NMOS導(dǎo)通條件是什么 NMOS是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通

NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）是一種類型的場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），屬于MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）家族。NMOS晶體管由一個(gè)n型溝道、p型控制門和絕緣氧化物層組成。它是一種常見的半導(dǎo)體器件，用于在集成電路中實(shí)現(xiàn)邏輯功能和放大信號(hào)。了解NMOS的導(dǎo)通條件以及其是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通對(duì)于理解其工作原理和正確的使用非常重要。

閱讀更多行業(yè)資訊，可移步與非原創(chuàng)，車規(guī)級(jí)MCU芯片年度發(fā)展報(bào)告（2023版完整報(bào)告下載）、A股半導(dǎo)體8大細(xì)分行業(yè)營(yíng)收增速簡(jiǎn)析｜2023年三季報(bào)、本土信號(hào)鏈芯片上市公司營(yíng)收top10? 等產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告、原創(chuàng)文章可查閱。

1. NMOS導(dǎo)通條件是什么

NMOS導(dǎo)通的條件取決于控制門極的電壓和源級(jí)與漏極之間的電壓差。NMOS的控制門極通常是通過(guò)外部電壓控制的。

導(dǎo)通條件如下：

1. 控制門極電壓高于閾值電壓（Vth）：當(dāng)控制門極電壓高于NMOS晶體管的閾值電壓時(shí)，溝道中的電子將能夠形成連續(xù)的導(dǎo)電路徑，從而使NMOS導(dǎo)通。
2. 溝道處于正向偏置：當(dāng)NMOS導(dǎo)通時(shí)，源級(jí)必須以較低的電勢(shì)（通常為地或負(fù)電壓）處于正向偏置狀態(tài)，而漏極則以較高的電勢(shì)處于正向偏置狀態(tài)。這樣，通過(guò)源級(jí)和漏極之間的電壓差，電子將能夠自由地從源級(jí)流向漏極，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通。

綜上所述，NMOS導(dǎo)通條件是控制門極電壓高于閾值電壓，并且溝道處于正向偏置。

2. NMOS是高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通

NMOS是一種低電平導(dǎo)通器件，也稱為開漏輸出器件。這意味著當(dāng)控制門極電壓高于閾值電壓時(shí)，NMOS晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，但其導(dǎo)通路徑只能提供到源級(jí)的電壓，無(wú)法提供到漏極的電壓。

具體來(lái)說(shuō)：

1. 高電平（邏輯1）情況下：當(dāng)輸入信號(hào)為高電平時(shí)，控制門極電壓高于閾值電壓，NMOS導(dǎo)通，輸出接近源級(jí)電壓（低電平）。此時(shí)，NMOS的漏極電壓較高，因此無(wú)法直接提供高電平輸出。
2. 低電平（邏輯0）情況下：當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，控制門極電壓低于閾值電壓，NMOS截?cái)?，不?dǎo)通。此時(shí)，NMOS的漏極電壓高于源級(jí)電壓，并且輸出處于高阻態(tài)或高電平。

綜上所述，NMOS是在低電平情況下導(dǎo)通的器件。它適用于開漏輸出和負(fù)邏輯電路設(shè)計(jì)，通常與PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）晶體管結(jié)合使用以實(shí)現(xiàn)CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）邏輯門電路。