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日前,新型存儲(chǔ)領(lǐng)先企業(yè)昕原半導(dǎo)體宣布其基于ReRAM的“昕·山文”安全存儲(chǔ)系列產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)在工業(yè)自動(dòng)化控制核心部件的商用,標(biāo)志著ReRAM新型存儲(chǔ)技術(shù)在28nm工藝節(jié)點(diǎn)上通過了嚴(yán)苛的測(cè)試,已被工控領(lǐng)域接受,我國(guó)ReRAM新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)化再進(jìn)一步。
ReRAM是近年來市場(chǎng)上最受期待的新型存儲(chǔ)技術(shù),包括臺(tái)積電,英特爾、三星、UMC、Crossbar、Adesto、富士通等國(guó)際廠商均已對(duì)該技術(shù)進(jìn)行重點(diǎn)布局。此次昕原半導(dǎo)體“昕·山文”系列產(chǎn)品工控領(lǐng)域成功商用,也標(biāo)志著我國(guó)ReRAM新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程躋身全球領(lǐng)先行列。
據(jù)了解,此次昕原半導(dǎo)體推出的“昕·山文”系列安全存儲(chǔ)芯片產(chǎn)品集成有高可靠性、安全存儲(chǔ)、密碼算法引擎以及ReRAM PUF(Physical Unclonable Function-物理不可克隆函數(shù))的安全特性,并提供豐富的接口和使用模式。
PUF是信息安全行業(yè)前沿的硬件安全技術(shù),主要利用芯片生產(chǎn)制造過程中產(chǎn)生的隨機(jī)差異來生成唯一的、具備隱藏特性且不可克隆的數(shù)字序列,就如同芯片出生時(shí)即具備了唯一 ‘指紋’身份信息,作為每顆芯片獨(dú)一無(wú)二的唯一主動(dòng)標(biāo)識(shí)(ID)和根密鑰(Root Key) 。
“昕·山文”系列安全存儲(chǔ)芯片,充分利用了昕原ReRAM PUF的獨(dú)特技術(shù),不但實(shí)現(xiàn)了抗物理攻擊的強(qiáng)安全特性、有效防御黑客通過物聯(lián)網(wǎng)等互聯(lián)手段對(duì)關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施造成大面積傷害的潛在風(fēng)險(xiǎn),還有效降低諸如密鑰注入等相關(guān)的安全供應(yīng)鏈管理的成本。結(jié)合硬件實(shí)現(xiàn)的抗物理攻擊密碼算法,為工業(yè)、新能源和車聯(lián)網(wǎng)等“萬(wàn)物智聯(lián)”的高價(jià)值設(shè)備,有效實(shí)現(xiàn)強(qiáng)身份認(rèn)證、版權(quán)保護(hù)和高價(jià)值數(shù)據(jù)資產(chǎn)的安全存儲(chǔ)。
昕原研發(fā)團(tuán)隊(duì)持續(xù)推進(jìn)芯片測(cè)試調(diào)優(yōu)工作
“昕·山文”系列安全存儲(chǔ)芯片采用小尺寸封裝,集成了國(guó)際通用密碼算法和國(guó)密算法,支持SPI通用芯片接口和/或單線通訊接口,并提供豐富的IO擴(kuò)展能力。
浙江禾川科技股份有限公司(禾川科技)副總裁鄢鵬飛表示,工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品對(duì)于程序及數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的可靠性和安全性要求非常苛刻,昕原半導(dǎo)體的“昕·山文”系列芯片在滿足信息安全要求的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了對(duì)核心數(shù)據(jù)的可靠存儲(chǔ),不同于傳統(tǒng)的密碼算法類芯片,其獨(dú)具特色的ReRAM PUF技術(shù)及安全解決方案有效實(shí)現(xiàn)了對(duì)核心知識(shí)產(chǎn)權(quán)的保護(hù)、以及對(duì)工控核心部件的精確識(shí)別與管控。
據(jù)昕原半導(dǎo)體CTO仇圣棻博士介紹,昕原基于28nm工藝的ReRAM產(chǎn)品的良率已經(jīng)超過了93%;“昕·山文”系列安全存儲(chǔ)芯片,采用高可靠性設(shè)計(jì),已通過JESD22(JEDEC:固態(tài)電子器件可靠性評(píng)估驗(yàn)證)、JESD47(JEDEC:集成電路的壓力測(cè)試驗(yàn)證)等可靠性標(biāo)準(zhǔn)的驗(yàn)證,具有較強(qiáng)的防靜電能力(實(shí)測(cè)HBM=5500V,CDM=500V)、較高的數(shù)據(jù)保持性(DataRetention>10年)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)耐高溫性(可達(dá)150℃)。
昕原半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)對(duì)中試線進(jìn)行設(shè)備調(diào)試
今年初,由昕原半導(dǎo)體主導(dǎo)建設(shè)的大陸首條28/22nm ReRAM(阻變存儲(chǔ)器)12寸中試后道生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機(jī)驗(yàn)收工作,實(shí)現(xiàn)了中試線工藝流程的通線。在此基礎(chǔ)上,實(shí)現(xiàn)ReRAM技術(shù)和工藝持續(xù)突破的同時(shí),也使得 ReRAM 相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現(xiàn)變成了可能。
隨著昕原半導(dǎo)體28nm制程ReRAM產(chǎn)品進(jìn)入工控領(lǐng)域,不僅驗(yàn)證了ReRAM技術(shù)在2Xnm工藝節(jié)點(diǎn)上產(chǎn)品級(jí)的性能和良率,更體現(xiàn)了ReRAM技術(shù)的可靠性、安全性和穩(wěn)定性,為后續(xù)在存內(nèi)計(jì)算、存內(nèi)搜索、智能汽車、數(shù)據(jù)中心等更多領(lǐng)域的應(yīng)用奠定基礎(chǔ)。而隨著ReRAM產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的加快,也將極大帶動(dòng)我國(guó)新型存儲(chǔ)行業(yè)發(fā)展,為我國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)“彎道超車”提供了可能。
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