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你如果問當前內存市場是誰的天下？那么答案一定是 DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制著內存市場，當前都處于供不應求的狀態(tài)。不過，在內存天下三分的大背景下，新一代存儲技術 3D X-point、MRAM、RRAM 等開始發(fā)出聲音， RRAM 非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止，RRAM 的發(fā)展進程已經超越了英特爾的 3D X-point 技術， Crossbar 公司市場和業(yè)務拓展副總裁 Sylvain Dubois 在 2017 中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說：“Crossbar 已經有產品在中芯國際的 40nm 工藝制程平臺試產”。
立足現在 著眼未來
每一個技術的更新換代都不是一朝一夕的事情，需要經歷漫長的技術、工藝、市場的迭代，內存也不例外。保守估計，NAND flash 還將繼續(xù)統(tǒng)治內存市場 3-5 年。以各廠商的技術進展來看，三星在 2016 年的進度最快，成功實現量產 3D NAND flash，2016 年年底出貨占比已達 35％，最先進的 64 層芯片也已經在 2017 年第 1 季放量投片。根據研究機構最新消息，3D NAND flash 已經漲價 150%，且缺貨時間要到 2017 年年底。3D NAND flash 的市場“饑餓”是一把雙刃劍，隨著堆疊的層數不斷增加，產品良率和產能受到了極大的挑戰(zhàn)，這被認為是決定 NAND flash 統(tǒng)治時間長短的關鍵因素。下一代存儲技術需要利用這個時間不斷完善自己的技術做好接班的準備。不過，對于 Crossbar 這樣的初創(chuàng)企業(yè)，還有一個問題同樣需要慎重考慮，那就是如何生存下去？Dubois 表示：“Crossbar 的 RRAM? IP 產品可以實現存儲單元或存儲陣列，可以嵌入到 SOC、MCU 中。”
Crossbar 在 2017 中芯國際技術研討會上展示的 RRAM 樣品
只有產品還遠遠不夠，還要能夠融入到現今市場?！爱a品研發(fā)的過程中，Crossbar 基于現有的工藝、現有的技術和現有的設備來開發(fā) RRAM 技術，保證了產品設計出來之后可以快速投入市場。RRAM 內存產品有其自身的優(yōu)勢， RRAM 技術在寫入速度上比 NAND 產品快 1000 倍，而產品功耗只是閃存產品的二十分之一，另外產品壽命也達到了閃存產品的 1000 倍以上?，F階段，Crossbar 的 RRAM 產品能夠在 NAND flash 和 DRAM 的銜接市場內拿到一部分訂單?！?Dubois 在采訪中提到。
三星 NAND flash 通過 3D 垂直 Vertical 技術不斷擴充內存產品的容量，但業(yè)界普遍認為 10nm 工藝制程是 NAND flash 的工藝制程盡頭。由于技術和材料的局限性，NAND flash 在 10nm 以下的先進工藝制程里難以繼續(xù)縮小，這被認為是下一代存儲技術的機會。Dubois 認為：“RRAM 采用導電細絲制作而成，在 10nm 以下的工藝制程里面可以繼續(xù)堆疊縮小，實現 7nm 或者更先進的 5nm 等工藝制程上的量產?！?/p>
Crossbar 公司市場和業(yè)務拓展副總裁 Sylvain Dubois
看中物聯網市場 搶攻 40nm
為什么會選擇中芯國際？又為什么會選擇 40nm 工藝制程呢？Dubois 給出了這樣的解釋：“中芯國際 40nm 平臺是目前最適合 Crossbar 的平臺。首先，就 Crossbar 當前的產品技術而言，40nm 是最貼合的工藝制程，在能耗、成本和出貨量上非常有優(yōu)勢。其次，選擇 40nm 工藝另一個出發(fā)點是考慮到 IOT 的市場現狀，當前的 IOT 芯片產品還處于 95nm 或者 75nm 工藝水平，即將進入 40nm 工藝制程，Crossbar 搶先在這個工藝節(jié)點量產產品，對進入 IOT 市場做了充足的準備?！背?IOT 市場，人工智能也是 RRAM 未來的主要市場，尤其是深度學習領域，該領域需要大量計算來實現，要有強勁功能的存儲器做支撐。以 IBM 的 Watson（沃森）認知系統(tǒng)為例，其中最為重要的就是通過神經網絡、深度學習等多種技術讓機器盡量像人類一樣去理解非結構化數據，而若要實現這一切，首先需要擁有海量的數據來幫助機器判斷，畢竟在機器的世界中只有簡單的 0 和 1，而若想實現最終的“智能”目標還需要一個從量變引發(fā)質變的過程，這對數據存儲技術有了新的要求。
當然，40nm 工藝制程只是一個起點，Crossbar 希望盡快走進更加先進的工藝制程領域。Dubois 向與非網記者透露：“28nm 以下的工藝制程被手機等消費電子芯片占領，Crossbar 在 2X（20-30nm 制程）和 1X（10-20nm 制程）上也有產品在開發(fā)過程中，未來尋求在更多的應用領域推廣 RRAM 技術?！?/p>
Crossbar logo
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和中國存儲一起超車
中國的存儲器廠商起步比較晚，目前為止，國內三大存儲器廠商（合肥長鑫、長江存儲、福建晉華）都還沒有產品實現量產，想要想趕超三星、東芝、美光等國際存儲行業(yè)巨頭，需要在存儲技術上彎道超車。Crossbar 正是看中了國內存儲市場這一特點，選擇在 2016 年 3 月 22 日進入中國市場?！癈rossbar 能夠幫助中國存儲市場實現存儲技術越級，目前正在和國內存儲器廠商進行合作洽談，尋求技術和產品領域的合作?！?/p>
關于超越，RRAM 作為新一代閃存技術，也需要完成對 NAND flash 等內存產品的超越?！拔覀儎傞_始不會選擇和 NAND 等內存產品在容量上進行比拼，我們只是尋求去填補 NAND flash 和 DRAM 之間的空白。當工藝制程逐漸縮小到 10+nm 的時候，將會實現容量上的超越。”Dubois 最后說。
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