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南韓兩大半導體廠 Samsung 與 SK Hynix 共組半導體希望基金，資金規(guī)模約 2000 億韓元（約 55 億元新臺幣），顯示南韓亟欲凸顯且擴大其在全球存儲器市場的競爭力與影響力。
不過半導體希望基金規(guī)模不大，預期重點不在建置新廠、擴張產能，而是鎖定技術研發(fā)，特別是 DRAM、NAND Flash、行動存儲器、新興存儲器等產品的研發(fā)。
南韓半導體國家隊的成軍，主要是反映中國存儲器即將崛起的壓力。存儲器行業(yè)已成為中國官方投資的重要方向，企圖實現(xiàn)從無到有的局面。大陸存儲器產業(yè)奠定在當?shù)匦枨罂焖僭鲩L的基礎，以 NAND Flash 來說，由于行動裝置需求的快速增長及伺服器、資料中心的大量建置，大陸市場 NAND Flash 消耗量占全球的比重將于 2017 年達 3 成以上，2020 年將超過 4 成。
預料大陸存儲器市場當前發(fā)展的 4 大主力，將由長江存儲（負責 3D NAND Flash、DRAM 生產）、武漢新芯（負責 NOR Flash、邏輯代工）擔綱重任，而福建晉華存儲器項目、合肥市存儲器項目也將有所發(fā)揮。
在國家積體電路大基金的牽線下，2016 年 7 月紫光集團宣布收購武漢新芯 50%以上股權，成立長江存儲技術公司，此舉將可避免重復投資，實現(xiàn)各方優(yōu)勢資源共享；而 2016 年底長江存儲將興建首座 12 寸廠，在 Spansion 技術授權下，最快 2017 年底生產自制 32 層堆疊 3D NAND 晶片，大陸終將順利擠進 NAND Flash 領域。
而長江存儲技術公司在 DRAM 領域的布局，則端視未來 Mciron 再整并完華亞科之后，是否與紫光建立策略聯(lián)盟，雙方將針對 DRAM 技術及產能進行合作；另外武漢新芯未來將專職 NOR Flash 和邏輯代工業(yè)務，旗下 12 寸廠月產能約 3 萬片，其中有超過 2 萬片是生產 NOR Flash 晶片。
福建晉華存儲器項目則是由晉華投資 370 億元人民幣建設存儲晶片晶圓廠，并由聯(lián)電提供技術方案，預計 2018 年 9 月形成月產 6 萬片 12 寸先進制程內存晶圓的生產規(guī)模。而合肥市存儲器項目，將由合肥市政府出資 460 億元人民幣，兆基科技提供技術方案，第一步是設計物聯(lián)網科技所需的低耗電 DRAM 晶片，最快 2017 年下半年開始投產。
大陸存儲器是集成電路 4 大產品類型中自給率最低的部分，預期大陸存儲器市場的進口替代空間龐大，而未來中國存儲器勢力的崛起，勢必將改寫全球存儲器版圖的分布，讓目前掌握絕大市占率的韓廠備感威脅。
