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半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)解讀，多維度呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)形態(tài)、發(fā)展脈絡(luò)、企業(yè)生存現(xiàn)狀，機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，一期一會(huì)，深度呈現(xiàn)。

半導(dǎo)體和電子產(chǎn)業(yè)的詳細(xì)解讀，多維度呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)形態(tài)、發(fā)展脈絡(luò)、企業(yè)生存現(xiàn)狀，機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)，一期一會(huì)，深度呈現(xiàn)。收起

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  • 2024年度本土半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)重組TOP榜
    2024年度本土半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)重組TOP榜
    從歷史經(jīng)驗(yàn)來看，典型的半導(dǎo)體公司有三大成長(zhǎng)階段：（1）主業(yè)產(chǎn)品持續(xù)迭代帶來的單價(jià)、盈利能力、份額提升；（2）品類擴(kuò)張帶來的空間提升；（3）業(yè)務(wù)領(lǐng)域的拓展延伸。企業(yè)發(fā)展成熟后通過并購(gòu)來整合資源、提升市場(chǎng)占有率是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的必然趨勢(shì)，也是中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)走向世界所必不可少的步驟。 從2024年電子與半導(dǎo)體行業(yè)并購(gòu)來看，晶圓代工、封裝制造占比較大，面板領(lǐng)域并購(gòu)也較為突出。并購(gòu)和投資金額以10億-100
  • 誰(shuí)在深度綁定豆包APP？國(guó)內(nèi)3家AI耳機(jī)芯片公司對(duì)比
    誰(shuí)在深度綁定豆包APP？國(guó)內(nèi)3家AI耳機(jī)芯片公司對(duì)比
    據(jù)統(tǒng)計(jì)，2024年11月份，豆包APP DAU（日活躍用戶數(shù)）接近900萬(wàn)，增長(zhǎng)率超過15%。豆包APP的累計(jì)用戶規(guī)模已成功超越1.6億，每日平均新增用戶下載量穩(wěn)定維持在80萬(wàn)，成為國(guó)內(nèi)能對(duì)標(biāo)GPT的大模型AI APP，目前在全球排名第二、國(guó)內(nèi)排名第一。豆包大模型已經(jīng)與八成主流汽車品牌合作，并接入到多家手機(jī)、PC等智能終端，覆蓋終端設(shè)備約3億臺(tái)，來自智能終端的豆包大模型調(diào)用量在半年時(shí)間內(nèi)增長(zhǎng)100
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    12/20 10:18
  • EDA企業(yè)分析之一：華大九天
    EDA企業(yè)分析之一：華大九天
    EDA故事的起點(diǎn)是在上世紀(jì)70年代，在經(jīng)歷了pre-EDA時(shí)期、EDA 1.0時(shí)期、EDA 2.0時(shí)期，到現(xiàn)在正在探索的EDA3.0 EDAaaS。這幾十年中，伴隨著行業(yè)主流企業(yè)的浮浮沉沉，EDA商業(yè)模式也在發(fā)生轉(zhuǎn)變，但其中不變的是對(duì)關(guān)鍵技術(shù)的深耕，用拳頭產(chǎn)品來錨定進(jìn)而整合出全流程的平臺(tái)，使得以核心技術(shù)為主的發(fā)展路線至今仍然充滿創(chuàng)新生命力。
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    12/12 16:05
  • 2024年終盤點(diǎn)：座艙芯片回歸群雄混戰(zhàn)
    2024年終盤點(diǎn)：座艙芯片回歸群雄混戰(zhàn)
    引言 2024年，智能座艙芯片行業(yè)迎來了技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)展的關(guān)鍵一年。伴隨著新能源汽車的普及、汽車智能化水平的提升，以及消費(fèi)者對(duì)車內(nèi)體驗(yàn)的高期望，智能座艙芯片市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。國(guó)內(nèi)外廠商通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)品升級(jí)與市場(chǎng)拓展，加速了行業(yè)發(fā)展，推動(dòng)智能座艙逐步從“輔助工具”邁向“智能生態(tài)”。 ? 2024智能座艙芯片年度新聞TOP7 TOP7 新能源車與智能座艙融合度加深 新聞事件：主流新能源車
  • 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
    隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納
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    12/10 09:18