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英諾賽科

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英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。

英諾賽科是一家致力于第三代半導(dǎo)體硅基氮化鎵外延及器件研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，采用IDM（Integrated Device Manufacture）全產(chǎn)業(yè)鏈模式，建立了全球首條產(chǎn)能最大的8英寸 GaN-on-Si 晶圓量產(chǎn)線。 收起

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  • 12家半導(dǎo)體企業(yè)IPO提速！
    12家半導(dǎo)體企業(yè)IPO提速！
    臨近年末，12家半導(dǎo)體企業(yè)包括天域半導(dǎo)體、杰理科技、黃山谷捷、頂立科技、勝科納米、英韌科技、英諾賽科等IPO進(jìn)程加速，涉及領(lǐng)域涵蓋存儲(chǔ)、制造、設(shè)計(jì)、第三代半導(dǎo)體材料等。
  • 英諾賽科即將登陸港股：氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一！
    英諾賽科即將登陸港股：氮化鎵分立器件累計(jì)出貨量全球第一！
    氮化鎵龍頭大廠英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）于今年6月正式向香港證券交易所遞交了IPO上市申請(qǐng)之后，12月12日晚間，根據(jù)港交所披露的信息顯示，英諾賽科已經(jīng)通過上市聆訊，并披露聆訊后資料集。
  • 引領(lǐng)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)變革 氮化鎵龍頭英諾賽科港股招股中
    近年來，隨著新能源產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，以及智能制造、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的興起，功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)需求增長(zhǎng)迅猛。其中，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，憑借優(yōu)秀的物理性能和廣泛的下游應(yīng)用場(chǎng)景，已成為推動(dòng)功率半導(dǎo)體行業(yè)變革的核心驅(qū)動(dòng)力。 在這一領(lǐng)域，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（「英諾賽科」或「公司」，2577.HK）是公認(rèn)的頭部企業(yè)，憑借強(qiáng)大的技術(shù)專長(zhǎng)和前瞻布局，穩(wěn)居行業(yè)領(lǐng)先地位。12月18日至1
  • 200億芯片獨(dú)角獸，闖關(guān)IPO有多難？
    200億芯片獨(dú)角獸，闖關(guān)IPO有多難？
    又一個(gè)芯片明星獨(dú)角獸奔赴IPO了。近日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）向港交所遞交招股書，擬主板IPO上市，中金公司、招銀國(guó)際為其聯(lián)席保薦人。
    1659
    08/29 10:45
  • 英飛凌對(duì)英諾賽科提起追加訴訟，并向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)起訴
    英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于2024年7月23日在美國(guó)加利福尼亞北區(qū)地方法院，對(duì)英諾賽科（珠海）科技有限公司、英諾賽科美國(guó)公司及其關(guān)聯(lián)公司（以下簡(jiǎn)稱：英諾賽科）在現(xiàn)有訴訟基礎(chǔ)上，追加了新的訴訟請(qǐng)求，指控其侵犯了英飛凌擁有的另外三項(xiàng)與氮化鎵（GaN）技術(shù)相關(guān)的專利。此外，英飛凌今日還向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)（USITC）起訴，就前述訴訟所涉的四項(xiàng)相同專利提出