背散射電子分類 背散射電子和二次電子的區(qū)別

在材料表面分析中，常用的電子探針包括背散射電子和二次電子。他們有著不同的物理特性，理解它們之間的區(qū)別對(duì)于正確地應(yīng)用和解釋表面分析結(jié)果至關(guān)重要。

1.背散射電子的分類

背散射電子是一種能量低、散射角度大的電子，在材料表面進(jìn)行測(cè)量時(shí)，通過底部衍射器從樣品反射的電子被檢測(cè)到。背散射電子可以按其散射深度和散射角度進(jìn)行分類：

• 淺層背散射電子（shallow-backscattered electrons, S-BSEs）：由于只散射了較淺的電子而產(chǎn)生的信號(hào)。
• 深層背散射電子（deep-backscattered electrons, D-BSEs）：散射角度較大且涉及更深的物質(zhì)。
• 側(cè)向背散射電子（lateral-backscattered electrons, L-BSEs）：相對(duì)于表面平行方向發(fā)生散射的電子。

2.背散射電子和二次電子的區(qū)別

和背散射電子不同，二次電子是由束縛在原子中的電子被高能電子轟擊后逸出而產(chǎn)生的信號(hào)。以下是背散射電子和二次電子的主要區(qū)別：

• 來源：背散射電子來自于材料表面以下約10 nm左右深度處的電子，而二次電子則是通過電子打擊表面時(shí)釋放的表面電子。
• 成像模式：背散射電子可以提供更好的深度信息，成像過程比較穩(wěn)定，不容易受到表面的形貌影響，但其成像深度有一定局限性；而二次電子成像可提供更高的表面拓?fù)湫畔ⅲ渖疃确直媛氏鄬?duì)較差。
• 信號(hào)強(qiáng)度：在相同的探測(cè)條件下，背散射電子常常比二次電子具有更高的信噪比和信號(hào)強(qiáng)度，這個(gè)差異在高原子序數(shù)材料中更加明顯。