2243
隨著數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載不斷增加、演進(jìn)，對數(shù)據(jù)中心的性能要求也持續(xù)地快速增長，進(jìn)而要求更大的內(nèi)存帶寬和容量。為了滿足這些工作負(fù)載的基本需求，提高服務(wù)器內(nèi)存解決方案的性能，DDR5 生態(tài)系統(tǒng)正在變得越來越重要。
IDC內(nèi)存半導(dǎo)體部門副總裁Soo-Kyoum Kim表示：“DDR5大幅提升了計算系統(tǒng)的性能。隨著數(shù)據(jù)中心應(yīng)用更加頻繁地要求越來越高的內(nèi)存帶寬，DDR5生態(tài)系統(tǒng)將成為提升下一代數(shù)據(jù)中心性能提升這一基本需求的關(guān)鍵?！?/p>
高速服務(wù)器內(nèi)存接口芯片組加速創(chuàng)新
高速服務(wù)器內(nèi)存接口芯片組也由此迎來了重大機(jī)遇，優(yōu)化服務(wù)器內(nèi)存架構(gòu)設(shè)計、提升服務(wù)器內(nèi)存模塊的性能，對于提高整體服務(wù)器性能和可靠性非常關(guān)鍵。
Rambus在提升服務(wù)器內(nèi)存解決方案性能、滿足每一代服務(wù)器平臺內(nèi)存需求的道路上在不斷突破。今年2月，Rambus推出了6400 MT/s DDR5寄存時鐘驅(qū)動器（RCD），并向各大DDR5內(nèi)存模塊（RDIMM）制造商提供樣品。相比第一代 4800 MT/s解決方案，Rambus 第三代6400 MT/s DDR5 RCD的數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬提高了33%，使數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的主內(nèi)存性能達(dá)到了一個新的水平。該產(chǎn)品的延遲和功耗均達(dá)到業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，其經(jīng)過優(yōu)化的時序參數(shù)將提高RDIMM的裕量。
Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營銷副總裁John Eble指出，服務(wù)器的快速發(fā)展帶來了更高的容量，但同時也帶來了挑戰(zhàn)，例如：對每個CPU的插槽帶來了更高的帶寬需求；必須要保證在64字節(jié)高速緩存行中相同的內(nèi)存讀取粒度；在RAS性能方面，包括可靠性、可用性和可維護(hù)性等，都要得到提升；包括像SECDED這樣的單錯校正和雙錯檢測，以及像chipkill等技術(shù)，都是必須要做到的。面對更大的容量和更高的帶寬，如何能夠在性能保持不變的情況下將產(chǎn)品的運(yùn)行維持在正確的冷卻功率范圍之內(nèi)？這其實(shí)對新的服務(wù)器帶來了很大挑戰(zhàn)。
隨著CPU核心數(shù)量和計算性能的持續(xù)增加，內(nèi)存帶寬和容量也必須成比例地擴(kuò)展，這是DDR5推出的根本動力所在。而DDR5最亮眼的部分，就是速度比已經(jīng)“超級快”的DDR4還要快。與DDR4內(nèi)存最高3.2Gbps的傳輸速度相比，全新DDR5內(nèi)存的最高傳輸速率可達(dá)8.4Gbps。此外，DDR5也改善了雙列直插式內(nèi)存模塊(DIMM)的工作電壓，將供電電壓從DDR4的1.2V降至1.1V，進(jìn)一步提升了內(nèi)存的能效表現(xiàn)。
其次，隨著接口內(nèi)存、以及接口IP產(chǎn)品速度的提升、容量的進(jìn)一步增加，還必須進(jìn)一步縮短它的啟動時間。
John Eble解釋說，Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片包含RCD、串行檢測（SPD）集線器和溫度傳感器，對于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借DDR5內(nèi)存，RDIMM更智能，同時將數(shù)據(jù)傳輸速度提升了一倍以上，容量達(dá)到DDR4 RDIMMs的四倍，內(nèi)存和電源效率也有所提高。
據(jù)介紹，全新推出的DDR5 RCD Gen3產(chǎn)品，與第一代相比數(shù)據(jù)傳輸速率和帶寬可以提高33%，同時也進(jìn)一步擴(kuò)展了Rambus在DDR5內(nèi)存接口芯片方面的全部產(chǎn)品陣容。迄今為止，Rambus在這方面的產(chǎn)品包括：4800MT/s的DDR5 RCD Gen1，5600MT/s的DDR5 RCD Gen2，以及6400MT/s 的DDR5 RCD Gen3。
應(yīng)對DDR演進(jìn)挑戰(zhàn)
面向DDR每個世代的演進(jìn)挑戰(zhàn)，John Eble指出，RCD是關(guān)鍵的控制面板芯片，它將命令、地址信號和時鐘分配給DIM上的DRAM設(shè)備。Rambus正在不斷提高其DDR5解決方案的性能，以滿足更高的帶寬需求，最新推出的第三代RCD以6400 MT/s的傳輸速度運(yùn)行就是證明。
除了RCD的帶寬挑戰(zhàn)，此外，還有兩個關(guān)鍵接口的信號完整性問題：第一個接口是CPU到RCD，這是一個DDR接口，通過DDR5 DIMM連接器運(yùn)行，在2個DIMM通道系統(tǒng)中可能有2個RCD負(fù)載。
第二個接口是從RCD到DRAM，這是在DIMM上。RCD到DRAM這個接口不管是從布線，還是到支持最高10個相關(guān)外插式設(shè)備的總線，還是CA總線，這些都是非常重要的考慮方向，且關(guān)鍵問題還包括管理功耗和成本。
Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理蘇雷表示，Rambus非常大的優(yōu)勢是在信號完整性方面，因此在提供DDR5內(nèi)存接口芯片的時候，能夠以高性能的設(shè)計裕度，去滿足模組制造商在設(shè)計制造DDR5時的需求，便于他們更輕松地設(shè)計制造產(chǎn)品。此外，Rambus內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品包括RCD、SPD、TS等，均來自于自研，因此更懂得產(chǎn)品的Know-how。
其次，Rambus可以提供有競爭力的價格、以及高效的技術(shù)支持，幫助客戶設(shè)計出高質(zhì)量的、有競爭力產(chǎn)品，并縮短上市時間。
今年下半年內(nèi)存市場有回暖態(tài)勢
如何預(yù)測2023年整體內(nèi)存市場的情況？John Eble表示，兩年前其實(shí)在PC市場就受到了比較大的波及和影響。當(dāng)時服務(wù)器市場表面上沒有受到什么影響，依舊還是在成長，但現(xiàn)在回過頭來分析，其實(shí)服務(wù)器市場也并不能夠獨(dú)善其身，也是受到了當(dāng)時的負(fù)面影響。
不過，考慮到內(nèi)存市場過去的發(fā)展動向和趨勢，本身就是一個不斷波動和成長的市場，過去經(jīng)歷過低谷，也還是成功爬坡和恢復(fù)了。他認(rèn)為2023年的內(nèi)存市場，本身還是伴隨著很大的不確定性。但是綜合觀點(diǎn)還是認(rèn)為，2023年下半年內(nèi)存市場會有回暖的態(tài)勢。
他強(qiáng)調(diào)，服務(wù)器市場盡管短期存在一些波動，但是鑒于對更大的內(nèi)存、容量和帶寬的巨大需求，包括云計算、HPC、AI/機(jī)器學(xué)習(xí)等類型的工作負(fù)載需求旺盛，因此從長期來看，服務(wù)器市場依舊是非常強(qiáng)勁和穩(wěn)健的。
下載ECAD模型
