加入星計劃，您可以享受以下權(quán)益：

  • 創(chuàng)作內(nèi)容快速變現(xiàn)
  • 行業(yè)影響力擴散
  • 作品版權(quán)保護
  • 300W+ 專業(yè)用戶
  • 1.5W+ 優(yōu)質(zhì)創(chuàng)作者
  • 5000+ 長期合作伙伴
立即加入

絕緣柵雙極晶體管

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。

絕緣柵雙極晶體管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）綜合了電力晶體管（Giant Transistor—GTR）和電力場效應(yīng)晶體管（Power MOSFET）的優(yōu)點，具有良好的特性，應(yīng)用領(lǐng)域很廣泛；IGBT也是三端器件：柵極，集電極和發(fā)射極。收起

查看更多

設(shè)計資料

查看更多
  • 浮思特| IGBT的驅(qū)動電路及短路保護
    絕緣柵雙極晶體管（以下簡稱IGBT）是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，融合了MOSFET的快速開關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡單的驅(qū)動電路和有利的熱特性等優(yōu)點，同時還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓等優(yōu)勢。因此，IGBT是一種理想的開關(guān)器件，可以替代GTR，廣泛應(yīng)用于各種需要具備關(guān)閉能力的應(yīng)用領(lǐng)域，如各種固態(tài)電源供應(yīng)系統(tǒng)。
  • 浮思特| 絕緣柵雙極晶體管——IGBT，認(rèn)識其原理及其應(yīng)用
    絕緣柵雙極晶體管只需通過激活和停用其柵極端子即可“開啟”或“關(guān)閉”。在柵極和發(fā)射極之間施加正輸入電壓信號將使器件保持在“ON”狀態(tài)，而使輸入柵極信號為零或稍微為負(fù)將導(dǎo)致其以與雙極晶體管大致相同的方式關(guān)閉“OFF”或eMOSFET。IGBT的另一個優(yōu)點是它的通態(tài)溝道電阻比標(biāo)準(zhǔn)MOSFET低得多。
  • 絕緣柵雙極晶體管
    絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子設(shè)備和工業(yè)控制系統(tǒng)中。它集成了雙極晶體管（BJT）和金屬氧化物場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的優(yōu)點，在高壓、高電流和高頻率條件下工作。IGBT具有可靠性高、開關(guān)速度快和低功耗等特點，因此被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電機驅(qū)動、變頻器、逆變器、電子焊接和電源系統(tǒng)等。