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NMOS

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NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。

NMOS英文全稱為N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思為N型金屬-氧化物-半導(dǎo)體，而擁有這種結(jié)構(gòu)的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補(bǔ)MOS電路，即CMOS電路。收起

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  • 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
    用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
    在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子
  • 大功率電路負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)中，為什么都是用NMOS并聯(lián)，而不是PMOS呢？
    大功率電路負(fù)載電流驅(qū)動(dòng)中，為什么都是用NMOS并聯(lián)，而不是PMOS呢？
    我們都知道，MOSFET按工作模式可以分為PMOS（P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）和NMOS（N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管，這些晶體管由四個(gè)部分組成：源極 (S) 、漏極 (D) 、柵極 (G)和襯底（體），PMOS和NMOS 晶體管用作壓控開關(guān)或放大，根據(jù)柵極電壓控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。主要區(qū)別在于負(fù)責(zé)電流流動(dòng)的電荷載流子的類型：PMOS中的空穴（正電荷）和NMOS中的電子（負(fù)電荷） 。
  • 支持Qi和 AirFuel的雙標(biāo)準(zhǔn)無線充電天線和有源整流系統(tǒng)
    支持Qi和 AirFuel的雙標(biāo)準(zhǔn)無線充電天線和有源整流系統(tǒng)
    摘要：本文提出一個(gè)兼容AirFuel 和 Qi兩大無線充電標(biāo)準(zhǔn)的無線充電 (WPT) 天線配置和有源整流電路，并用Cadence Virtuoso 仿真工具評(píng)測(cè)了天線配置的性能，電路仿真所用的線圈參數(shù)是目前市場(chǎng)上銷售的線圈的實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)。我們將仿真結(jié)果與目前最先進(jìn)的天線技術(shù)進(jìn)行了對(duì)比和比較，驗(yàn)證了這個(gè)天線配置的優(yōu)勢(shì)。本文提出的有源整流器電路采用 90 nm BCD 工藝設(shè)計(jì)，并能夠根據(jù)工作頻率重新
  • 《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》解析：1300字，NMOS LDO原理！
    《硬件設(shè)計(jì)指南 從器件認(rèn)知到手機(jī)基帶設(shè)計(jì)》解析：1300字，NMOS LDO原理！
    圖2-16是一個(gè)NMOS LDO的基本框圖，在1.4節(jié)中已經(jīng)介紹了NMOS特點(diǎn)，在開關(guān)結(jié)構(gòu)電源中MOS是工作在開關(guān)狀態(tài)，在LDO電源中MOS工作在飽和區(qū)，注意：LDO一定是工作在飽和區(qū)（特殊情況會(huì)在可變電阻區(qū)），所以VG要大于VS，因此NMOS LDO除了有Vi引腳，一般還會(huì)有個(gè)Vbias引腳來給MOS的G極提供高壓驅(qū)動(dòng)源；或者只有一個(gè)Vi，而LDO內(nèi)部集成了CHARGE BUMP (電荷泵)來為G極提供高壓驅(qū)動(dòng)源。
  • 為啥CMOS反相器要優(yōu)于NMOS反相器呢？
    為啥又看反相器呢，因?yàn)橄胱鯬LL，鎖相環(huán)里有PD，PD里面有鎖存器，鎖存器里有NAND，而NAND里又是基于反相器。所以嘍。