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DrMOS

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DrMos技術(shù)屬于Intel在04年推出的服務(wù)器主板節(jié)能技術(shù)，三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。

DrMos技術(shù)屬于Intel在04年推出的服務(wù)器主板節(jié)能技術(shù)，三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。收起

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