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隨著光電半導體產業(yè)的發(fā)展，作為產業(yè)鏈上游的核心元器件，光電子器件（光芯片）已經廣泛應用于通信、工業(yè)、消費等領域。
光芯片包括CCD、CIS、LED、光子探測器、光耦合器、激光芯片等多種類型。如果按照是否發(fā)生光電信號轉化分類，光芯片可分為有源光芯片和無源光芯片兩類，有源光芯片包括發(fā)射芯片和接收芯片，無源光芯片包括光開關芯片、光分束器芯片等。下面主要分析一下有源光芯片，如激光芯片和光子探測芯片等的產業(yè)發(fā)展情況。
有源光芯片，特別是激光芯片，主要用于工業(yè)（高功率激光芯片）、通信（高速率激光芯片），另外，VCSEL和硅光芯片處于成長期，未來有更廣闊的發(fā)展空間。
在光通信領域，光芯片是光模塊發(fā)射、接收組件的核心元器件，分別實現電信號向光信號、光信號向電信號的轉換，決定著光模塊的傳輸速率。在工業(yè)應用中，光芯片同熱沉、光束整形器件等組成光纖激光器、固體激光器的泵浦源，為激光器內的工作介質實現粒子數反轉提供能源。在消費類應用中，光芯片已廣泛應用于3D傳感（手機、汽車）等場景，以車載激光雷達為例，光芯片是發(fā)射端和接收端的核心器件，決定著激光雷達的探測距離、分辨率等關鍵性能。
與大規(guī)模集成電路已形成高度產業(yè)鏈分工相比，光芯片行業(yè)尚未形成成熟的設計-代工-封測產業(yè)鏈。國際頭部光芯片廠商，如 II-IV、Lumentum等，多為IDM模式，之所以如此，主要原因在于光芯片主要采用特色工藝制造，其芯片制造技術門檻較高，且產線難以實現標準化，廠商采用IDM模式可以實現生產環(huán)節(jié)協(xié)同優(yōu)化，同時滿足客戶多樣化的需求。
中國光芯片發(fā)展現狀
目前，中國本土的高功率激光芯片、部分高速率激光芯片（10G、25G等）等已處于國產化加速突破階段，而光探測芯片、25G以上高速率激光芯片剛剛起步，本土化還有較長的路要走。
廠商方面，中國本土光芯片企業(yè)主要關注工業(yè)/國防等高功率應用，這也是它們主要的營收來源，因此，在高功率激光芯片方面，本土企業(yè)具備與II-VI、Lumentum等國際大廠進行競爭的能力。但在光通信、消費類應用領域，與國際大廠差距較大，是下一步努力的重點。光通信市場空間廣闊，同時，光通信、VCSEL等光芯片制造工藝與高功率激光芯片工藝復用程度較高，中國本土企業(yè)可以基于自身技術積累切入。
下面具體看一下中國本土企業(yè)在高功率激光芯片、光探測芯片、VCSEL和硅光芯片方面的發(fā)展情況。
高功率激光芯片
美國和歐洲在高功率激光芯片方面的產業(yè)化起步較早，技術上具備領先優(yōu)勢，傳統(tǒng)巨頭包括II-VI、Lumentum、ams Osram、IPG等。近些年，中國本土激光芯片技術不斷突破，相關產業(yè)處于快速發(fā)展期，主要廠商包括長光華芯、武漢銳晶、華光光電、度亙激光、深圳瑞波等。據長光華芯招股書測算，2021年，長光華芯、武漢銳晶在國內高功率激光芯片市場中的份額分別為13.4%和7.4%。
本土企業(yè)的產品力一直在提升，以長光華芯為例，該公司成立于2012年，成立之初研發(fā)出13W以上高亮度單管芯片，2019年推出15W單管芯片，2020年推出18W、25W單管芯片，2021年實現了30W單管芯片量產，目前，其產品正在向更高功率水平持續(xù)迭代。
25G及以下光芯片方面，我國已基本實現國產化，特別是在10G芯片方面，源杰科技等本土企業(yè)已在部分細分市場取得領先份額，但技術門檻較高市場仍依賴進口，25G以上市場是國產化薄弱環(huán)節(jié)，據IDC統(tǒng)計，25G光芯片的國產化率約為20%，25G以上的國產化率只有約5%。近些年，中國本土企業(yè)在5G基站前傳光模塊用25GDFB激光芯片方面有所突破，用于數據中心的光模塊企業(yè)開始使用國產的25GDFB激光芯片。
長光華芯等公司已切入銳科激光、創(chuàng)鑫激光等頭部光纖激光器廠商供應鏈，推動對II-VI、Lumentum 等海外廠商進口替代的步伐。未來，隨著國產更高功率產品的導入，以及新建產能的落地，有望加速國產份額提升步伐。
光探測芯片
光探測芯片廣泛應用于手機、光通信、智能家電（如掃地機器人）等應用場景，隨著車載激光雷達產業(yè)的快速發(fā)展，光探測芯片作為激光雷達接收端核心元器件，有望迎來新的發(fā)展機遇。
在技術方案層面，目前，APD是主流方案，First-sensor、濱松和Kyosemi是行業(yè)前三廠商，三家市占率達到45%。比APD更先進的技術方案是SPAD/SiPM，對比APD，SPAD/SiPM具有更強的探測靈敏度，同時，SiPM為陣列形式，更易于與陣列光源相匹配，且更易與CMOS工藝集成，從而降低成本。因此，SPAD/SiPM有望成為激光雷達接收端芯片的未來發(fā)展方向。不過，SPAD/SiPM技術難度大，進入門檻高，全球SiPM市場主要被安森美、濱松、博通等頭部企業(yè)把持著，合計市占率達到83%。
目前，中國本土企業(yè)在光探測芯片領域的市占率較低，主要原因在于沒有完整的生產加工體系。中國在光通信用APD/PIN市場已實現國產化突破，相比之下，本土企業(yè)尚未在 SPAD/SiPM市場形成量產能力。
據中國電子元件行業(yè)協(xié)會發(fā)布的《中國光電子器件產業(yè)技術發(fā)展路線圖（2018-2022 年）》統(tǒng)計，中國SPAD等光芯片發(fā)展高度依賴生產工藝及封裝測試，在SPAD領域做的較好的安森美，CIS/CCD主要玩家佳能、索尼等國際大廠，擁有大批量封裝測試經驗和能力，然而，中國本土相關企業(yè)生產工藝還未成熟，且缺少本地優(yōu)質代工平臺，在芯片流片加工方面嚴重依賴美國、新加坡、德國等國家的代工廠，再加上熟悉相關工藝的技術人員稀缺，造成關鍵技術發(fā)展緩慢、芯片研發(fā)周期較長、效率較低等局面。
不過，中國本土市場和相關企業(yè)也有自身優(yōu)勢，與國外大廠相比，國內光探測芯片廠商在產品的定制化上有較好的靈活性，價格也有一定的優(yōu)勢，未來，隨著在產品、技術上不斷突破，有望推進國產替代進程。
目前，中國本土企業(yè)對于光探測芯片方案的選擇較為分明。以光迅科技、光森電子、三安光電為代表的公司選擇傳統(tǒng)成熟的PIN-PD、APD方案，產品多應用于光通信，而以芯視界、靈明光子、阜時科技為代表的創(chuàng)業(yè)型公司則更多地選擇布局代表未來發(fā)展方向的SPAD/SiPM方案，而且，國產SPAD/SiPM產品已經開始應用于消費電子、激光雷達、AR/VR、醫(yī)療等領域。另外，還有中國本土企業(yè)在單項產品力上領先國際的案例，例如，靈明光子的產品在波長905nm處的單光子探測效率（PDE）達到25%，超過行業(yè)平均水平（5%~18%）。
VCSEL
隨著VCSEL功率密度等關鍵性能持續(xù)提升，有望成為半固態(tài)/固態(tài)激光雷達發(fā)射端核心元器件。
與LED、EEL等光源相比，VCSEL激光器具有許多優(yōu)勢，例如量產成本低，波長穩(wěn)定性高（溫漂小），易于二維集成，低閾值電流，可高頻調制，沒有腔面閾值損傷等。Yole發(fā)布的相關報告顯示，自2017年蘋果在iPhoneX中引入3D傳感功能以來，VCSEL在消費電子應用領域快速發(fā)展，主要應用逐漸由850nm器件的高速數據通信轉向940nm器件的3D傳感應用。
目前，國際大廠Lumentum、II-IV憑借技術優(yōu)勢主導VCSEL芯片市場，據Yole統(tǒng)計，Lumentum、II-IV兩家公司在2021年的市場合計份額超過80%。生產模式方面，Lumentum將外延環(huán)節(jié)外包，II-VI自產外延片。
中國本土傳感應用類VCSEL芯片企業(yè)主要包括長光華芯、縱慧芯光、睿熙科技、檸檬光子、博升光電、瑞識科技等，大多數是創(chuàng)業(yè)型公司，VCSEL芯片量產能力有限，與國際大廠之間還有明顯差距。不過，憑借后發(fā)優(yōu)勢，這些中國本土企業(yè)正在努力趕上國際先進技術和產品發(fā)展腳步，并通過多種方式提升自身競爭力，例如，采用IDM 模式，用以打造核心競爭力。
硅光芯片
硅光芯片是基于硅晶圓開發(fā)出的光子集成芯片，在尺寸、速率、功耗等方面具有獨特優(yōu)勢，可廣泛應用于光通信、數據中心、醫(yī)療檢測、自動駕駛、國防等領域，其中，光通信是硅光芯片最主要的應用市場。
硅光芯片具有高集成度、低成本等特點，在光子集成化背景下，具有廣闊的發(fā)展前景。
目前，全球硅光技術及產業(yè)化領先的玩家主要包括英特爾、思科和Inphi，近些年，思科、華為、Ciena、Juniper等知名企業(yè)紛紛通過收購來布局硅光技術，Marvell、思科、諾基亞等斥資百億美元先后收購 Inphi、Acacia、Elenion 等硅光領域的創(chuàng)新企業(yè)。英特爾和臺積電都在大力開發(fā)硅光子制造工藝技術，已經形成較為完整的硅光芯片產業(yè)鏈。
中國在硅光芯片研究方面與國際先進水平處于同一起跑線，科研進展也相當，但在產業(yè)化發(fā)展和產業(yè)鏈配套建設方面，中國本土企業(yè)與國際大廠仍有差距。
作者：暢秋
