1956
RDS(on)額外降低40%，功率密度提高58倍，適合電信和熱插拔計算應(yīng)用
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產(chǎn)品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應(yīng)用進行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設(shè)備。
憑借數(shù)十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產(chǎn)品組合中的首選，在緊湊的8x8 mm封裝尺寸中兼顧低RDS(on)和強大線性模式（安全工作區(qū)）性能，可滿足嚴苛的熱插拔應(yīng)用要求。此外，Nexperia還發(fā)布了一款80 V ASFET產(chǎn)品PSMN1R9-100SSE（80 V，1.9 mΩ），旨在響應(yīng)計算服務(wù)器和其他工業(yè)應(yīng)用中使用48 V電源軌的增長趨勢，在這些應(yīng)用中，環(huán)境條件允許MOSFET采用較低的VDS擊穿電壓額定值。
在熱插拔和軟啟動應(yīng)用中，具有增強型SOA的ASFET越來越受市場歡迎。當(dāng)容性負載引入帶電背板時，這些產(chǎn)品強大的線性模式性能對于高效可靠地管理浪涌電流必不可少。當(dāng)ASFET完全導(dǎo)通時，低RDS(on)對于最大限度地降低I2R損耗也同樣重要。除了RDS(on)更低且封裝尺寸更緊湊之外，Nexperia的第三代增強SOA技術(shù)與前幾代D2PAK封裝相比還實現(xiàn)了10% SOA性能改進（在 50 V、1 ms 條件下，電流分別為33 A和30 A）。
Nexperia的另一項創(chuàng)新在于，用于熱插拔的新型ASFET完整標示了25°C和125°C下的SOA特性。數(shù)據(jù)手冊中提供了經(jīng)過全面測試的高溫下SOA曲線，設(shè)計工程師無需進行熱降額計算，并顯著擴展了實用的高溫下SOA性能。
到目前為止，適合熱插拔和計算應(yīng)用的ASFET通常采用較大尺寸的D2PAK封裝(16x10 mm)。LFPAK88封裝是D2PAK封裝的理想替代選項，空間節(jié)省效率高達60%。PSMN2R3-100SSE的RDS(on)僅為2.3 mΩ，相較于現(xiàn)有器件至少降低了40%。 LFPAK88不僅將功率密度提高了58倍，還提供兩倍的ID(max)額定電流以及超低熱阻和電阻。該產(chǎn)品結(jié)合了Nexperia先進的晶圓和銅夾片封裝技術(shù)的功能優(yōu)勢，包括占用空間更小、RDS(on)更低以及SOA性能更優(yōu)。Nexperia還提供采用5x6 mm LFPAK56E封裝的25 V、30 V、80 V和100 V ASFET系列產(chǎn)品，并針對需要更小PCB管腳尺寸的低功耗應(yīng)用進行了優(yōu)化。
