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2020 年 3 月 27 日，昆山市科技創(chuàng)新發(fā)展推進(jìn)會(huì)暨祖沖之攻關(guān)計(jì)劃表彰儀式舉行。
華天科技（昆山）電子有限公司的“12 英寸圓片級(jí)高密度硅基扇出型封裝技術(shù)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目榮獲首屆“金π獎(jiǎng)”，也是唯一獲得金π獎(jiǎng)的項(xiàng)目。
華天昆山 2015 年開(kāi)始扇出封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)，2018 年開(kāi)發(fā)成功具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的埋入硅基板扇出型封裝技術(shù) eSiFO?（embedded Silicon Fan-out）并進(jìn)入量產(chǎn)。與使用模塑料塑封不同，eSiFO?使用硅基板為載體，通過(guò)在硅基板上刻蝕凹槽，將芯片正面向上放置且固定于凹槽內(nèi)，芯片表面和硅圓片表面構(gòu)成了一個(gè)扇出面，在這個(gè)面上進(jìn)行多層布線(xiàn)，并制作引出端焊球，最后切割，分離、封裝。
華天科技 eSiFO?示意圖
eSiFO?技術(shù)具有如下優(yōu)點(diǎn)：
可以實(shí)現(xiàn)多芯片系統(tǒng)集成 SiP，易于實(shí)現(xiàn)芯片異質(zhì)集成
滿(mǎn)足超薄和超小芯片封裝要求
與標(biāo)準(zhǔn)晶圓級(jí)封裝兼容性好，無(wú)污染
良好的散熱性和電性
可以在有源晶圓上集成
工藝簡(jiǎn)單，翹曲小，無(wú)塑封 / 臨時(shí)鍵合 / 拆鍵合
封裝靈活：WLP/BGA/LGA/QFP 等
與 TSV 技術(shù)結(jié)合可實(shí)現(xiàn)高密度三維集成
由于技術(shù)的創(chuàng)新型和巨大應(yīng)用潛力，2018 年 3 月獲評(píng)集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟創(chuàng)新獎(jiǎng)。
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該技術(shù)目前有三個(gè)主要應(yīng)用領(lǐng)域，多芯片系統(tǒng)級(jí)封裝，5G 毫米波射頻以及三維扇出堆疊。在 5G 射頻領(lǐng)域，其中多芯片堆疊產(chǎn)品包括 4G 射頻前端，毫米波芯片。2018 年 11 月，華天科技與微遠(yuǎn)芯發(fā)布新聞，成功完成 40GHz 毫米波 eSiFO?封裝技術(shù)開(kāi)發(fā)，性能優(yōu)異。
2018 年華天昆山進(jìn)一步開(kāi)發(fā)了基于硅基板的三維扇出技術(shù)，值得一體的是埋入硅基板扇出型 3D 封裝結(jié)構(gòu)已獲得國(guó)家發(fā)明專(zhuān)利授權(quán)（授權(quán)號(hào) CN105575913B）。該技術(shù)的特點(diǎn)是利用 TSV 作為垂直互聯(lián)，互連密度可以大大高于目前的臺(tái)積電 InFO 技術(shù)。
臺(tái)積電與華天三維晶圓級(jí)技術(shù)比較
eSiFO?封裝技術(shù)為后摩爾時(shí)代高性能芯片集成封裝提供了新的解決方案，隨著產(chǎn)品應(yīng)用的不斷豐富，必將推動(dòng)整個(gè)行業(yè)的技術(shù)發(fā)展。
