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繼在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場占據(jù)領(lǐng)先地位之后，SK 海力士還在 NAND 閃存領(lǐng)域?qū)?a class="article-link" target="_blank" href="/manufacturer/1000837/">三星電子構(gòu)成威脅。盡管它在市場份額方面仍然落后，但它在垂直堆疊單元的堆疊技術(shù)方面處于領(lǐng)先地位，這預(yù)示著 NAND 市場將發(fā)生翻天覆地的變化。
NAND是一種非易失性存儲器，即使在電源關(guān)閉時也能存儲數(shù)據(jù)。與易失性存儲器 DRAM 不同，它主要用于數(shù)據(jù)存儲設(shè)備。與 DRAM 相比，NAND 市場落后了一步，DRAM 可以快速實時處理大量數(shù)據(jù)，例如下一代 HBM。然而，隨著人工智能服務(wù)器采購量的爆炸性增長超出預(yù)期，人們的興趣也隨之增長。
三星電子與SK海力士之間的NAND閃存堆疊競爭也在加劇。堆疊的越多，在同一面積內(nèi)就越容易實現(xiàn)高容量。這就是為什么堆疊層數(shù)被認(rèn)為是 NAND 的技術(shù)優(yōu)勢。
SK海力士11月21日宣布將量產(chǎn)全球最高321層1Tb（太比特）4D NAND閃存。繼2023年6月量產(chǎn)238層4D NAND閃存后，下一代產(chǎn)品300層以上NAND也在全球首次成功量產(chǎn)。
SK海力士最近開始量產(chǎn)的321層NAND采用三層堆棧結(jié)構(gòu)。
美國美光和日本鎧俠也開始研發(fā)并量產(chǎn)200層以上的NAND。美國美光7月份發(fā)布的第9代3D NAND已知有276層。
隨著堆疊競爭的激烈，預(yù)計400層NAND時代將在2025年開啟，1000層NAND時代將在2027年開啟。業(yè)界預(yù)計三星電子、SK海力士和美光都將在2025年發(fā)布400頻段NAND。
根據(jù) Trend Force 的數(shù)據(jù)，截至今年第二季度，三星電子在 NAND 市場份額中排名第一（36.9%），排名第二的是 SK Hynix 和 Solidigm（22.1%），排名第三的是 Kioxia（13.8%），排名第四的是美光（Micron）。（11.8%），其次是西部數(shù)據(jù)（10.5%），排名第五。
