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DDR4

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DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。

DDR4內(nèi)存是新一代的內(nèi)存規(guī)格。2011年1月4日，三星電子完成第一條DDR4內(nèi)存。DDR4相比DDR3最大的區(qū)別有三點(diǎn)：16bit預(yù)取機(jī)制（DDR3為8bit），同樣內(nèi)核頻率下理論速度是DDR3的兩倍；更可靠的傳輸規(guī)范，數(shù)據(jù)可靠性進(jìn)一步提升；工作電壓降為1.2V，更節(jié)能。收起

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    07/03 14:54
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    不久前，有媒體報(bào)道三星和 SK 海力士最終將永久關(guān)閉各自的 DDR3 生產(chǎn)線，兩家韓國(guó)存儲(chǔ)制造商可能在今年下半年停止向市場(chǎng)供應(yīng) DDR3 內(nèi)存。隨后市場(chǎng)傳出DDR3產(chǎn)品漲價(jià)的消息。兩家公司做出這一改變的理由并不難理解，AI火熱的當(dāng)下，相關(guān)內(nèi)存供不應(yīng)求。為了利潤(rùn)率，搶占未來十年的市場(chǎng)，存儲(chǔ)巨頭們發(fā)力HBM和DDR5等產(chǎn)品也不難理解。