MOS管

在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。 具體可以看MOS管的三種基本電路。 共柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電壓增益，輸入電阻和輸出電阻的推導(dǎo)如下圖。 如果考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，則又變成： 從上述推導(dǎo)，可以知道，共柵架構(gòu)的輸入阻抗很小，這使得其很容易達(dá)到50ohm。 不過，RD一方面為偏置電阻，另一方面又是增益的一部分；而作為增益的一部分，希望它越大

產(chǎn)品優(yōu)勢： 強(qiáng)勁功率處理： 額定 100V 漏源電壓 (Vds) 和 15A 連續(xù)漏極電流 (Id)，應(yīng)對中小功率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。 低壓高效驅(qū)動： 專為 5V邏輯電平 優(yōu)化設(shè)計！Vgs(th)低，增強(qiáng)型，在 Vgs=4.5V 時即呈現(xiàn) 低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))。這意味著： 可直接由單片機(jī)、邏輯電路（3.3V/5V系統(tǒng)）高效驅(qū)動，無需復(fù)雜電平轉(zhuǎn)換。顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，減少發(fā)熱。 可靠性： 100% 雪崩測試 (UIS

南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專為常見的 2 串電池 30W 充電寶應(yīng)用進(jìn)行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶提供更安全、更高效的充電體驗(yàn)。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電、自動終止等多種模式，助力客戶實(shí)現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。

在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險。某智能手表產(chǎn)線因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效，返工成本超百萬。本文MDD通過典型故障案例，剖析安裝過程中的五大核心問題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無人機(jī)電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線檢測顯示焊點(diǎn)空洞率達(dá)25%。 機(jī)理分析： 焊接溫度曲線偏差（峰值溫度未達(dá)235℃），導(dǎo)致錫膏與銅層間未形成均勻的IM

在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車OBC模塊因驅(qū)動波形振蕩引發(fā)MOS管過熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率高達(dá)15%。本文結(jié)合典型故障案例，剖析驅(qū)動電路設(shè)計中的四大關(guān)鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅(qū)動波形實(shí)測時出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機(jī)后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線過長（&