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2020 年 6 月 15 日，爍科中科信宣布，12 英寸中束流離子注入機(jī)順利搬入集成電路大產(chǎn)線，此舉標(biāo)志著國產(chǎn)離子注入機(jī)市場化進(jìn)程邁向新臺階！
CMOS 工藝的發(fā)展極大推動了離子注入（Ion Implantation）工藝的發(fā)展，也可以說離子注入工藝的不斷成熟進(jìn)一步改善了集成電路產(chǎn)品的質(zhì)量，尤其是 CMOS 產(chǎn)品的性能，當(dāng)線寬進(jìn)入亞微米后，離子注入在整個集成電路制造前工序中更成了不可或缺的一個工藝流程。
在芯片生產(chǎn)過程中，需要進(jìn)行多次離子注入，注入到芯片的不同位置、注入的次數(shù)對于不同芯片類型和工藝節(jié)點(diǎn)有所差異，隨著 CMOS 工藝的快速推進(jìn)，離子注入次數(shù)也快速增加。例如 1970 年代處理一個的ｎ型金屬氧化物半導(dǎo)體（NMOS）可能只需 6～8 次注入，而現(xiàn)在對于 28nm 邏輯器件來說需要 40 次注入甚至更多。
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而在實(shí)際制造過程中，對離子注入的要求也不盡相同，比如在結(jié)深（在注入時給予離子的能量）、劑量（注入時所需的雜質(zhì)數(shù)量大?。?、均勻性、重復(fù)性等方面都有不同的需求，一般來說，離子注入的劑量取決于束流值和時間，注入深度取決于加速電場。為了滿足這些不同的需求，在不同的環(huán)節(jié)中需要采用不同加工能力的離子注入機(jī)，包括中束流（Medium Current）離子注入機(jī)、大束流（High Current）離子注入機(jī)、高能（High Energy）離子注入機(jī)。
集成電路用離子注入機(jī)行業(yè)存在較高競爭壁壘，行業(yè)集中度較高。整體而言，整個市場主要由美國廠商壟斷。應(yīng)用材料（Applied Materials）、亞舍立（Axcelis）、漢辰科技（Advanced Ion Beam Technology，AIBT）合計(jì)占據(jù)全球 80%的市場。
在各項(xiàng)政策的推動下，我國離子注入機(jī)的研發(fā)也取得了重大進(jìn)展。日前，北京市科學(xué)技術(shù)獎勵工作辦公室公示了 2019 年度北京市科學(xué)技術(shù)獎各評審委員會項(xiàng)目評審結(jié)果，“大束流離子注入機(jī)裝備及工藝研發(fā)”項(xiàng)目榮獲北京市科學(xué)技術(shù)進(jìn)步一等獎，國內(nèi)兩大離子注入機(jī)供應(yīng)商爍科中科信、凱世通攜手參與。
爍科中科信是專注于集成電路用離子注入機(jī)研發(fā)、制造，始終致力于解決離子注入機(jī)關(guān)鍵技術(shù)自主可控難題，已形成中束流、大束流、高能、特種應(yīng)用及第三代半導(dǎo)體等全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品體系，擁有博士后科研工作站，建立了符合 SEMI 標(biāo)準(zhǔn)要求的離子注入機(jī)產(chǎn)業(yè)化平臺，年產(chǎn)能達(dá) 30 臺，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球知名芯片制造企業(yè)，并獲客戶高度認(rèn)可。
此次交付的 12 英寸中束流離子注入機(jī)，在角度控制、劑量控制及設(shè)備工藝能力等方面的功能出色，整機(jī)性能達(dá)到國際同類產(chǎn)品水平。
爍科中科信負(fù)責(zé)人表示，追平主流只是開始，成體系實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)替代才是目標(biāo)。公司自主研制的離子注入機(jī)系列產(chǎn)品在客戶產(chǎn)線上累計(jì)跑片 650 萬片，穩(wěn)定支撐了客戶量產(chǎn)。除此之外，還建立了一支專業(yè)化的售后服務(wù)團(tuán)隊(duì)，實(shí)行 7X24 On Call 響應(yīng)機(jī)制，持續(xù)提升客戶體驗(yàn)，加速國產(chǎn)化進(jìn)程。
