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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

2023/06/12
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更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓, USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范,使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器充電器時(shí),要滿(mǎn)足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn),并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準(zhǔn)諧振 (QR)控制器所構(gòu)成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器和快充參考設(shè)計(jì),模擬協(xié)議控制板支持所有PD 3.1 EPR固定輸出,在230Vac和48V輸出條件下,四點(diǎn)平均能效達(dá)到95.4%,在230Vac和48V5A時(shí),效率高達(dá)96.2%, 待機(jī)功耗在100mW以下,遠(yuǎn)超COC V5 Tier2標(biāo)準(zhǔn),且PCBA尺寸僅89mm x 51mm x 21.5 mm,功率密度為40W/立方英寸,并且采用低成本的雙層PCB設(shè)計(jì),是下一代PD3.1 EPR智能手機(jī)快充、筆記本電腦適配器,電動(dòng)工具快充等的理想選擇方案。

圖1:240W圖騰柱PFC配合高頻QR雙管反激 USB PD3.1 EPR適配器和快充方案

該方案的PFC使用NCP1680 CRM模式,具有谷底同步頻率反走的圖騰柱PFC控制器,配合2只65mohm的SJ FET和2只50mohm的iGaN組成高效的PFC電路,在90Vac和滿(mǎn)載情況下PFC的效率高達(dá)97%。 在輕載模式下由后級(jí)電路產(chǎn)生skip脈沖信號(hào)輸入到NCP1680,使得PFC進(jìn)入強(qiáng)制skip待機(jī)模式,輸出電壓在額定值的94%和100%之間波動(dòng)來(lái)降低開(kāi)關(guān)損耗提高輕載效率。

圖2:240W圖騰柱PFC電路原理圖

PWM部分使用安森美的NCP1345高頻QR反激式脈寬調(diào)制 (PWM) 控制器,一只半橋驅(qū)動(dòng)控制器NCP51530和2只iGaN組成雙管反激拓?fù)浼軜?gòu),使得變壓器可以采用大匝比,電源能近似工作在ZVS狀態(tài)并且漏感能量能被完全回饋到電源輸入端而達(dá)到非常高的轉(zhuǎn)換效率。同步整流控制器NCP4307支持高低電壓供電且外圍電路非常簡(jiǎn)單,輸出整流采用120V,4hohm的SJ FET FDMS4D0N12C。

提高工作頻率可縮小電源尺寸,該設(shè)計(jì)在PFC工作,輸出為390V、滿(mǎn)載的情況下,頻率達(dá)130~150 KHz,NCP1345 QR反激式拓?fù)?,采用?zhuān)有的谷底鎖定電路,確保穩(wěn)定的谷底開(kāi)關(guān),直至第6個(gè)谷底,隨著負(fù)載的進(jìn)一步降低,在空載和輕載時(shí),NCP1345進(jìn)入Quiet Skip和反激式非連續(xù)導(dǎo)通模式(DCM),然后過(guò)渡到頻率反走模式,以減少開(kāi)關(guān)損耗,提高空載和輕載能效。

谷底鎖定和Quiet Skip實(shí)現(xiàn)領(lǐng)先市場(chǎng)的噪聲性能,且由于波形的諧波含量降低,電磁干擾(EMI)性能也得以改善,這可減少所需的EMI濾波器,從而降低成本。NCP1345固有的初級(jí)恒流控制使得能很方便的設(shè)計(jì)最大的恒流點(diǎn)即OCP保護(hù)值,這個(gè)OCP值在所有的輸入及輸出電壓范圍內(nèi)幾乎是固定值。另外NCP1345也提供高低電壓雙供電VCC端子以簡(jiǎn)化VCC電路的設(shè)計(jì)。

圖3:240W雙管反激同步整流和模擬協(xié)議控制電路原理圖

雙管反激變換器要求N*Vo的設(shè)計(jì)必須小于輸入電壓,否則會(huì)自動(dòng)限制占空比導(dǎo)致OCP保護(hù),所以在變壓器的匝比的設(shè)計(jì)上確保5V,9V,12V時(shí)N*Vo小于90Vac時(shí)的最低輸入直流電壓,這樣在5V,9V,12V時(shí)可以關(guān)斷PFC來(lái)提高效率,在15V及以上輸出電壓時(shí)PFC一直工作以確保雙管拓?fù)淠苷9ぷ鳌?/p>

由于沒(méi)有合適的48V的協(xié)議控制器,所以用了431參考基準(zhǔn)配合DIP開(kāi)關(guān)分立電路來(lái)產(chǎn)生輸出電壓控制采樣反饋及PFC控制電路來(lái)模擬PD3.1 EPR的工作狀態(tài),所有這些電路都設(shè)計(jì)在一個(gè)子板卡上以便未來(lái)更換PD子卡,模擬PD協(xié)議板的界面完全兼容當(dāng)前的協(xié)議界面。本參考設(shè)計(jì)目前只支持PD3.1 EPR固定的輸出電壓,暫不支持PD3.1 EPR AVS輸出,所以未來(lái)只要設(shè)計(jì)一個(gè)PD3.1 EPR協(xié)議子卡裝上就能支持完整的PD3.1 EPR輸出。

能效測(cè)試

該方案在230Vac和5V輸出沒(méi)接負(fù)載的情況下,輸入功率小于100mW, 待機(jī)功耗及48V下PF曲線如下圖。 在5V小負(fù)載下的效率及各個(gè)輸出下0.25W的效率也很好。在115 VAC(藍(lán)色曲線)和230 VAC (紅色曲線)輸入電壓的平均能效和輕載(10%負(fù)載)能效,從下面曲線圖可看到都遠(yuǎn)高于COC V5 Tier 2平均能效標(biāo)準(zhǔn)和COC V5 Tier 2輕載能效標(biāo)準(zhǔn),由于PFC在5V,9V,12V時(shí)停止工作,所以可以看到這幾個(gè)電壓下效率較高,28V和48V滿(mǎn)載下的效率也非常高。

圖4:待機(jī)功耗和能效曲線

圖5:28V和48V的負(fù)載效率曲線

安全保護(hù)功能和恒流控制

該高頻QR USB PD方案集成豐富的安全和保護(hù)功能,包括:精密的瞬時(shí)過(guò)壓保護(hù)(OVP)、過(guò)流保護(hù)(OCP)、短路保護(hù)(SCP)、開(kāi)環(huán)保護(hù)、X2電容放電等。

OVP保護(hù)可以通過(guò)ZCD腳外部的電阻來(lái)精確設(shè)定。OCP可以通過(guò)變壓器匝比,初級(jí)電流感應(yīng)電阻及NCP1345內(nèi)部的恒流電壓參考來(lái)設(shè)定精密的恒流輸出值得到。具體設(shè)計(jì)可以參考規(guī)格書(shū)。

熱性能測(cè)試

由于非常高的效率,該方案在沒(méi)有加任何導(dǎo)熱材料及主動(dòng)散熱的情況下,靠自然散熱得到下列的熱成像圖,該熱成像圖是在滿(mǎn)載工作30分鐘后測(cè)得。

圖6:240W高頻QR USB PD3.1 EPR適配器參考設(shè)計(jì)熱成像

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器件型號(hào) 數(shù)量 器件廠商 器件描述 數(shù)據(jù)手冊(cè) ECAD模型 風(fēng)險(xiǎn)等級(jí) 參考價(jià)格 更多信息
MUR1100ERLG 1 onsemi Power Rectifier, Ultra-Fast Recovery, Switch-mode, 1 A, 1000 V, Axial Lead 5.20x2.70mm, 25.4x0.71mm Pkg, Lead len/dia, 5000-REEL

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0510210400 1 Molex Board Connector, 4 Contact(s), 1 Row(s), Female, Straight, Crimp Terminal, Receptacle, ROHS AND REACH COMPLIANT
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C0402C103K5RACTU 1 KEMET Corporation Capacitor, Ceramic, Chip, General Purpose, 0.01uF, 50V, ±10%, X7R, 0402 (1005 mm), -55o ~ +125oC, 7" Reel/Unmarked

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安森美

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歷史安森美半導(dǎo)體前身是摩托羅拉集團(tuán)的半導(dǎo)體元件部門(mén),于1999年獨(dú)立上市,繼續(xù)生產(chǎn)摩托羅拉的分立晶體管,標(biāo)準(zhǔn)模擬和標(biāo)準(zhǔn)邏輯等器件。并購(gòu)紀(jì)錄2000年四月,完成收購(gòu)Cherry Semiconductor。2006年,完成收購(gòu)位于美國(guó)俄勒岡州Gresham的LSI Logic設(shè)計(jì)和制造設(shè)施。2008年一月,以184M美元完成收購(gòu)美國(guó)模擬器件公司的穩(wěn)壓及熱管理(Voltage Regulation and Thermal Management)部門(mén)。2008年三月,以915M美元完成收購(gòu)AMI Semiconductor。2008年十月,以115M美元完成收購(gòu)Catalyst Semiconductor。2009年十一月,以17M美元完成收購(gòu)PulseCore Semiconductor。2010年一月,以115M美元完成收購(gòu)California Micro Devices。2010年六月,完成收購(gòu)Sound Design Technologies, Ltd。2011年一月,完成收購(gòu)日本三洋電機(jī)的子公司三洋半導(dǎo)體(SANYO Semiconductor)。2011年二月,以$31.4M美元完成收購(gòu)賽普拉斯半導(dǎo)體(Cypress Semiconductor)的CMOS圖像傳感器業(yè)務(wù)部門(mén)。2014年五月,完成收購(gòu)Truesense Imaging, Inc。2014年七月,安森美半導(dǎo)體和富士通半導(dǎo)體宣布戰(zhàn)略合作(包括晶圓代工服務(wù)協(xié)議,及日本會(huì)津若松市富士通的8吋晶圓廠的10%權(quán)益。)2014年八月,以4億美元完成收購(gòu)總部位于加州的Aptina Imaging Corp。2015年七月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)Axsem AG。2015年11月18日,以每股20美元,斥資24億美元現(xiàn)金收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。2016年八月,安森美半導(dǎo)體宣布已就出售點(diǎn)火IGBT業(yè)務(wù)給 Littelfuse 達(dá)成協(xié)議,出售其瞬態(tài)電壓抑制二極管和開(kāi)關(guān)型晶閘管產(chǎn)品線,售價(jià)共1.04億美元現(xiàn)金。2016年九月,安森美半導(dǎo)體完成收購(gòu)飛兆半導(dǎo)體公司。產(chǎn)品安森美半導(dǎo)體制造以下的各種產(chǎn)品:定制:ASIC;定制代工服務(wù);定制ULP存儲(chǔ)器;定制CMOS圖像傳感器;集成無(wú)源器件分立:雙極晶體管;二極管和整流器;IGBT和FET;晶閘管;可調(diào)諧組件電源管理:AC-DC控制器和穩(wěn)壓器;DC-DC控制器、轉(zhuǎn)換器和穩(wěn)壓器;熱管理;驅(qū)動(dòng)器;電壓和電流管理邏輯:時(shí)鐘產(chǎn)生;時(shí)鐘及數(shù)據(jù)分配;存儲(chǔ)器;微控制器;標(biāo)準(zhǔn)邏輯信號(hào)管理:放大器和比較器;模擬開(kāi)關(guān);音頻/視頻的ASSP;數(shù)字電位計(jì);EMI/RFI濾波器;接口;光電、圖像及觸摸傳感器產(chǎn)品部安森美半導(dǎo)體的各個(gè)產(chǎn)品部門(mén):模擬方案部(ASG) - Bob Klosterboer(高騰博),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理圖像傳感器部(ISG) – Taner Ozcelik,高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理電源方案部(PSG) – Bill Hall(賀彥彬),執(zhí)行副總裁兼總經(jīng)理解決方案工程中心日本:大阪; 東京中國(guó):上海德國(guó):慕尼黑中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北美國(guó):加州圣荷西; 俄勒岡州波特蘭; 底特律韓國(guó):首爾設(shè)計(jì)中心美國(guó):亞利桑那州鳳凰城(Phoenix)、亞利桑那州錢(qián)德勒(Chandler)、得州奧斯?。ˋustin)、得州普萊諾(Plano)、羅德島州東格林尼治(East Greenwich)、科羅拉多州Longmont、加州圣克拉拉(Santa Clara)、愛(ài)達(dá)荷州波卡特洛(Pocatello)、賓夕法尼亞州Lower Gwynedd、猶他州林頓(Lindon)、愛(ài)達(dá)荷州楠帕(Nampa)加拿大:伯靈頓(Burlington), 滑鐵盧(Waterloo)比利時(shí):梅赫倫(Mechelen),奧德納爾德(Oudenaarde),菲爾福爾德(Vilvoorde)法國(guó):圖盧茲(Toulouse)德國(guó):慕尼黑羅馬尼亞:布加勒斯特(Bucharest)斯洛伐克:布拉迪斯拉發(fā)(Bratislava)愛(ài)爾蘭:利默里克(Limerick)瑞士:Marin捷克:Roznov,布爾諾(Brno)韓國(guó):首爾中國(guó)臺(tái)灣:臺(tái)北印度:班加羅爾(Bangalore),諾伊達(dá)(Noida)日本:岐阜市,群馬菲律賓:德拉克市(Tarlac City)制造工廠美國(guó):亞利桑那州鳳凰城、亞利桑那州錢(qián)德勒、俄勒岡州Gresham、愛(ài)達(dá)荷州波卡特洛、愛(ài)達(dá)荷州楠帕、緬因州南波特蘭加拿大:伯靈頓 (安大略省)比利時(shí):奧德納爾德捷克:Roznov中國(guó):樂(lè)山、深圳、蘇州日本:群馬縣、埼玉縣羽生市、新潟縣新潟市韓國(guó):富川菲律賓:Carmona, Cavite、Tarlac City、宿霧市馬來(lái)西亞:森美蘭州芙蓉市越南:邊和市、順安市社

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