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DrMOS

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DrMos技術(shù)屬于Intel在04年推出的服務(wù)器主板節(jié)能技術(shù)，三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。

DrMos技術(shù)屬于Intel在04年推出的服務(wù)器主板節(jié)能技術(shù)，三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。收起

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  • 分析和仿真PCB 交流電阻損耗，優(yōu)化DrMOS核心電壓
    同步降壓變換器的主要功率損耗可歸納為有源元件損耗（MOSFET 直流和開關(guān)損耗、MOSFET 驅(qū)動(dòng)器損耗）、無源元件損耗（電感直流電阻、交流電阻和核心損耗、電容等效串聯(lián)電阻損耗）和印刷電路板損耗（PCB 直流電阻和交流電阻損耗）。
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    現(xiàn)階段，多核架構(gòu)使微處理器在水平尺度上變得更密集、更快速，令這些器件所需功率急劇增加，直接導(dǎo)致向微處理器供電的穩(wěn)壓器模塊(VRM)的升級(jí)需求：一是穩(wěn)壓器的功率密度（單位體積的功率）升級(jí)，為了在有限空間中滿足系統(tǒng)的高功率要求，必須大幅提高功率密度；另一是功率轉(zhuǎn)換效率提升，高效率可降低功率損耗并改善熱管理。
  • 何謂 DrMOS ?
    一家電信產(chǎn)品制造商需要一個(gè) 5V 輸入、1V 輸出、負(fù)載能力為 30A 的電壓轉(zhuǎn)換器為其 FPGA 供電，我推薦了 RT2702。
  • DrMOS
    DrMOS（Driver and MOSFET）是一種集成了驅(qū)動(dòng)器和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的功率模塊，常用于電源供應(yīng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和其他高功率應(yīng)用中。DrMOS技術(shù)的出現(xiàn)極大地改進(jìn)了功率轉(zhuǎn)換和管理領(lǐng)域的設(shè)計(jì)和性能。