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CINNO Research 產(chǎn)業(yè)資訊，東京電子（Tokyo Electron Ltd.，以下簡(jiǎn)稱為TEL）于2021年12月推出了一款用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備，名為“Tactras-UDEMAE”。TEL用于功率元器件方向的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）曾在業(yè)界獲得了最大交貨量，而此款“Tactras-UDEMAE”設(shè)備系統(tǒng)將等離子體反應(yīng)器的應(yīng)用范圍兼容至300mm，并將其安裝在 Tactras 平臺(tái)上。Tactras是一個(gè)高度可靠且高效的平臺(tái)，已在 300 mm晶圓工藝中得到驗(yàn)證。
用于300mm功率器件的蝕刻設(shè)備一一Tactras-UDEMAE（圖片出自：電波新聞）
該系統(tǒng)將現(xiàn)有的200mm晶圓中積累的工藝庫(kù)（Process Library）靈活運(yùn)用于300mm晶圓工藝，還配置了可以防止晶圓斜面（Wafer Bevel）區(qū)域產(chǎn)生顆粒異物的新功能，這是制造分立功率器件（Discrete Power Device）的關(guān)鍵能力。通過(guò)有效平衡晶圓溫度、反應(yīng)器（Reactor）內(nèi)的壓力、氣體流量、RF（高頻射頻電源）等各種條件，成功在300mm晶圓上獲得了均勻蝕刻效果。
TEL執(zhí)行董事兼FS BUGM中原哲也表示：“基于車載半導(dǎo)體等通用型半導(dǎo)體的需求增加這一背景，意味著對(duì)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備的需求也在增長(zhǎng)，尤其是對(duì)功率器件和其他分立器件。其中，蝕刻技術(shù)在功率器件和其他分立器件的制造過(guò)程中變得比以往任何時(shí)候都重要。擁有豐富交貨實(shí)績(jī)的Tactras平臺(tái)擁有龐大的安裝基礎(chǔ)，在晶圓傳輸速度和占地面積（Foot Print）方面都達(dá)到了全球最高水準(zhǔn)，通過(guò)將該平臺(tái)與新開(kāi)發(fā)的用于 300 mm功率器件的等離子體反應(yīng)器（Plasma Reactor）相結(jié)合，TEL成功提供了一種技術(shù)解決方案，可顯著提高生產(chǎn)效率”。
