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    作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。 圖：SiC/Si器件效率對比
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    第十九屆中國工博會將于2017年11月7日—11日在國家會展中心（上海）舉辦，如果說十八世紀(jì)的工業(yè)革命掀起了解放雙手的風(fēng)潮，那么與非記者在這一屆工博會上感受更多的智慧工業(yè)的氣息。大會期間，瑞薩電子（中國）有限公司（以下簡稱“瑞薩電子”）攜多款解決方案亮相于6.1H號館，并舉辦了媒體見面會。
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    2017/11/12