測(cè)試技術(shù)

在當(dāng)今快速發(fā)展的電子行業(yè)中，硬件設(shè)備的電磁兼容性（EMC）已成為衡量其質(zhì)量和性能的重要指標(biāo)之一。EMC不僅關(guān)乎設(shè)備自身的穩(wěn)定運(yùn)行，還直接影響到周?chē)娮釉O(shè)備的正常工作。因此，硬件測(cè)試中的EMC整改顯得尤為重要。

在科技日益發(fā)展的今天，電子設(shè)備已成為我們生活中不可或缺的一部分。然而，這些精密的設(shè)備往往容易受到電力波動(dòng)的損害，特別是突如其來(lái)的浪涌電壓。浪涌電壓是指在電路中短時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)的電壓峰值，可能由雷擊、開(kāi)關(guān)操作或電網(wǎng)故障引起。為了保護(hù)電子設(shè)備免受浪涌電壓的破壞，浪涌測(cè)試應(yīng)運(yùn)而生。

在當(dāng)今電子產(chǎn)品日新月異的時(shí)代，電磁兼容性（EMC）已成為衡量設(shè)備質(zhì)量與性能的重要指標(biāo)之一。EMC測(cè)試旨在驗(yàn)證電子產(chǎn)品在電磁環(huán)境中的正常運(yùn)行能力，同時(shí)不對(duì)周?chē)O(shè)備產(chǎn)生不可接受的電磁干擾。然而，面對(duì)日益嚴(yán)格的國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)和市場(chǎng)需求，許多產(chǎn)品在初次EMC測(cè)試中難以達(dá)標(biāo)，這就需要進(jìn)行EMC測(cè)試整改。

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電磁兼容性（EMC）問(wèn)題日益凸顯，對(duì)產(chǎn)品的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生了嚴(yán)重影響。因此，EMC測(cè)試整改成為了電子產(chǎn)品研發(fā)過(guò)程中不可或缺的一環(huán)。今日，深圳比創(chuàng)達(dá)電子小編將從EMC測(cè)試整改的原理、方法、實(shí)踐案例以及注意事項(xiàng)等方面的內(nèi)容進(jìn)行深入探討，大家一起來(lái)了解下吧。

DDR SDRAM，是一種雙數(shù)據(jù)速率(DDR)同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(SDRAM)。作為現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)里最重要的核心部件之一，應(yīng)用十分廣泛。從消費(fèi)類(lèi)電子到商業(yè)工業(yè)類(lèi)設(shè)備，從終端產(chǎn)品到數(shù)據(jù)中心，用于CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)處理運(yùn)算的緩存。近20多年來(lái)，經(jīng)歷了從SDRAM發(fā)展到DDR RAM，又從DDR發(fā)展到目前的DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步，極大地推動(dòng)了計(jì)算性能的提升。