Xilinx FPGA DDR3設(shè)計(jì)（三）DDR3 IP核詳解及讀寫(xiě)測(cè)試

引言：本文我們介紹下Xilinx DDR3 IP核的重要架構(gòu)、IP核信號(hào)管腳定義、讀寫(xiě)操作時(shí)序、IP核詳細(xì)配置以及簡(jiǎn)單的讀寫(xiě)測(cè)試。

01、DDR3 IP核概述

7系列FPGA DDR接口解決方案如圖1所示。

圖1、7系列FPGA DDR3解決方案

1.1 用戶FPGA邏輯（User FPGA Logic）

如圖1中①所示，用戶FPGA邏輯塊是任何需要連接到外部DDR2或DDR3 SDRAM的FPGA設(shè)計(jì)。用戶FPGA邏輯通過(guò)用戶接口連接到內(nèi)存控制器。

1.2 用戶接口（User Interface，UI）

如圖1中②和③所示，用于連接用戶FPGA邏輯資源和用戶接口塊，它提供了一個(gè)簡(jiǎn)單的本地接口，用于實(shí)現(xiàn)緩沖讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，這也是DDR3 IP核對(duì)外接口，是編寫(xiě)FPGA讀寫(xiě)邏輯需要操作的接口。

1.3 內(nèi)存控制器和本地接口

如圖1中④和⑤所示，內(nèi)存控制器（MC）的前端向UI塊顯示本機(jī)接口。本機(jī)接口允許用戶設(shè)計(jì)提交內(nèi)存讀寫(xiě)請(qǐng)求，并提供將數(shù)據(jù)從用戶設(shè)計(jì)移動(dòng)到外部?jī)?nèi)存設(shè)備的機(jī)制，反之亦然。內(nèi)存控制器的后端連接到物理接口，并處理該模塊的所有接口要求。內(nèi)存控制器還提供了一個(gè)重新排序選項(xiàng)，可以重新排序接收到的請(qǐng)求，以優(yōu)化數(shù)據(jù)吞吐量和延遲。

1.4 物理層和物理接口

如圖1中⑥所示，PHY的前端連接到內(nèi)存控制器。PHY的后端連接到外部存儲(chǔ)設(shè)備。PHY處理存儲(chǔ)器件信號(hào)所有的排序和時(shí)序。

02、DDR3 IP核時(shí)鐘架構(gòu)

DDR3 PHY設(shè)計(jì)要求使用PLL模塊生成各種時(shí)鐘，并使用全局和本地時(shí)鐘網(wǎng)絡(luò)在整個(gè)設(shè)計(jì)中分配時(shí)鐘。PHY還需要在PLL所在的同一組中例化一個(gè)MMCM。該MMCM補(bǔ)償BUFG到PHY的插入延遲。

圖2、DDR3時(shí)鐘架構(gòu)

PHY內(nèi)的時(shí)鐘生成和分配電路及網(wǎng)絡(luò)驅(qū)動(dòng)塊大致用于四個(gè)獨(dú)立的通用功能：

• 內(nèi)部（FPGA）邏輯寫(xiě)入路徑（輸出）I/O邏輯讀取路徑（輸入）和延遲I/O邏輯IDELAY參考時(shí)鐘

對(duì)于DDR3設(shè)計(jì)，IDELAY參考時(shí)鐘生成需要一個(gè)MMCM。如果設(shè)計(jì)頻率>667 MHz，則IDELAY參考時(shí)鐘為300 MHz或400 MHz（取決于FPGA速度等級(jí)）。MIG IP核為300 MHz和400 MHz時(shí)鐘生成實(shí)例化了一個(gè)MMCM。

PHY需要一個(gè)MMCM和一個(gè)PLL。PLL用于生成大多數(shù)內(nèi)部邏輯的時(shí)鐘、相位器的頻率參考時(shí)鐘，以及在多I/O Bank實(shí)現(xiàn)中保持PHY控制塊同步所需的同步脈沖。

2.1 內(nèi)部（FPGA）邏輯時(shí)鐘

內(nèi)部FPGA邏輯由全局時(shí)鐘資源以DDR2或DDR3 SDRAM時(shí)鐘頻率的一半或四分之一的頻率工作，這取決于MIG工具中選擇的4:1或2:1模式。該P(yáng)LL還輸出高速DDR2或DDR3內(nèi)存時(shí)鐘。

2.2 寫(xiě)路徑（輸出）I/O邏輯時(shí)鐘

圖3、控制/地址路徑時(shí)鐘路徑框圖

由數(shù)據(jù)和控制組成的輸出路徑由PHASER_OUT時(shí)鐘觸發(fā)。PHASER_OUT為OUT_FIFO和OSERDES/ODDR的每個(gè)字節(jié)組提供同步時(shí)鐘。PHASER_OUT為其相關(guān)字節(jié)組生成字節(jié)時(shí)鐘（OCLK）、分字節(jié)時(shí)鐘（OCLKDIV）和延遲字節(jié)時(shí)鐘（OCLK_DELAYED）。這些時(shí)鐘直接從頻率基準(zhǔn)時(shí)鐘生成，并且彼此同相。字節(jié)時(shí)鐘的頻率與頻率參考時(shí)鐘的頻率相同，分字節(jié)時(shí)鐘的頻率為頻率參考時(shí)鐘頻率的一半。OCLK_DELAYED用于對(duì)DQS ODDR進(jìn)行時(shí)鐘設(shè)置，以實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入DQS及其相關(guān)DQ位之間所需的90°相位偏移。PHASER_OUT還驅(qū)動(dòng)寫(xiě)入期間生成DQ所需的信號(hào)、與數(shù)據(jù)字節(jié)組相關(guān)的DQ和DQ 三態(tài)，以及字節(jié)組OUT_FIFO的讀取使能。圖3和圖4顯示了地址/控制的時(shí)鐘細(xì)節(jié)以及使用PHASER_OUT的寫(xiě)入路徑。

2.3 讀路徑（輸入）I/O邏輯時(shí)鐘

圖4、讀寫(xiě)數(shù)據(jù)時(shí)鐘路徑框圖

輸入讀取數(shù)據(jù)路徑由PHASER_IN塊觸發(fā)。PHASER_IN塊為IN_FIFO和IDDR/ISERDES的每個(gè)字節(jié)組提供同步時(shí)鐘。PHASER_IN塊接收相關(guān)字節(jié)組的DQS信號(hào)，并為DDR2或DDR3 SDRAM數(shù)據(jù)捕獲生成兩個(gè)延遲時(shí)鐘：讀取字節(jié)時(shí)鐘（ICLK）和讀取分字節(jié)時(shí)鐘（ICLKDIV）。ICLK是頻率基準(zhǔn)時(shí)鐘的延遲版本，其相位與其相關(guān)的DQ對(duì)齊。ICLKDIV用于將數(shù)據(jù)捕獲到ISERDES中的第一級(jí)觸發(fā)器中。ICLKDIV與ICLK對(duì)齊，是ISERDES中最后一列觸發(fā)器的并行傳輸時(shí)鐘。ICLKDIV還用作與字節(jié)組關(guān)聯(lián)的IN_FIFO的寫(xiě)入時(shí)鐘。移相器輸入塊還驅(qū)動(dòng)字節(jié)組輸入FIFO的寫(xiě)入啟用（可寫(xiě)入）。圖4顯示了使用PHASER_IN讀取路徑的時(shí)鐘細(xì)節(jié)。

2.4 延遲參考時(shí)鐘

您需要始終提供200 MHz參考時(shí)鐘，然后MIG使用額外的MMCM創(chuàng)建適當(dāng)?shù)腎DELAYCTRL頻率。IDELAYCTRL模塊持續(xù)校準(zhǔn)I/O區(qū)域中的IDELAY組件，以適應(yīng)不同的環(huán)境條件。IP核需要外部時(shí)鐘信號(hào)驅(qū)動(dòng)IDELAYCTRL模塊。如果PLL時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)IDELAYCTRL輸入時(shí)鐘，則PLL鎖定信號(hào)需要包含在IODELAY_CTRL.v內(nèi)的rst_tmp_idelay信號(hào)，這確保了時(shí)鐘在使用前是穩(wěn)定的。

03、DDR3 IP核用戶接口

用戶接口定義如表1所示，允許通過(guò)DDR3控制器訪問(wèn)外部DDR3芯片。

表1、DDR3用戶接口定義

04、DDR3 IP核讀寫(xiě)時(shí)序

4.1命令地址時(shí)序

圖5、用戶接口命令時(shí)序

當(dāng)用戶邏輯app_en信號(hào)被插入時(shí)，且app_rdy信號(hào)從用戶接口（UI）被插入時(shí)，用戶接口接受命令并將其寫(xiě)入IP核內(nèi)部寫(xiě)FIFO。任何時(shí)候當(dāng)app_rdy無(wú)效時(shí)，用戶接口就會(huì)忽略該命令。用戶邏輯需要將app_en與有效的命令和app_addr地址保持插入，直到如圖1-74所示app_rdy有效插入。

4.2用戶接口寫(xiě)時(shí)序

圖6、4:1模式用戶接口寫(xiě)時(shí)序（存儲(chǔ)器突發(fā)類型=BL8）

可以發(fā)出非背靠背寫(xiě)入命令，如圖6所示。該圖描述了app_wdf_data、app_wdf_wren和app_wdf_end信號(hào)的三種情況，如下所示：

①寫(xiě)入數(shù)據(jù)與相應(yīng)的寫(xiě)入命令一起插入，推薦的寫(xiě)入時(shí)序（BL8的后半部分）。
②寫(xiě)入數(shù)據(jù)在相應(yīng)寫(xiě)入命令之前插入。
③寫(xiě)入數(shù)據(jù)在相應(yīng)的寫(xiě)入命令后插入，但不應(yīng)超過(guò)兩個(gè)時(shí)鐘周期的限制。

4.3用戶接口讀時(shí)序

圖7、4:1模式用戶接口讀時(shí)序（存儲(chǔ)器突發(fā)類型=BL8）

讀取的數(shù)據(jù)由UI按請(qǐng)求的順序返回，并且在以下情況下有效：app_rd_data_valid被插入（圖7和圖1-82）。app_rd_data_end信號(hào)表示每個(gè)讀取命令突發(fā)的結(jié)束，在用戶邏輯中不需要。

05、DDR3 MIG IP核配置

硬件平臺(tái)：XC7Z035FFG676-2

• Vivado軟件：2017.4

建立DDR3測(cè)試工程，進(jìn)入DDR3 MIG IP配置界面。

2.點(diǎn)擊Next，進(jìn)入下一步。

3. 創(chuàng)建MIG IP設(shè)計(jì)。

① Create Design 創(chuàng)建新設(shè)計(jì)

② Component Name，編輯MIG IP核名稱，自定義

③ Number of Controller，控制器數(shù)據(jù)量，此處選擇1個(gè)

③ AXI4 Interface，AXI4接口，測(cè)試工程選擇Native Interface接口，不選擇AXI4接口。

4. Pin Compatible FPGAs，選擇IP核兼容器件，方便DDR3 IP核工程移植。此處不選擇。

5.存儲(chǔ)器選擇，由于電路板板載DDR3內(nèi)存，故此處選擇DDR3 SDRAM。

6.Controller Options，DDR3 SDRAM配置。

① Clock Period，這個(gè)時(shí)鐘為DDR3 IO接口時(shí)鐘，即CK/CK#管腳時(shí)鐘，圖中配置為400MHz；

② PHY to Controller Clock Ratio：DDR3 IO接口時(shí)鐘和DDR3 MIG IP核用戶接口時(shí)鐘ui_clk比例，如① Clock Period=400MHz，此處設(shè)置4:1，則，ui_clk = 400MHz/4 = 100MHz。

③ 該部分設(shè)置DDR3芯片的特性。

Memory Part，IP核給出了很多定制好的鎂光系列芯片，用戶可以根據(jù)自己板載DDR3直接選擇，如果器件參數(shù)不能滿足需要，也可以自己輸出DDR3芯片相關(guān)參數(shù)，即點(diǎn)擊Create Custom Part即可進(jìn)入?yún)?shù)編輯頁(yè)面。此處選擇MT41K256M16XX-107；

Memory Voltage，設(shè)置存儲(chǔ)器電壓，板載為1.5V芯片，故此處選擇1.5V；

Data Width，選擇DDR3數(shù)據(jù)位寬，板載為2片16bit DDR3，共用控制和地址，組成32bit位寬數(shù)據(jù)總線，故此處選擇32；ECC，ECC校驗(yàn)只支持72bit位寬，故不能選擇；

Data Mask，數(shù)據(jù)屏蔽位，使能后，IP核會(huì)例化相應(yīng)data mask接口，此處選擇使能。

④Nuber of Bank Machines，選擇默認(rèn)4；

ORDERING，選擇默認(rèn)Normal

7.Memory Options，DDR3 MIG IP配置。

①Input Clock Period，輸入時(shí)鐘設(shè)置，該時(shí)鐘為DDR3 MIG IP核輸入時(shí)鐘，及IP核內(nèi)部PLL源時(shí)鐘，此處選擇5000ps（200MHz）；②Read Burst Type and Length，讀突發(fā)長(zhǎng)度和類型，DDR3只支持突發(fā)長(zhǎng)度BL = 8，此處選擇突發(fā)類型為Sequential；③Output Driver Impedance Control，編程輸出buffer阻抗，此處選擇RZQ/7；④Controller Chip Select Pin，控制器片選信號(hào)選擇，此處選擇Enabel；⑤On Die Termination（ODT），片上端接大小，此處選擇RZQ/4；⑥Memory Address Mapping Selection，存儲(chǔ)器地址映射，此處選擇{Bank，ROW，COLUMN}尋址方式。8. DDR3 MIG IP時(shí)鐘、復(fù)位、參考電壓等配置。

①System Clock，系統(tǒng)時(shí)鐘輸入方式，可選選擇單端、差分或者No Buffer，此處選擇No Buffer；

②Reference Clock，參考時(shí)鐘，可選選擇單端、差分或者No Buffer或則Use System Clock，此處選擇Use System Clock，即200MHz時(shí)鐘；

③System Reset Polarity，IP核復(fù)位信號(hào)極性，此處選擇ACTIVE LOW，即低電平復(fù)位；

④Debug Signals for Memory Controller，是否選擇存儲(chǔ)器調(diào)試接口，此處選擇No

⑤Internal Verf，是否使用內(nèi)部參考電壓，IP核支持DDR3參考電壓輸出，此處不勾選，即使用板載參考電壓；

⑥IO Power Reduciton，選擇IO功耗降低，此處選ON，即打開(kāi)功耗降低功能；

⑦XDAC Instantiation，是否例化XDAC，此處選擇Enable。

9. FPGA內(nèi)部端接及DCI級(jí)聯(lián)配置。

① Internal Termination Impedence，內(nèi)部端接阻抗，此處選擇50ohms；

②DCI Cascade，DCI級(jí)聯(lián)選擇，此處不勾選；

關(guān)于DCI級(jí)聯(lián)參考：Xilinx FPGA時(shí)鐘及I/O接口規(guī)劃（二）

10.選擇 Fixed Pin Out。

11.配置DDR3 SDRAM IO管腳分配。

根據(jù)原理圖DDR3 SDRAM和FPGA管腳連接關(guān)系分配對(duì)應(yīng)管腳。如果已有管腳.ucf文件，則可以點(diǎn)擊“Read XDC/UCF”，選擇.ucf文件，讀入IO約束文件；

配置完成后，需要點(diǎn)擊Validate，進(jìn)行管腳分配驗(yàn)證，驗(yàn)證通過(guò)后，方可進(jìn)行NEXT。

12.選擇狀態(tài)信號(hào)，此處均選擇No connect，即不連接。

13. 該頁(yè)給出了前面DDR3 MIG IP配置總結(jié)頁(yè)，可快速瀏覽前面配置的參數(shù)內(nèi)容。

14.選擇Accept，點(diǎn)擊NEXT。

15.點(diǎn)擊Generate，生產(chǎn)IP核。

至此，DDR3 MIG IP核參數(shù)配置完畢。

06、DDR3 IP核讀寫(xiě)測(cè)試

根據(jù)上一小結(jié)，生成DDR3 IP核后，編寫(xiě)VerilogHDL代碼，進(jìn)行DDR3讀寫(xiě)測(cè)試。

①控制信號(hào)及命令：讀寫(xiě)DDR3，主要是按照4.1~4.3小結(jié)中的DDR3 IP核讀寫(xiě)時(shí)序編寫(xiě)邏輯代碼。

app_cmd，控制命令：3'b000為寫(xiě)命令，3'b001為讀命令；

app_addr，讀寫(xiě)地址，由于DDR3突發(fā)長(zhǎng)度固定為8，故地址遞增為8；

app_en，使能信號(hào)，高有效；

app_rdy，準(zhǔn)備ok信號(hào)，表示UI接口可以接收命令數(shù)據(jù)；

app_wdf_rdy，寫(xiě)數(shù)據(jù)FIFO準(zhǔn)備ok，可以寫(xiě)數(shù)據(jù)到DDR3；

app_wdf_wren，寫(xiě)數(shù)據(jù)有效信號(hào)，高有效；

app_wdf_end，表示當(dāng)前寫(xiě)為最后一個(gè)數(shù)據(jù)，根據(jù)DDR3寫(xiě)時(shí)序，該信號(hào)和app_wdf_wren時(shí)序相同即可；

app_wdf_data，寫(xiě)DDR3數(shù)據(jù)，需要注意該接口數(shù)據(jù)位寬的計(jì)算；

app_rd_data，讀出DDR3數(shù)據(jù)，該接口位寬和app_wdf_data相同；

app_rd_data_valid，讀出DDR3數(shù)據(jù)有效信號(hào)，高有效。

   //地址、命令及使能     assign    app_cmd       = (state==WRITE) ? CMD_WRITE : CMD_READ;   assign    app_addr      = app_addr_begin;    assign    app_en        = (state==WRITE) ? (app_rdy&&app_wdf_rdy) : ((state==READ)&&app_rdy);//IP核使能   //寫(xiě)控制及寫(xiě)入數(shù)據(jù)   assign    app_wdf_end   = app_wdf_wren;    assign    app_wdf_wren  = (state==WRITE) ? (app_rdy&&app_wdf_rdy) : 1'b0; //寫(xiě)使能   assign    app_wdf_data  = {                                 Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],                                 Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],                                 Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],                                 Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0],Count_64[7:0]                              };//寫(xiě)入的數(shù)據(jù)是計(jì)數(shù)器

②DDR3讀寫(xiě)狀態(tài)機(jī)：先寫(xiě)入一定長(zhǎng)度數(shù)據(jù)，然后讀出對(duì)應(yīng)長(zhǎng)度數(shù)據(jù)，讀完后再返回寫(xiě)狀態(tài)。讀寫(xiě)狀態(tài)機(jī)比較簡(jiǎn)單，主要是讀寫(xiě)地址主要增量為突發(fā)長(zhǎng)度8。

     always@(posedge ui_clk)        if(ui_clk_sync_rst&!init_calib_complete)//            begin                state           <=IDLE;                app_addr_begin  <=29'd0;                Count_64        <=24'd0;            end     else case(state)         IDLE: begin            state     <=WRITE;            if(app_addr_begin > TEST_DATA_RANGE)              app_addr_begin  <=29'd0;              Count_64         <=24'd0;            end         WRITE: begin//寫(xiě)DDR3                state           <=(Count_64==TEST_DATA_RANGE)&&app_rdy&&app_wdf_rdy ? WAIT:state; //最后一個(gè)地址寫(xiě)完之后跳出寫(xiě)狀態(tài)                Count_64        <=app_rdy&&app_wdf_rdy?(Count_64+24'd1):Count_64;                 // 計(jì)數(shù)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)                    app_addr_begin  <=app_rdy&&app_wdf_rdy?(app_addr_begin+29'd8):app_addr_begin;     //地址突發(fā)BL=8,跳到下一個(gè)（8*32=256）bit數(shù)據(jù)地址            end         WAIT: begin                state           <=READ;                Count_64        <=24'd0;                    app_addr_begin  <=29'd0;                end         READ: begin//讀DDR3                state           <=(Count_64==TEST_DATA_RANGE)&&app_rdy? IDLE:state; //讀完寫(xiě)入數(shù)據(jù)長(zhǎng)度,切換至初始狀態(tài)                Count_64        <=app_rdy?(Count_64+24'd1):Count_64;                //讀出數(shù)據(jù)個(gè)數(shù)                 app_addr_begin  <=app_rdy?(app_addr_begin+29'd8):app_addr_begin;    //讀地址突發(fā)BL=8            end     default:begin                state           <=IDLE;                app_addr_begin  <=29'd0;                Count_64        <=24'd0;            end                endcase

③DDR3管腳約束。在工程文件中，不需要手動(dòng)編寫(xiě)約束文件，如本工程，只進(jìn)行了如下管腳約束。

set_property IOSTANDARD SSTL15 [get_ports clk_100M]set_property PACKAGE_PIN C8 [get_ports clk_100M]

這是因?yàn)樵趧?chuàng)建DDR3 MIG IP核時(shí)，已經(jīng)對(duì)DDR3 SDRAM管腳進(jìn)行了分配，IP核自動(dòng)生成對(duì)應(yīng)的約束文件，包含在IP文件目錄下，工程編譯綜合時(shí)，會(huì)自動(dòng)編譯該IP的約束文件。

DDR3 IP核約束文件

④測(cè)試結(jié)果。

DDR3 寫(xiě)入時(shí)序及數(shù)據(jù)

DDR3 讀出時(shí)序及數(shù)據(jù)