術(shù),將得益于更高的功率密度和能效,從而增加電動汽車的續(xù)航里程并提高整體性能。

安森美電源方案事業(yè)群執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理Simon Keeton說:“在主驅(qū)逆變器中集成EliteSiC技術(shù),可以提高每加侖汽油的等效里程數(shù)(MPGe),這有助于緩解續(xù)航里程焦慮--這是電動汽車被更廣泛采用的主要障礙之一。安森美可提供從芯片到系統(tǒng)級的支持,過往執(zhí)行記錄良好,能更快為博格華納提供領(lǐng)先業(yè)界的基于SiC的解決方案,以配合其產(chǎn)品上市需求?!?/p>

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歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團的半導(dǎo)體元件部門,于1999年獨立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購紀(jì)錄2000年四月,完成收購Cherry Semiconductor。2006年,完成收購位于美國俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購美國模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門。2008年三月,以915M美元完成收購AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購California Micro Devices。2010年六月,完成收購Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購日本三洋電機的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門。2014年五月,完成收購Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲器;定制CMOS圖像傳感器;集成無源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動器;電壓和電流管理邏輯:時鐘產(chǎn)生;時鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號管理:放大器和比較器;模擬開關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計;EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個產(chǎn)品部門:模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國:上海德國:慕尼黑中國臺灣:臺北美國:加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國:首爾設(shè)計中心美國:亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢德勒(Chandler)、得州奧斯汀(Austin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛達荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛達荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時:梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國:圖盧茲(Toulouse)德國:慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國:首爾中國臺灣:臺北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國:亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢德勒、俄勒岡州Gresham、愛達荷州波卡特洛、愛達荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時:奧德納爾德捷克:Roznov中國:樂山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國:富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

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