加入星計(jì)劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴(kuò)散
  • 作品版權(quán)保護(hù)
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入
  • 正文
  • 相關(guān)推薦
  • 電子產(chǎn)業(yè)圖譜
申請(qǐng)入駐 產(chǎn)業(yè)圖譜

擴(kuò)產(chǎn)受阻?傳長江存儲(chǔ)大砍設(shè)備采購訂單:北方華創(chuàng)遭砍單70%!

2023/02/14
1930
閱讀需 6 分鐘
加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

2月12日消息,據(jù)《南華早報(bào)》報(bào)道,中國大陸NAND Flash大廠長江存儲(chǔ)近幾個(gè)月大幅削減半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備訂單,其中,對(duì)于國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備大廠北方華創(chuàng)的采購訂單就遭暴砍了70%。這也反映了長江存儲(chǔ)的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃受到了阻礙。

去年10月,美國政府出臺(tái)了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制新規(guī),禁止美國設(shè)備廠商向大陸芯片制造商出口可以被用于16nm或14nm或以下非平面晶體管結(jié)構(gòu)(即FinFET或GAAFET)的邏輯芯片、18nm半間距或更小的DRAM內(nèi)存芯片、128層或以上NAND閃存芯片制造的半導(dǎo)體設(shè)備。而這也直接限制了長江存儲(chǔ)發(fā)展128層以上NAND Flash。隨后在去年12月,美國政府又將長江存儲(chǔ)列入了“實(shí)體清單”,這更加使得長江存儲(chǔ)連128層以下NAND Flash芯片制造所需的美系半導(dǎo)體設(shè)備的采購也面臨受阻。

由于目前應(yīng)用材料、泛林集團(tuán)及科磊這三大美國半導(dǎo)體設(shè)備廠商在市場上擁有著強(qiáng)大的技術(shù)優(yōu)勢及市場地位,長江存儲(chǔ)目前在無法獲得美系半導(dǎo)體設(shè)備的情況下,其原有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃及現(xiàn)有產(chǎn)線的維護(hù)都將受到影響。此前消息顯示,長江存儲(chǔ)近期已經(jīng)進(jìn)行了一輪裁員,裁員比例約為10%。

另外,在今年1月底,有業(yè)內(nèi)消息顯示,由于設(shè)備采購供應(yīng)鏈中斷,長江存儲(chǔ)可能推遲在武漢的第二家晶圓廠的建設(shè)。另一位行業(yè)專家、華為前技術(shù)人員稱,長江存儲(chǔ)并不缺乏光刻系統(tǒng),因?yàn)樗趯?shí)施限制之前已購買數(shù)臺(tái)光刻系統(tǒng),但挑戰(zhàn)在于泛林集團(tuán)等設(shè)備供應(yīng)商的蝕刻設(shè)備,這對(duì)于復(fù)雜的3D NAND晶圓制造工藝至關(guān)重要,因?yàn)镹AND芯片堆疊的層數(shù)越多,制造過程中就會(huì)需要更多的蝕刻設(shè)備。

從全球刻蝕設(shè)備市場份額來看,泛林半導(dǎo)體、東京電子和應(yīng)用材料三家企業(yè)的合計(jì)占據(jù)了全球刻蝕設(shè)備市場的90%以上。其中泛林半導(dǎo)體獨(dú)占52%的市場份額,東京電子與應(yīng)用材料分別占據(jù)20%和19%的市場份額。

通過對(duì)長江存儲(chǔ)歷史招標(biāo)信息進(jìn)行統(tǒng)計(jì),截止 2021 年 6 月 30 日,共招標(biāo)光刻機(jī) 44 臺(tái)、刻蝕機(jī) 379 臺(tái)、薄膜沉積 675 臺(tái)、CMP124 臺(tái)、涂膠/顯影/去膠 130 臺(tái)、清洗設(shè)備 142 臺(tái)、氧化/擴(kuò)散/熱處理241臺(tái)、量測設(shè)備371臺(tái),合計(jì)價(jià)值量約400~500 億元人民幣。

其中,在刻蝕設(shè)備方面,美國廠商泛林集團(tuán)占據(jù)超過一半的采購量。中微公司中標(biāo)了50臺(tái)CCP 等離子體刻蝕機(jī);屹唐半導(dǎo)體中標(biāo)了13臺(tái)ICP 等離子體刻蝕機(jī);北方華創(chuàng)則中標(biāo)了24臺(tái)ICP 等離子體刻蝕機(jī)。此外,北方華創(chuàng)還中標(biāo)了2臺(tái)清洗設(shè)備。

據(jù)芯智訊了解,雖然近年來長江存儲(chǔ)有持續(xù)加大國產(chǎn)刻蝕設(shè)備的采購比例,但是目前國產(chǎn)刻蝕設(shè)備主要被應(yīng)用于一些非關(guān)鍵層的刻蝕,關(guān)鍵層的刻蝕還是需要泛林集團(tuán)的設(shè)備,畢竟技術(shù)上的差距是現(xiàn)實(shí)存在的。即便是去年10月美國對(duì)華半導(dǎo)體出口限制新規(guī)出臺(tái),導(dǎo)致被應(yīng)用于128層及以上NAND Flash芯片制造所需的美系設(shè)備采購受阻,長江存儲(chǔ)也首選加大了對(duì)于東京電子刻蝕設(shè)備的采購。

值得注意的是,目前美國還與另外兩大半導(dǎo)體設(shè)備強(qiáng)國日本和荷蘭達(dá)成了對(duì)華半導(dǎo)體出口管制協(xié)議,雖然目前日本和荷蘭尚未出臺(tái)正式的政策,但是預(yù)計(jì)會(huì)與美國去年10月出臺(tái)的對(duì)華半導(dǎo)體出口管制新規(guī)對(duì)齊。這也意味著,未來長江存儲(chǔ)等國產(chǎn)半導(dǎo)體制造商希望通過獲取日本、荷蘭及國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備來組建非美系產(chǎn)線也將會(huì)遇阻。

由于半導(dǎo)體制造是一個(gè)很長的鏈條,需要用到幾十上百種設(shè)備,經(jīng)過數(shù)百道工序,任何一個(gè)設(shè)備環(huán)節(jié)出現(xiàn)問題,整個(gè)鏈條就無法正常運(yùn)轉(zhuǎn)。因此,只要長江存儲(chǔ)所需的一類關(guān)鍵設(shè)備采購受阻,且國產(chǎn)設(shè)備無法實(shí)現(xiàn)平穩(wěn)的替代,那么長江存儲(chǔ)原計(jì)劃的擴(kuò)產(chǎn)將無法繼續(xù)實(shí)施,同時(shí)現(xiàn)有的產(chǎn)線的運(yùn)維保障未來可能也將受到影響。基于此,長江存儲(chǔ)必然將會(huì)停止原有的擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃,短期內(nèi)對(duì)于國產(chǎn)設(shè)備的采購也將大幅減少。

不過,鑒于原本北方華創(chuàng)之前來自長江存儲(chǔ)的訂單占比似乎也并不大(有數(shù)據(jù)稱約為5%),此次長江存儲(chǔ)砍單對(duì)于北方華創(chuàng)的影響可能沒有想象中的那么大。當(dāng)然今年原本能拿到的長江存儲(chǔ)的設(shè)備訂單被砍掉了70%,對(duì)于北方華創(chuàng)今年的設(shè)備出貨來說則是少了一大助力。

編輯:芯智訊-浪客劍

長江存儲(chǔ)

長江存儲(chǔ)

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。

長江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司成立于2016年7月,總部位于“江城”武漢, 是一家專注于3D NAND閃存設(shè)計(jì)制造一體化的IDM集成電路企業(yè),同時(shí)也提供完整的存儲(chǔ)器解決方案。長江存儲(chǔ)為全球合作伙伴供應(yīng)3D NAND閃存晶圓及顆粒, 嵌入式存儲(chǔ)芯片以及消費(fèi)級(jí)、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤等產(chǎn)品和解決方案,廣泛應(yīng)用于移動(dòng)通信、消費(fèi)數(shù)碼、計(jì)算機(jī)、服務(wù)器及數(shù)據(jù)中心。收起

查看更多

相關(guān)推薦

電子產(chǎn)業(yè)圖譜