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在幾個月就能歷經(jīng)一輪“生死劫”的前沿科技產(chǎn)業(yè)，變化本就是主旋律。步入 2020 年，黑天鵝齊飛，諸多新變量的引入，使存儲業(yè)者面臨更多不確定性。
回顧存儲產(chǎn)業(yè)上半年，一些事件值得回味，一些變動指向未來，全球半導(dǎo)體觀察帶您梳理觀察重點。
看亮點
1. 國產(chǎn)存儲“芯”勢力
國產(chǎn)替代預(yù)期催化，半導(dǎo)體成為上半年科技主題基金重倉焦點股，可謂風(fēng)頭十足。高景氣度持續(xù)下，細分賽道龍頭公司也紛紛迎來高速增長拐點。
作為國內(nèi)最大、全球第四大 NOR 芯片供貨商，兆易創(chuàng)新開年不久便見識了半導(dǎo)體資本狂潮。2 月 13 日，兆易創(chuàng)新股票漲幅超 9%，股價創(chuàng)歷史新高，總市值達到 1020.73 億元，成為國內(nèi)第六家市值破千億的半導(dǎo)體公司。
不過，一些投資人直呼“過熱”并提醒當(dāng)下靜態(tài)估值可能偏高，市場也很快發(fā)出“入場需謹(jǐn)慎”的信號。
國產(chǎn)存儲制造在今年取得的突破，普通人也能感受得到。能買到國產(chǎn)固態(tài)硬盤 SSD 和內(nèi)存條的消費者開始體會，“國產(chǎn)存儲替代”趨勢著實摸得著。
4 月 13 日，紫光集團旗下的長江存儲宣布其 128 層 QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功。9 月 10 日，長江存儲宣布推出兩款消費級固態(tài)硬盤 SSD 產(chǎn)品。
值得一提的是，長江存儲布局多項專利，技術(shù)幾乎都是自主研發(fā)。長江存儲獨有的 Xtacking 架構(gòu)可以在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元，使 NAND 擁有更高的 I/O 接口速度，實現(xiàn)更高的存儲密度以及更小的芯片面積。
進入 5 月，多款搭載長鑫存儲 10 納米級 DDR4 芯片的內(nèi)存條上市，首款中國芯的光威弈 PRO DDR4 內(nèi)存條由深圳嘉合勁威制造。中國自主研發(fā)的 DRAM 芯片終于投入市場，內(nèi)存芯片產(chǎn)業(yè)史又寫下一筆。
長鑫存儲不僅研發(fā)出 19 納米工藝的 DRAM 芯片，填補了國產(chǎn)空白，更是打通了從設(shè)計到生產(chǎn)制造的全流程。
國際內(nèi)存芯片市場在迎來中國玩家后，未來將看到更多中國面孔。紫光集團重返 DRAM 賽場，兆易創(chuàng)新等國內(nèi)企業(yè)也已入局。
2. 國際廠商激戰(zhàn)升級，DRAM 進入 EUV 時代
2020 年一季度，伴隨 DRAM 價格回暖，存儲龍頭廠商的交鋒也顯得更為激烈。
目前，三星電子、SK 海力士和美光科技占據(jù)全球 DRAM 市場超過九成的份額。其中，居于前兩位的三星和 SK 海力士，都將在 DRAM 生產(chǎn)中導(dǎo)入極紫外光光刻設(shè)備 EUV 技術(shù)。
最先跨入 EUV 時代的自然是三星。3 月 25 日，三星宣布成功出貨 100 萬個業(yè)界首款使用 EUV 的 10 納米級 DDR4 DRAM 模組，且已經(jīng)完成了全球客戶評估。
三星第四代 10 納米（D1a）、更先進 10 納米的 DRAM 會開始使用 EUV，預(yù)計 2021 年開始批量生產(chǎn)基于 D1a 的 DDR5 DRAM 和 LPDDR5 DRAM。
SK 海力士的相關(guān)內(nèi)部人士透露，公司已開始研發(fā)第 4 代 10 納米級制程(1a)的 DRAM，內(nèi)部代號為“南極星”，預(yù)計將在制程中導(dǎo)入 EUV 技術(shù)。
2020 年的變數(shù)實在太多，業(yè)內(nèi)人士觀測，存儲器廠商皆不輕易擴增產(chǎn)能，反而以優(yōu)化制程技術(shù)的方式來增加其供應(yīng)的能力。工藝提速的同時，預(yù)計基于 EUV 技術(shù)的存儲器生產(chǎn)市場競爭將會更加激烈。
EUV 技術(shù)確有降本功效，門檻卻極高，是否采用值得再三評估。美光企業(yè)副總裁、中國臺灣美光董事長徐國晉表示，美光不打算跟進，目前并無采用 EUV 計劃。
3.DDR5 稍慢，LPDDR5 引領(lǐng)新一輪產(chǎn)品競爭
主流內(nèi)存規(guī)格在今年有何進展？
相比量產(chǎn)和應(yīng)用步伐稍緩的 DDR5，主要運用智能手機等移動終端市場的低功耗 LPDDR 則進展神速，且已在終端產(chǎn)品領(lǐng)域掀起浪潮。
今年 2 月，美光宣布交付全球首款 LPDDR5 芯片。此后，小米 10 全線采用 LPDDR5 內(nèi)存芯片，供應(yīng)商為美光和三星。
小米搭載 LPDDR5 芯片消息一出，努比亞總裁倪飛緊隨其后宣布紅魔 5G 全系列標(biāo)配 LPDDR5。兩天后，Realme 副總裁徐起宣布 realme 真我 X50 Pro 全系標(biāo)配 LPDDR5。
從采用效果來看，根據(jù)美光提供的參數(shù)，LPDDR5 相較 LPDDR4 整機省電 5%～10%，續(xù)航延長 5%～10%。
SK 海力士計劃今年量產(chǎn) DDR5，三星計劃 2021 年基于 D1a 工藝大規(guī)模量產(chǎn) DDR5，美光 1Znm 制程的 DDR5 寄存型 DIMM(RDIMM)已開始出樣。
TrendForce 集邦咨詢表示，DDR5 應(yīng)用場景以計算機、服務(wù)器產(chǎn)品為主，但需要配合主流 CPU 的規(guī)格，預(yù)計到 2021 年的下半年才能在市場上看到一定數(shù)量的產(chǎn)品。
看趨勢
1. 國產(chǎn)替代提速，從 0 到 5%
半導(dǎo)體國產(chǎn)替代口號響亮，自給率極低的存儲器無疑有著最強音。
根據(jù)中國海關(guān)數(shù)據(jù)，2019 年，我國進口了價值 3040 億美元的集成電路，超三分之一為存儲器。而在 2018 年，國產(chǎn)存儲的量產(chǎn)量為零。
DRAM 和 NAND Flash 是最主流的存儲器產(chǎn)品。在 DRAM 領(lǐng)域，三家國際廠商把控全球主要市場份額。受益于長鑫存儲 DRAM 芯片推出，中國存儲器開始實現(xiàn)中低端領(lǐng)域的部分替代。
NAND Flash 制造廠長江存儲新工廠目前有一座 12 英寸晶圓廠，滿產(chǎn)產(chǎn)能為 10 萬片 / 月。長江存儲計劃到年底，其位于武漢的新工廠可以月產(chǎn)量提高 3 倍，達到 6 萬片的規(guī)模。
2020 的上半年，見證了不少國產(chǎn)存儲制造的突破進展?！度战?jīng)亞洲評論》報道指出，中國存儲器產(chǎn)量的全球占比將在今年提升到 5%。
2. 價格罕見拉升，但壓力仍在
現(xiàn)貨渠道部分存儲器顆?，F(xiàn)貨價格上漲，引發(fā)市場高度關(guān)注是否會帶動存儲器產(chǎn)業(yè)反轉(zhuǎn)向上。TrendForce 集邦咨詢表示，DRAM 現(xiàn)貨價格出現(xiàn)久違漲勢，但下半年 DRAM 價格仍有壓力。
TrendForce 集邦咨詢還表示，觀察目前 DRAM 市場，consumer DRAM 僅占整體 DRAM 市場消耗量約 8%，漲跌關(guān)鍵仍在于供需雙方的庫存水位，以及主流 server DRAM 的采購動能何時回溫。
在 data center 與 enterprise server 業(yè)者尚未重啟新一輪補貨前，DRAM 價格壓力仍在，現(xiàn)貨價格反彈可能僅是短暫效應(yīng)。
3. 擴產(chǎn)還是縮減開支？積極預(yù)測與審慎現(xiàn)實
2018 年 9 月，存儲器景氣度開始下行，在去年三季度觸底并開始回暖。存儲市場顯現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢后，拉高半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體預(yù)期。市場預(yù)測，自 2020 年，全球半導(dǎo)體企業(yè)將開始進行擴產(chǎn)，2021 年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新增產(chǎn)能可望創(chuàng)下歷史新高。
但熱鬧是結(jié)構(gòu)性的，或者說，新冠疫情等黑天鵝來了后，難免遭遇現(xiàn)實考量。
分析人士指出，COVID-19 影響顯著，預(yù)計在可預(yù)見的未來將繼續(xù)對存儲器市場產(chǎn)生影響?？紤]到市場的不確定性，為確保存儲器行業(yè)的長期健康發(fā)展，存儲器供應(yīng)商必須謹(jǐn)慎地作出應(yīng)對。
結(jié)語
不管是回顧還是展望，國產(chǎn)替代無疑是備受矚目的線索。EUV 技術(shù)導(dǎo)入、DDR 世代更迭、龍頭廠商激戰(zhàn)升級之外，以長江存儲、長鑫存儲、兆易創(chuàng)新為代表的本土廠商在應(yīng)對本土供應(yīng)難題的同時，也開始因突破性進展放出更大聲量。
揮別國產(chǎn)存儲極具里程碑意義的 2020 上半年，國內(nèi)存儲廠商也迎來發(fā)展良機。
