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晶圓檢測

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  • 怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料?
    怎么制備半導(dǎo)體晶圓片切割刃料?
    半導(dǎo)體晶圓片切割刃料的制備是一個(gè)復(fù)雜而精細(xì)的過程,以下是一種典型的制備方法: 一、原料準(zhǔn)備 首先,需要準(zhǔn)備高純度的原料,如綠碳化硅和黑碳化硅。這些原料具有高硬度、高耐磨性和高化學(xué)穩(wěn)定性,是制備切割刃料的理想選擇。 二、破碎與篩分 顎式破碎:將原料放入顎式破碎機(jī)中進(jìn)行初步破碎,得到一定粒度的顆粒。 篩分:通過篩分設(shè)備將破碎后的顆粒進(jìn)行分級,篩選出符合要求的粒度范圍。 三、濕法球磨分級 將篩分后的顆粒
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    降低晶圓TTV(Total Thickness Variation,總厚度變化)的磨片加工方法主要包括以下幾種: 一、采用先進(jìn)的磨削技術(shù) 硅片旋轉(zhuǎn)磨削: 原理:吸附在工作臺上的單晶硅片和杯型金剛石砂輪繞各自軸線旋轉(zhuǎn),砂輪同時(shí)沿軸向連續(xù)進(jìn)給。砂輪直徑大于被加工硅片直徑,其圓周經(jīng)過硅片中心。 優(yōu)點(diǎn):單次單片磨削,可加工大尺寸硅片;磨削力相對穩(wěn)定,通過調(diào)整砂輪轉(zhuǎn)軸和硅片轉(zhuǎn)軸之間的傾角可實(shí)現(xiàn)單晶硅片面型的
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    學(xué)員問:在晶圓清洗后,我們?nèi)绾螠y量晶圓表面的金屬離子是否洗干凈?金屬離子濃度為什么要嚴(yán)格控制?金屬離子在電場作用下容易發(fā)生遷移。如Li?,Na?、K?等可遷移到柵氧化層,導(dǎo)致閾值電壓下降。
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    學(xué)員問:在裸晶圓上,顆粒的檢測是如何實(shí)現(xiàn)的?比較經(jīng)典的顆粒檢測機(jī)臺有哪些?顆粒檢測用什么光源?激光。激光束掃描旋轉(zhuǎn)中的晶圓表面,在無顆粒的光滑表面上,激光束發(fā)生鏡面反射,當(dāng)激光遇到顆粒時(shí),部分入射光線會向各個(gè)方向散射。在暗場照明中,散射光可以直接檢測;在明場照明中,可以通過檢測鏡面反射光強(qiáng)度的變化來表示。
  • 蘇試宜特,芯片電路修改能力達(dá)到5nm制程
    蘇試宜特,芯片電路修改能力達(dá)到5nm制程
    集成電路作為現(xiàn)代電子設(shè)備的核心,其質(zhì)量和性能直接關(guān)系到電子產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展,離不開集成電路檢測行業(yè)的支持,第三方檢測機(jī)構(gòu)以其專業(yè)化服務(wù)、技術(shù)中立性等優(yōu)勢,逐漸成為產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)。 2024年6月5日-6月7日,在2024世界半導(dǎo)體大會暨南京國際半導(dǎo)體博覽會上,本土集成電路第三方檢測公司蘇試宜特展示了其眾多解決方案,包括加速客戶產(chǎn)品上市的失效分析整合服務(wù)、集成電
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