雜散電感

• 如何測量功率回路中的雜散電感
  

  影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動態(tài)特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。

  英飛凌工業(yè)半導體

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  03/07 10:50

  IGBT 雜散電感
• 雜散電感
  雜散電感是指在電路中由于電磁感應作用而產生的不需要的電感。它們會導致信號傳輸時的干擾和能量損耗。通常情況下，設計師們會盡力減小雜散電感的影響。

  wx喵不二~

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  2023/05/10

  雜散電感
• 雜散電感產生的原因 怎么降低雜散電感
  雜散電感是電路中不可避免的一種電磁干擾。當電流在電路中通過時，會產生磁場，而當磁場發(fā)生變化時則會產生電動勢，從而導致電磁波的輻射。這種雜散電感會對電子系統(tǒng)性能產生負面影響，例如造成信號失真、干擾傳輸等。本文將分別介紹雜散電感的產生原因以及降低雜散電感的方法。

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  2023/06/21

  電磁干擾 雜散電感

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