加入星計劃,您可以享受以下權(quán)益:

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

負載電容

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。

負載電容是指晶振的兩條引線連接IC塊內(nèi)部及外部所有有效電容之和,可看作晶振片在電路中串接電容。收起

查看更多

設(shè)計資料

查看更多
  • 理解晶體負載電容(CL)與PCBA負載電容的關(guān)系
    晶發(fā)電子專注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時鐘晶振、有源晶振、無源晶振等,產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過硬,價格好,交期快.國產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 在振蕩器電路的設(shè)計中,晶體負載電容(CL)與印刷電路板(PCBA)負載電容的關(guān)系是確保振蕩器輸出頻率無偏差的關(guān)鍵因素。以下是關(guān)于這兩種負載電容關(guān)系的詳細解釋。 晶體負載電容(CL)的作用 晶體負載電
  • 如何正確計算并使用晶振的外接負載電容
    晶發(fā)電子專注17年晶振生產(chǎn),晶振產(chǎn)品包括石英晶體諧振器、振蕩器、貼片晶振、32.768Khz時鐘晶振、有源晶振、無源晶振等,產(chǎn)品性能穩(wěn)定,品質(zhì)過硬,價格好,交期快.國產(chǎn)晶振品牌您值得信賴的晶振供應(yīng)商。 晶體振蕩器(晶振)是電子設(shè)備中常用的頻率源,其性能的穩(wěn)定性很大程度上取決于外接負載電容的選擇。然而,直接使用晶振規(guī)格書上的負載電容CL值并不是一個準確的做法。以下是如何正確計算并使用晶振外接負載電容
  • 外接電容越大晶振起振越慢?
    首先說明的是:但凡需要外接電容的晶振均為無源晶振。另外,注意區(qū)分外接電容C1和C2(接地電容,對地電容)并不等同于晶振負載電容(CL)。C1和C2是電路板和包括IC和晶振在內(nèi)的組件的總電容值。
  • 負載電容對晶振頻率穩(wěn)定性的影響
    在電子系統(tǒng)中,晶振是產(chǎn)生精確頻率的關(guān)鍵元件,而負載電容是影響晶振頻率穩(wěn)定性的重要因素之一。本文將深入探討負載電容對晶振頻率穩(wěn)定性的影響,并分析如何通過合理的選擇和設(shè)計來減小這種影響。
  • 晶振參數(shù)中的負載電容CL是什么?
    在晶振的振蕩電路中,負載電容CL是指連接到無源晶振頻率引腳終端上的電容總數(shù)。CL值取決于外部電容器CL1、CL2和雜散電容Cs。對于晶振單體而言,負載電容CL則屬于它本身重要電氣參數(shù)之一,由晶振制造商給出,可在晶振數(shù)據(jù)手冊中找到。