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PECVD

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PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝，這種方法有很多優(yōu)點(diǎn)，比如顏色等級(jí)高，成膜質(zhì)量好等。

PECVD ( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition ) 是指 等離子體增強(qiáng)化學(xué)的氣相沉積法。是生產(chǎn)人造鉆石的一種工藝，這種方法有很多優(yōu)點(diǎn)，比如顏色等級(jí)高，成膜質(zhì)量好等。收起

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    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
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    等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD）是一種常用的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，其核心是產(chǎn)生并利用等離子體對(duì)反應(yīng)物質(zhì)進(jìn)行激活和沉積。然而，有時(shí)候在PECVD反應(yīng)器中，等離子體可能會(huì)出現(xiàn)不穩(wěn)定的情況，導(dǎo)致薄膜的質(zhì)量和均勻性下降。本文將詳細(xì)探討如何排查PECVD反應(yīng)器中等離子體不穩(wěn)定的問(wèn)題及解決方法。
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