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X-FAB

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  • X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
    X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案
    全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI XT011這一110nm工藝節(jié)點平臺，X-FAB可為客戶提供符合AECQ100 Grade-0標準的32kByte容量嵌入式閃存IP，并配備額外的4Kbit EEPROM。此外，從2
  • X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
    X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
    全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，在其現(xiàn)有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。 2×2光電二極管排列布局示例圖 此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應增強型光電二極管doafe和dobfpe，
  • X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
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    全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應用提供更好的選擇——特別適合應用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中
  • X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能
    X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能
    全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，其光學傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。 BSI工藝截面示意圖 通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個像素點接收到的入射光不會再被
  • X-FAB推出針對近紅外應用的新一代增強性能SPAD器件
    全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負面影響。