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GaN功率器件

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  • 國產(chǎn)OBC采用GaN!可節(jié)省1500元
    國產(chǎn)OBC采用GaN!可節(jié)省1500元
    11月25日,匯川聯(lián)合動力在官微宣布,他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品,該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成,采用GaN功率器件,達到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的96%充電效率和4.8 kW/L整機功率密度。
  • 泰克先進半導(dǎo)體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
    泰克先進半導(dǎo)體實驗室:量芯微1200V氮化鎵器件的突破性測試
    在泰克先進半導(dǎo)體開放實驗室,2024年8月份,我們有幸見證了量芯微(GaN Power)新一代1200V氮化鎵(GaN)功率器件的動態(tài)參數(shù)測試。量芯微作為全球首家成功流片并量產(chǎn)1200V氮化鎵功率器件的廠商,其最新產(chǎn)品在性能上的顯著提升,不僅展現(xiàn)了技術(shù)的進步,也為我們的客戶帶來了新的解決方案。 測試概覽 今年8月,我們收到了量芯微提供的新一代高壓氮化鎵器件,其額定工作條件提升至1200V/20A(
  • 這家上市公司介入GaN芯片制造
    這家上市公司介入GaN芯片制造
    近日,國內(nèi)將新增一個GaN功率芯片生產(chǎn)項目——8月8日,圓融光電科技股份有限公司發(fā)布公告稱,公司董事會已審議通過了關(guān)于GaN功率HEMT器件項目建設(shè)的議案。據(jù)悉,圓融科技與京皖智慧裝備研究院(馬鞍山)股份有限公司簽署了關(guān)于GaN功率HEMT器件工藝流片及相關(guān)服務(wù)的《項目合作協(xié)議》,未來將進一步推動落實。
  • CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
    CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
    無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過充分驗證的 DFN 封裝,堅固可靠。 DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10
  • CGD與群光電能科技和劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部共同組建GaN生態(tài)系統(tǒng)
    Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與臺灣群光電能科技有限公司(TWSE:6412)和英國劍橋大學(xué)技術(shù)服務(wù)部 (CUTS) 簽署了三方協(xié)議,共同設(shè)計和開發(fā)使用 GaN 的先進、高效、高功率密度適配器和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品。