近日,日本名古屋大學(xué)(Nagoya University)的一項新研究發(fā)現(xiàn),將氮化鎵(GaN)和鎂(Mg)簡單熱反應(yīng)就會形成獨特的超晶格結(jié)構(gòu)。這是研究人員首次發(fā)現(xiàn)可以將二維金屬層插入塊狀半導(dǎo)體中,這有望提高GaN半導(dǎo)體器件性能。同時這項新結(jié)構(gòu)的發(fā)現(xiàn),打開了半導(dǎo)體材料新型摻雜機制和薄膜材料新型形變機制的兩扇新窗。研究人員將這一發(fā)現(xiàn)稱為“大自然的饋贈”,它可能會開辟新的途徑并激發(fā)該領(lǐng)域更多的基礎(chǔ)研究。