近年來,電動(dòng)汽車的興起帶動(dòng)了寬禁帶器件的應(yīng)用,并逐漸滲透到各個(gè)市場。目前,工業(yè)電機(jī)主要使用逆變器來提高能效等級(jí),這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時(shí)存在一些限制,如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起,寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機(jī)的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能。《電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件》白皮書共18頁,主要探討了采用碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)寬禁帶器件對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計(jì)問題。