三星電子

• 敲定！4家半導(dǎo)體巨頭，“瓜分”527億元
  

  近日，多家半導(dǎo)體巨頭與美國(guó)商務(wù)部達(dá)成最終協(xié)議，敲定了最終補(bǔ)助金額，包括三星電子（47.45億美元）、SK海力士（4.58億美元）、德州儀器（16.1億美元）、以及Amkor子公司Amkor Technology Arizona（4.07億美元），合計(jì)金額為72.2億美元（約合人民幣526.82億元）。

  全球半導(dǎo)體觀察

  819

  12/24 11:50

  德州儀器 三星電子
• 博通與SK海力士、三星合作開(kāi)發(fā)HBM4
  

  據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)12月23日消息，博通正在與SK海力士、三星電子合作開(kāi)發(fā)第6代HBM4。今年上半年，博通開(kāi)始為包括美光在內(nèi)的三個(gè)HBM制造商測(cè)試第五代HBM3E質(zhì)量，同時(shí)也在加快確保下一代HBM供應(yīng)鏈的進(jìn)程。

  芯片說(shuō) IC TIME

  552

  12/24 09:04

  三星電子 SK海力士
• 又一先進(jìn)封裝項(xiàng)目泡湯
  

  三星電子預(yù)計(jì)將加快在美國(guó)的投資和代工業(yè)務(wù)。這是一項(xiàng)戰(zhàn)略決定，旨在回應(yīng)人們對(duì)特朗普第二任期后美國(guó)政策也將發(fā)生變化的擔(dān)憂。

  芯片說(shuō) IC TIME

  364

  12/24 08:57

  三星電子 先進(jìn)封裝
• 存儲(chǔ)大廠績(jī)效獎(jiǎng)金倍增，創(chuàng)新高！
  

  三星電子將向負(fù)責(zé)半導(dǎo)體的設(shè)備解決方案（DS）部門(mén)的內(nèi)存部門(mén)支付有史以來(lái)最大的績(jī)效獎(jiǎng)金。三星電子12月20日通過(guò)內(nèi)部網(wǎng)絡(luò)披露了今年下半年各業(yè)務(wù)部門(mén)的“目標(biāo)成就激勵(lì)”（TAI，原PI）支付率。TAI是三星的績(jī)效獎(jiǎng)金制度之一，上半年和下半年最高支付每月基本工資的100%。

  芯片說(shuō) IC TIME

  566

  12/23 11:30

  三星電子 存儲(chǔ)廠商
• 三星緊急召回全球9大區(qū)域總經(jīng)理
  據(jù)證實(shí)，三星電子已召集所有九家海外子公司的負(fù)責(zé)人開(kāi)始緊急管理策略審查，以應(yīng)對(duì)內(nèi)部和外部的不確定性。這是自2019年疫情爆發(fā)前以來(lái)，時(shí)隔五年，三星電子在年終全球戰(zhàn)略會(huì)議上與所有海外高管進(jìn)行面對(duì)面的會(huì)議。隨著韓元兌美元匯率穩(wěn)定在1美元兌1400韓元左右，以及唐納德·特朗普政府第二任期的就職，緊急燈已經(jīng)亮起。

  芯片說(shuō) IC TIME

  508

  12/19 08:55

  三星電子
• 突發(fā)！三星又換HBM封裝負(fù)責(zé)人
  

  三星電子通過(guò)年末人事調(diào)整和組織改編，對(duì)HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）制造核心工序封裝（Packaging）組織進(jìn)行了變化，從臺(tái)積電聘請(qǐng)的副社長(zhǎng)林俊成下臺(tái)，組織名稱(chēng)也改為“系統(tǒng)封裝實(shí)驗(yàn)室”，繼續(xù)開(kāi)發(fā)新一代HBM——HBM4封裝技術(shù)。

  芯片說(shuō) IC TIME

  762

  12/14 10:55

  三星電子 HBM
• 三星正開(kāi)發(fā)移動(dòng)HBM，能效提高70%
  

  三星電子正致力于下一代半導(dǎo)體市場(chǎng)，重點(diǎn)開(kāi)發(fā)被稱(chēng)為DRAM市場(chǎng)新星的“LLW（Low Latency Wide IO）DRAM”。LLW具有數(shù)據(jù)處理速度快、功耗低的特點(diǎn)，是比現(xiàn)有低功耗DRAM性能更高的產(chǎn)品。它被認(rèn)為是針對(duì)設(shè)備上人工智能市場(chǎng)的未來(lái)技術(shù)，因此被稱(chēng)為“移動(dòng)HBM（高帶寬內(nèi)存）”。

  芯片說(shuō) IC TIME

  858

  12/11 10:10

  三星電子 HBM
• 3200億晶圓大廠建設(shè)成本飆漲
  

  “我們請(qǐng)您考慮與德克薩斯州泰勒晶圓廠合作，盡管美國(guó)政府計(jì)劃提供大量資金注入和補(bǔ)貼支持，但運(yùn)營(yíng)該晶圓廠還有很多工作要做?！比请娮影雽?dǎo)體(DS)部門(mén)新任代工部門(mén)負(fù)責(zé)人Jinman Han 于12月9日向該部門(mén)員工講述了投資正在建設(shè)的美國(guó)泰勒代工工廠的重要性，該工廠總投資約440億美元（3192.904億元人民幣），目標(biāo)是2026年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)。

  芯片說(shuō) IC TIME

  829

  12/11 09:05

  三星電子 晶圓代工廠
• 晶圓大廠4nm良率達(dá)70%
  

  三星電子晶圓代工部門(mén)將其主要工藝4納米的良率提高了近70%，并已開(kāi)始進(jìn)行積極的客戶銷(xiāo)售。據(jù)業(yè)內(nèi)人士12月9日透露，三星電子代工4納米工藝的良率據(jù)稱(chēng)近期已經(jīng)接近70%。去年年初只有30%左右，但最近兩年過(guò)去了，已經(jīng)穩(wěn)定下來(lái)，提高到了近70%。此前，Trend Force等一些市場(chǎng)研究公司宣稱(chēng)，截至去年底，三星電子代工廠的4納米工藝良率達(dá)到了75%，但實(shí)際上，根據(jù)一家研究機(jī)構(gòu)的數(shù)據(jù)，最近這一數(shù)字已經(jīng)提高到近70%。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1147

  12/11 08:57

  晶圓代工 三星電子
• 三星晶圓代工2025年策略曝光
  

  被任命為三星電子晶圓代工業(yè)務(wù)部門(mén)新任負(fù)責(zé)人的韓鎮(zhèn)萬(wàn)（Jinman Han）社長(zhǎng)在首次演講中宣布，他將重點(diǎn)關(guān)注“2納米工藝良率的顯著提高”和“擴(kuò)大成熟工藝業(yè)務(wù)”。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1181

  12/10 10:55

  晶圓代工 三星電子
• 1500億晶圓大廠開(kāi)始訂購(gòu)設(shè)備
  

  三星電子開(kāi)始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關(guān)合作伙伴訂購(gòu)了生產(chǎn)設(shè)備，安裝工作將于明年2月左右開(kāi)始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵要素，因此看來(lái)正在為及時(shí)量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準(zhǔn)備。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1115

  12/10 09:52

  dram 三星電子
• 又有2位芯片獵頭被起訴！21人被審判！
  

  關(guān)于三星電子20納米DRAM半導(dǎo)體加工技術(shù)被泄露一案，韓國(guó)警方將安排韓國(guó)半導(dǎo)體專(zhuān)家跳槽至國(guó)外公司的三名獵頭公司代表移交給韓國(guó)檢方。至此，韓國(guó)警方對(duì)韓國(guó)三星電子前高管泄密半導(dǎo)體工藝技術(shù)事件的調(diào)查似乎即將結(jié)束。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1030

  12/04 09:30

  三星電子 半導(dǎo)體技術(shù)
• 晶圓大廠100名高管被裁，最快今日公布
  

  三星電子預(yù)計(jì)將在2025年開(kāi)始大規(guī)模裁員，預(yù)計(jì)將于11月29日進(jìn)行半導(dǎo)體（DS）部門(mén)約100名高管被裁。三星半導(dǎo)體一年內(nèi)有100多名高管退休，這是史無(wú)前例的。有人擔(dān)心，更多的高管會(huì)選擇去國(guó)外，而不是數(shù)量有限的韓國(guó)公司。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1409

  11/29 14:06

  三星電子
• 晶圓大廠人事地震：3位CEO變更！
  

  三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕通過(guò)更換IT電子部門(mén)負(fù)責(zé)人的職位開(kāi)始了改革。三星全球研究院成立了新的總裁級(jí)組織管理審計(jì)辦公室，并任命了前未來(lái)戰(zhàn)略室成員崔潤(rùn)浩為三星SDI總裁。

  芯片說(shuō) IC TIME

  2706

  11/29 11:30

  三星電子
• 晶圓大廠高管地震：2人晉升、7人變更！
  

  11月27日，三星電子宣布對(duì)2025屆總裁進(jìn)行例行人事變動(dòng)，共有9人，其中2人晉升為總裁，7人職責(zé)變更。陷入危機(jī)的三星實(shí)施了總裁改組，重點(diǎn)是存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。未來(lái)，內(nèi)存業(yè)務(wù)將由 CEO 和副會(huì)長(zhǎng)直接管理，而不設(shè)單獨(dú)的總裁。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1417

  11/27 14:46

  三星電子
• 三星已通知部分高管卸任，最快明日公布
  

  據(jù)悉，三星電子最早將于11月27日進(jìn)行年終人事變動(dòng)。由于三星電子會(huì)長(zhǎng)李在镕透露了克服危機(jī)的強(qiáng)烈意愿，預(yù)計(jì)重點(diǎn)將放在恢復(fù)三星的超高競(jìng)爭(zhēng)力上。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1767

  11/26 15:20

  三星電子
• 半導(dǎo)體巨頭敗訴，需賠8.55億！
  

  路透社報(bào)道稱(chēng)，美國(guó)法院陪審團(tuán)判決三星電子在專(zhuān)利侵權(quán)訴訟中向美國(guó)半導(dǎo)體公司 Netlist 支付 1.18 億美元（8.55億元人民幣）的賠償金。據(jù)路透社11月22日（當(dāng)?shù)貢r(shí)間）報(bào)道，德克薩斯州馬歇爾市聯(lián)邦法院的陪審團(tuán)就兩家公司就高性能內(nèi)存產(chǎn)品數(shù)據(jù)處理改進(jìn)技術(shù)的專(zhuān)利訴訟做出了這一裁決。

  芯片說(shuō) IC TIME

  1194

  11/25 08:50

  三星電子
• 可持續(xù)內(nèi)生增長(zhǎng) 晶科電子處價(jià)值洼地
  伴隨四季度港股IPO市場(chǎng)景氣度回升，年度 「超購(gòu)?fù)酢咕Э齐娮樱?551.HK）的憑借驚艷表現(xiàn)，成為市場(chǎng)矚目的焦點(diǎn)。高達(dá)5,678倍的公開(kāi)發(fā)售認(rèn)購(gòu)倍數(shù)，不僅打破了科技類(lèi)企業(yè)港股IPO的歷史記錄，也讓公司成為港股IPO史上僅次于毛記葵涌的唯二超過(guò)5,000倍的新股。目前晶科電子股價(jià)位于4元區(qū)間，仍處價(jià)值洼地，看漲未來(lái)長(zhǎng)期估值。 根據(jù)公司招股書(shū)，未來(lái)三年，公司也擬根據(jù)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)及現(xiàn)金流量狀況采用不低于派息

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  543

  11/20 08:12

  led 三星電子
• ?關(guān)于斷供7nm的調(diào)研與分析
  

  近期，臺(tái)積電與三星相繼斷供7nm及以下制程的AI芯片代工，這次制裁有哪些要點(diǎn)，將來(lái)會(huì)產(chǎn)生哪些影響？此次制裁略有異常，以前是美國(guó)BIS出臺(tái)禁令，相關(guān)國(guó)際企業(yè)執(zhí)行。而此次美國(guó)政府尚未發(fā)表禁令，相關(guān)企業(yè)已經(jīng)落地執(zhí)行。芯謀研究了解到的制裁細(xì)節(jié)如下：

  芯謀研究

  3743

  11/20 09:20

  臺(tái)積電 AI芯片
• 是德科技助力三星電子成功驗(yàn)證 FiRa? 2.0 安全測(cè)距測(cè)試用例
  

  是德科技（NYSE: KEYS ）成功助力三星電子，在其Exynos Connect U100芯片組上驗(yàn)證了FiRa? 2.0安全測(cè)試用例。此次驗(yàn)證得益于是德科技提供的超寬帶 （UWB）測(cè)試解決方案，該方案符合物理層一致性測(cè)試的各項(xiàng)要求。 是德科技助力三星電子成功驗(yàn)證 FiRa? 2.0 安全測(cè)距測(cè)試用例 UWB 作為一種低功耗無(wú)線電技術(shù)，能夠在寬頻譜范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)短距離和高帶寬的通信。在處于高密度且

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  614

  11/18 07:27

  三星電子 是德科技

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