無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝,堅固可靠。 DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10
Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議,共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。