英飛凌

• 白皮書導(dǎo)讀 | 電機驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件

  近年來，電動汽車的興起帶動了寬禁帶器件的應(yīng)用，并逐漸滲透到各個市場。目前，工業(yè)電機主要使用逆變器來提高能效等級，這些逆變器在使用傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT作為功率開關(guān)時存在一些限制，如總體損耗較高、開關(guān)頻率和功率輸送受限等。隨著第三代半導(dǎo)體的興起，寬禁帶器件的應(yīng)用使得提高電機的功率密度、功率輸送能力和效率成為可能?！峨姍C驅(qū)動系統(tǒng)中的寬禁帶開關(guān)器件》白皮書共18頁，主要探討了采用碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）寬禁帶器件對電機驅(qū)動器效率的提升和應(yīng)用中需要克服的設(shè)計問題。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  12/26 10:30

  電機驅(qū)動 寬禁帶

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（十）——功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)函數(shù)

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  12/24 10:50

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴散

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  12/17 10:40

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  12/11 11:10

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（七）——熱等效模型

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  12/03 13:00

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 隱藏在納微半導(dǎo)體、珠海鎵未來背后的小米

  氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基技術(shù)相比，具有更高的擊穿電場、更低的導(dǎo)通電阻和更高的能量轉(zhuǎn)換效率。它能夠在高頻高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作，尤其適合功率器件、射頻器件和快充設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用。 根據(jù)行業(yè)預(yù)測，全球氮化鎵市場將在未來幾年迎來高速增長，預(yù)計到2027年市場規(guī)模將突破10億美元，年復(fù)合增長率保持在30%以上。其廣泛的應(yīng)用場景包括消費電子、5G通信、新能源汽車和數(shù)據(jù)中心等，這使得氮化鎵成為未來

  李堅

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  11/28 17:39

  氮化鎵 與非研究院

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（六）——瞬態(tài)熱測量

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

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  11/26 10:30

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 英飛凌攜手馬瑞利采用AURIX? TC4x MCU系列推動區(qū)域控制單元創(chuàng)新

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與汽車行業(yè)頭部技術(shù)供應(yīng)商馬瑞利（Marelli）正在合作開發(fā)先進(jìn)的E/E架構(gòu)解決方案。此次合作結(jié)合了兩家公司在汽車領(lǐng)域的專業(yè)經(jīng)驗，并采用了英飛凌最新的 AURIX? TC4x微控制器開發(fā)創(chuàng)新的區(qū)域控制單元（ZCU）。英飛凌的AURIX? TC4x 系列專為新型 E/E 架構(gòu)設(shè)計，該系列擴展

  與非網(wǎng)編輯

  981

  11/21 13:43

  MCU 英飛凌

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（五）——功率半導(dǎo)體熱容

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  11/19 12:20

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 英飛凌：全年銷售150億！

  英飛凌最新一季業(yè)績已經(jīng)出爐，截至目前，歐洲三大芯片巨頭財報都已披露。綜合幾方數(shù)據(jù)，目前歐洲市場疲軟依舊，并且有可能繼續(xù)拖累下一季度的財務(wù)表現(xiàn)，而中國電動車市場由于銷售熱度不減，成為拉動業(yè)績的動力之一。

  滿天芯

  1182

  11/15 15:30

  英飛凌 芯片行業(yè)

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（四）——功率半導(dǎo)體芯片溫度和測試方法

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  11/12 10:50

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（三）——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測試方法

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

  1973

  11/05 12:50

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 全球最薄硅功率晶圓出世，對半導(dǎo)體行業(yè)有何影響？

  10月29日，半導(dǎo)體大廠英飛凌宣布推出全球最薄硅功率晶圓，成為首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體晶圓處理和加工技術(shù)的公司。英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁Adam White表示，隨著AI數(shù)據(jù)中心的能源需求大幅上升，能效變得日益重要。這給英飛凌帶來了快速發(fā)展的機遇，英飛凌預(yù)計其AI業(yè)務(wù)收入在未來兩年內(nèi)將達(dá)到10億歐元。

  全球半導(dǎo)體觀察

  1281

  11/05 12:10

  英飛凌 半導(dǎo)體行業(yè)

  
• 功率器件的熱設(shè)計基礎(chǔ)（二）——熱阻的串聯(lián)和并聯(lián)

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

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  10/29 11:10

  功率器件 熱阻

  
• 功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻

  功率半導(dǎo)體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

  1546

  10/22 11:20

  功率半導(dǎo)體 功率器件

  
• 車規(guī)模塊系列（二）：英飛凌HybridPACK系列

  新能源汽車的發(fā)展蒸蒸日上，對于半導(dǎo)體器件的要求，不僅僅是功率半導(dǎo)體都提出了更好的需求。作為功率半導(dǎo)體行業(yè)No.1的英飛凌也給我們呈現(xiàn)了多樣性的發(fā)展態(tài)勢，在很多時候它充當(dāng)了更多的是一個引領(lǐng)者的角色，分立式，工業(yè)或者汽車模塊，往往都是各大廠家學(xué)習(xí)的模樣。今天我們就來聊聊英飛凌的汽車模塊--HybridPACK。

  Disciple

  4萬

  09/27 10:55

  新能源汽車 車規(guī)級

  
• 產(chǎn)研：2024年車用PCB技術(shù)及供應(yīng)鏈新趨勢

  車用PCB的定義及市場現(xiàn)狀 近年來，新能源汽車的興起，顯著推動了PCB（印刷電路板）行業(yè)的進(jìn)步。作為電子元器件的核心支撐體，PCB在汽車電子中具有重要地位。它不僅作為電子元器件的載體，還在動力控制、安全控制、車身電子和娛樂通訊等多個汽車系統(tǒng)中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。相較于傳統(tǒng)燃油車，新能源汽車對電子控制系統(tǒng)的需求更為強烈，汽車行業(yè)的電氣化、智能化與網(wǎng)聯(lián)化趨勢，正在不斷提高高端汽車PCB板的需求。這種需求對

  李堅

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  08/30 17:17

  pcb 與非研究院

  
• 系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析

  本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiC MOS開關(guān)開通時的過流機理，以及開通電流振蕩的原因。除了寄生電感對功率器件電壓應(yīng)力的影響外，本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計中寄生電容對開通電流應(yīng)力、電流振蕩和開通損耗的負(fù)面影響。

  英飛凌工業(yè)半導(dǎo)體

  1490

  08/28 10:33

  碳化硅 sic器件

  
• SiC功率器件之爭，8英寸是重要拐點？

  近期，全球主要SiC功率器件供應(yīng)商英飛凌宣布正式啟用其位于馬來西亞居林工廠第三廠區(qū)的8英寸SiC晶圓制造廠一期產(chǎn)線，并已為接下來的8英寸SiC功率器件的量產(chǎn)做好準(zhǔn)備。英飛凌官方透露，這一項目總建筑面積為131477平方米，自2021年啟動，分兩期工程，分別為5年的建設(shè)期，其中一期工程投資20億歐元，未來二期項目投資額更高達(dá)50億歐元，目標(biāo)是建成全球規(guī)模最大且最高效的8英寸SiC功率器件晶圓廠。 馬

  高揚

  2737

  08/23 08:57

  電動汽車 英飛凌

  
• 英飛凌MirrorBit工藝Flash的扇區(qū)設(shè)計不一樣！

  今天痞子衡給大家講的是英飛凌MirrorBit工藝NOR Flash的扇區(qū)架構(gòu)設(shè)計。NOR Flash 大家都很熟悉，其內(nèi)部按組織從小到大分為 Page(128B/256B/512B)、Sector(4KB)、Block(32KB/64KB/128KB/256KB)、Chip，其中 Page 是編程單元，Sector/Block/Chip 是擦除單元（一個 Block 由多個 Sector 組成，一顆 Chip 由多個 Block 組成）。關(guān)于擦除，F(xiàn)lash 提供了不同大小的單元粒度，也是為需要數(shù)據(jù)和參數(shù)存儲的應(yīng)用程序提供更大的靈活性。

  痞子衡

  1883

  08/19 10:10

  英飛凌 NOR Flash

  

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