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EUV

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極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。

極紫外輻射（EUV）或高能紫外輻射是波長在124nm到10nm之間的電磁輻射，對應(yīng)光子能量為10eV到124eV。自然界中，日冕會產(chǎn)生EUV。人工EUV可由等離子源和同步輻射源得到。主要用途包括光電子譜，對日EUV成像望遠(yuǎn)鏡，光微影技術(shù)。 EUV是最易被空氣吸收的譜段，因此其傳輸環(huán)境需高度真空。收起

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    EUV（極紫外光）掩膜版是現(xiàn)代半導(dǎo)體制造工藝中關(guān)鍵的元件之一，在集成電路的光刻過程中扮演著至關(guān)重要的角色。由于EUV技術(shù)的精密性和高要求，掩膜版的質(zhì)量直接影響到最終成品的良率。而在這些技術(shù)中，清洗掩膜版是一個不可忽視的環(huán)節(jié)。盡管EUV掩膜版的清洗步驟相較于硅片的清洗流程較少，但其面臨的挑戰(zhàn)卻異常復(fù)雜，主要體現(xiàn)在顆粒去除、材料損傷、污染控制等方面。
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    6月6日消息，ASML首席財務(wù)官Roger Dassen近日在 Jefferies證券主持的投資者電話會議上表示，ASML與臺積電的商業(yè)談判即將結(jié)束，預(yù)計在第二季度或第三季度開始獲得“大量” 2nm芯片制造相關(guān)設(shè)備訂單。同時，Jefferies報告稱臺積電已經(jīng)訂購了High NA EUV光刻機(jī)。
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    06/07 11:25
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