GaAs

• GaAs晶圓的清洗和表面處理工藝
  

  GaAs晶圓作為常用的一類晶圓，在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類晶圓的清洗和進(jìn)一步的鈍化工作是生產(chǎn)工藝過程中需要關(guān)注的點(diǎn)。

  芯片工藝技術(shù)

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  05/22 09:50

  晶圓 GaAs
• CHA5659-98F高功率放大器UMS
  UMS的CHA5659-98F是款四級(jí)單片GaAs高功率放大器，輸出功率為1.3瓦。CHA5659-98F是極度線性的，具備可能出現(xiàn)的增益控制并集成化功率檢測器。包含ESD保護(hù)。

  leadway01

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  2023/10/08

  放大器 功率放大器
• 地芯科技推出線性CMOS PA，突破30-33dBm區(qū)間GaAs壟斷
  

  近幾年，受到市場驅(qū)動(dòng)以及地緣政治等因素的影響，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)自主研發(fā)熱潮，與此同時(shí)，同質(zhì)化競爭問題不斷涌現(xiàn)，尤其在射頻前端領(lǐng)域怎一個(gè)“卷”字了得。當(dāng)然“卷”也有兩面性，好的一面是充分競爭下的行業(yè)創(chuàng)新動(dòng)力會(huì)更強(qiáng)，而不好的一面是大多數(shù)企業(yè)沒辦法做到技術(shù)迭代和資金流的正向循環(huán)。 圖 | 地芯科技副總裁張頂平 地芯科技副總裁張頂平就此表示：“射頻前端行業(yè)的卷有目共睹，做同樣PA產(chǎn)品的企業(yè)可能就有十幾到二十

  夏珍

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  2023/05/19

  與非觀察 GaAs
• 誰將成為化合物半導(dǎo)體市場贏家？
  與非導(dǎo)語 你中有我，我中有你，卷在一起。 隨著世界對通信、傳感和功率效率的要求越來越高，到2027年，CS（化合物半導(dǎo)體）襯底材料市場將翻一番以上，與硅相比，預(yù)計(jì)用于功率應(yīng)用的SiC的市場份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導(dǎo)體現(xiàn)狀》的觀點(diǎn)。所有的大趨勢都在其路線圖中增加了化合物半導(dǎo)體器件的使用。 用于RF（射頻）GaN的襯底包括硅和S

  文立

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  2023/04/20

  SiC 碳化硅
• GaAlAs/GaAs半導(dǎo)體激光器
  可見光激光器的應(yīng)用是十分廣泛的，甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對應(yīng)的生長工藝。

  芯片工藝技術(shù)

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  2023/03/05

  GaAs 半導(dǎo)體激光器
• GaAs Thin Wafer的強(qiáng)度提升探究
  上幾天研究了一下GaAs的拋光，其實(shí)化合物半導(dǎo)體的拋光都會(huì)面臨薄晶圓強(qiáng)度小，晶圓有著天然的解離鏡像，容易裂片的問題。

  芯片工藝技術(shù)

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  2022/06/27

  GaAs
• 半導(dǎo)體激光器芯片減薄、拋光工藝
  激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，外延厚度2寸的在350um，4寸的在460um左右，到芯片后期，都需要對晶圓進(jìn)行減薄，厚度有做到80um的，也有120um的，通常為兼顧芯片性能和破片良率問題，100um的厚度成為常見厚度。

  芯片工藝技術(shù)

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  2022/06/21

  激光器 GaAs
• 化合物半導(dǎo)體 | GaN和GaAs市場是競爭還是和諧？
  2021年第一季度以來，半導(dǎo)體行業(yè)，確切說是化合物半導(dǎo)體市場發(fā)生了一些引人注目的變化：SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）和GaAs（砷化鎵）均在其中。

  文立

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  2021/11/16

  GaN 氮化鎵
• Peregrine：UltraCMOS高頻產(chǎn)品擴(kuò)展至以往GaAs主導(dǎo)頻段
  Peregrine（派更半導(dǎo)體）規(guī)模并不大，在被村田收購前，營收規(guī)模約為2億美元，是一家小而有特色的射頻技術(shù)公司，派更半導(dǎo)體的特色就在于其UltraCMOS技術(shù)。 派更半導(dǎo)體創(chuàng)始人Ron Reedy 與 Mark Burgener等是RF SOI（射頻絕緣體上硅）技術(shù)的發(fā)明者，UltraCMOS技術(shù)源于Ron Reedy

  與非網(wǎng)記者

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  2017/04/30

  村田 頻段
• 芯思想 | 美國軍用GaN進(jìn)展情況
  2005年，美國國防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)為開始將氮化鎵(GaN)視為砷化鎵(GaAs)的替代品，開始為制造商提供GaN研發(fā)資金，從而開始致力于其發(fā)展?？梢哉f近十年來，電子戰(zhàn)和雷達(dá)最大的變化之一就是材料由GaAs向GaN過渡，度由此帶來功率、可靠性和經(jīng)濟(jì)上的改善。

  趙元闖

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  2017/03/28

  Qorvo GaN
• 高通搶攻GaAs功率放大器市場，穩(wěn)懋為啥也能跟著樂呵
  美國高通（Qualcomm）宣布推出一系列全面性的射頻前端（RFFE）解決方案，包括首度推出砷化鎵（GaAs）多模功率放大器（MMPA）模塊，與首款支持載波聚合（Carrier Aggregation，CA）的動(dòng)態(tài)天線調(diào)諧解決方案。

  與非網(wǎng)記者

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  2017/03/13

  高通 放大器
• 從設(shè)計(jì)、測試到封裝，5G毫米波技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)？
  運(yùn)營商、設(shè)備廠商和芯片廠商正在齊心協(xié)力地推動(dòng)第五代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)（即5G）的制定。5G是現(xiàn)在4G（也稱為長期演進(jìn)項(xiàng)目，Long term evolution，即LTE）移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的下一代，5G數(shù)據(jù)傳輸速率可超過10Gbps，是現(xiàn)在LTE標(biāo)準(zhǔn)的100倍。5G技術(shù)能否成為現(xiàn)實(shí)，現(xiàn)在還是一個(gè)疑問。 不過，5G市場已經(jīng)開始升溫。

  與非網(wǎng)記者

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  1評(píng)論

  2016/07/01

  5G GaN
• 新日本無線：智能手機(jī)仍有利可圖
  2015年的電子產(chǎn)業(yè)主要是由智能手機(jī)和汽車電子配件以及工業(yè)設(shè)備三大領(lǐng)域來引領(lǐng)其發(fā)展。但是，智能手機(jī)行業(yè)受到中國市場增長率下降的影響，器件廠商接受的訂單出現(xiàn)了逐步低落的傾向。雖然如此，但也擋不住一些廠商在智能手機(jī)領(lǐng)域有所斬獲。新日本無線即如此，新日本無線常務(wù)執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部部長村田 隆明表示

  與非網(wǎng)記者

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  2015/12/22

  智能手機(jī) 射頻
• CMOS定江山，射頻工藝之爭到了水落石出的時(shí)候？
  射頻領(lǐng)域圍繞器件工藝一直有很激烈的爭論，放在5年前有廠商提出要用純硅的CMOS工藝器件替代GaAs，在當(dāng)時(shí)可能被視為笑談。RFaxis公司是能夠一路堅(jiān)持下來并看到希望的為數(shù)不多的純CMOS射頻器件公司之一。和高通的合作可以說為RFaxis打開了一扇門，可以進(jìn)入消費(fèi)以及更大的通信市場這片藍(lán)海。

  高揚(yáng)

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  2014/12/18

  射頻 CMOS
• 嘿，芯片設(shè)計(jì)師，你選對工藝了嗎？
  當(dāng)我們把目光投向每天出現(xiàn)在我們的生活中的很多智能系統(tǒng)和小工具 - 從電子書閱讀器到醫(yī)療設(shè)備，從電動(dòng)汽車到混合動(dòng)力車，會(huì)很自然地假設(shè)是由于硅半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展使一切變成可能，相關(guān)的尺寸和功耗的代代下降遵從大名鼎鼎的摩爾定律。

  與非網(wǎng)記者

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  2014/11/24

  芯片 SiC
• 慕展廠商深度解析：Triquint-合并之后的市場機(jī)會(huì)
  雖然官方消息稱之為RFMD對Triquint的收購，但在Triquint大中國區(qū)總經(jīng)理熊挺這里，更愿意稱其為一場合并，因?yàn)閮杉覐S商營收基本是1：1，收購后雙方各持股份也基本是1：1，目前公布的高層人員配比同樣是1：1。但此次合并對整個(gè)射頻領(lǐng)域而言無疑于一次地震，可能改變整個(gè)產(chǎn)業(yè)的競爭格局。

  高揚(yáng)

  1

  2014/03/26

  GaN GaAs

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