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微結構不均勻性（負載效應）及其對器件性能的影響：對先進DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究

在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。

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2021/08/23

dram 晶體管
柵極電流

柵極電流（Gate current）是指在場效應管、晶體管等半導體器件中，從柵極（Gate）流入或流出的電流。它在半導體器件的工作過程中起到重要的作用，對器件的性能和穩(wěn)定性具有重要影響。

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2023/05/25

電流柵極
柵極

柵極是一種用于控制場效應管或金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）等電子器件的元件。它通常是一個金屬片或一組金屬線構成的網(wǎng)格，位于器件的通道和漏極之間。

wx喵不二~

1.2萬

2023/05/10

柵極
MOS管的柵極G、源極S、漏極D的判斷方法

MOS場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種重要的器件。它由柵極（Gate）、源極（Source）、漏極（Drain）三個主要引腳組成。

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11/06 11:46

場效應晶體管 MOS場效應管
柵極的檢測方法門極和柵極的區(qū)別

晶體管是現(xiàn)代電子技術中常用的一種電子元件，而晶體管中的柵極也是十分重要的組成部分之一。下面我們來了解一下柵極的檢測方法以及門極和柵極的區(qū)別。

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2023/04/20

柵極

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