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  • 2024，美國“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    2024，美國“科技鐵幕”重傷歐美芯片大廠
    12月2日，美國商務(wù)部工業(yè)與安全局（BIS）發(fā)布半導(dǎo)體出口管制新規(guī)，事無巨細(xì)的新增了140個(gè)實(shí)體清單，涵蓋中國的設(shè)備廠、晶圓廠甚至是投資公司。本輪限制的重點(diǎn)針對(duì)的是國產(chǎn)設(shè)備和HBM領(lǐng)域，新增的關(guān)鍵規(guī)則包括：
  • 突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
    三星電子通過年末人事調(diào)整和組織改編，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺(tái)積電聘請(qǐng)的副社長林俊成下臺(tái)，組織名稱也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。
  • 三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%
    三星正開發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%
    三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場，重點(diǎn)開發(fā)被稱為DRAM市場新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場的未來技術(shù)，因此被稱為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。
  • 存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    存儲(chǔ)廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價(jià)格在整個(gè)11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價(jià)格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計(jì)，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價(jià)下降約 9%。在產(chǎn)品價(jià)格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲(chǔ)旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
  • 外企可在中國封裝HBM2
    外企可在中國封裝HBM2
    美國政府計(jì)劃進(jìn)一步加強(qiáng)對(duì)中國半導(dǎo)體制造設(shè)備出口的限制，該措施預(yù)計(jì)將包括高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）,引發(fā)人們對(duì)韓國半導(dǎo)體公司受到負(fù)面影響的擔(dān)憂。路透社12月2日(當(dāng)?shù)貢r(shí)間)報(bào)道稱，美國政府計(jì)劃于今日宣布對(duì)140家中國企業(yè)實(shí)施新的出口限制。據(jù)悉，來自日本和荷蘭公司的產(chǎn)品將獲得豁免。