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Part 01、前言
無論任何元器件的選型，第一步都是去仔細閱讀對應的datasheet，那么如何看懂datasheet就很重要，打開datasheet，哪些參數(shù)是需要重點關(guān)注的，哪些是需要參考的，這是硬件設計的基本功。今天我們的主角是MOSFET，接下來我們就分幾篇文章介紹一下MOSFET選型時的重點參數(shù)關(guān)注以及講解。
我們今天重點講解Vdss，Vgss，Id，Idm參數(shù)。
Part 02、Vdss，Vgss，Id，Idm
datasheet中的電氣參數(shù)整體分兩大類，一類是極限參數(shù)，一類是額定參數(shù)，MOSFET的極限參數(shù)是其能夠承受的最大值范圍，超出這些值可能導致元器件性能下降、損壞甚至失效，很多廠家的規(guī)格書還會備注上，極限參數(shù)由設計保證，批量無法保證（類似于你買方便面，包裝袋上寫著圖片僅供參考），所以我們一定要避免讓器件以極限值去工作。
1.連續(xù)漏源極電流(Id）
很多剛?cè)腴T的硬件工程師選MOSFET時，很關(guān)注這個參數(shù)，就像上面這個圖片一樣，Id最大值是100A，是不是意味著我們能拿這個MOSFET通100A的電流？當然不是，因為廠家這100A的測試條件備注了1），2）角標，也就是下面的描述，這里明確說了，這100A的最大電流和你的散熱設計有關(guān)，并且只是設計值，批量出貨的MOSFET不保證能通過100A。
有人會問，那100A不行，我通22A可以不？22A也是有角標的，3）的) Device on 2s2p FR4 PCB defined in accordance with JEDEC standards (JESD51-5, -7). PCB is vertical in still air.意思是說該MOSFET位于符合JEDEC標準 (JESD51-5, -7) 定義的2s2p FR4 PCB上測試的電流（PS：這個測試MOSFET的PCB尺寸一般很大（具體可參考對應標準），并且只放了這一個MOSFET，實際我們在PCBA可不會有這么奢侈），PCB在靜止空氣中垂直放置。
問題來了，那MOSFET到底能通多大的電流？這個問題就要基于MOSFET的導通損耗，開關(guān)損耗，以及熱阻去計算了，在此不做展開，后續(xù)單獨開文章說明。
所以此MOSFET的連續(xù)漏源極電流(Id）數(shù)值并沒有太大的意義，大家看看得了，千萬別當真（很多MOSFET的銷售經(jīng)常拿這個參數(shù)吹牛說自己的MOSFET多牛，讀了本文，你就可以現(xiàn)場打臉）。
2.脈沖漏源極電流(Idm)
不同廠家叫法不一，比如上圖中的，ID,pulse，指在脈沖工作模式下，MOSFET漏極與源極之間所能承受的最大瞬時電流。這一參數(shù)通常比連續(xù)漏源極電流 (Id) 大得多，但受限于持續(xù)時間和占空比（duty cycle），以避免MOSFET過熱或損壞，和連續(xù)漏源極電流一樣，僅供參考，別當真。
3.最大漏源電壓（Vdss）
最大漏源電壓 (VDSS) 表示MOSFET在關(guān)斷狀態(tài)下，漏極和源極之間能夠承受的最大電壓值，超過此電壓可能導致MOSFET的擊穿或損壞。這個參數(shù)是我們需要重點關(guān)注的，比如下圖中MOSFET的最大漏源電壓是40V，如果我們的電源電壓是12-24V，我們是不是就可以高枕無憂了？當然不是，我們一定要記得，電源不是波瀾不驚的，而是波濤洶涌的，電源中會由于感性負載開關(guān)，或者線束寄生電感，抑或是電源異常過壓導致的高壓脈沖（不同的產(chǎn)品會有對應的EMC測試標準，我們可以從標準里看MOSFET會遭受哪些高壓脈沖）導致電源電壓可能超過40V，這時候我們要在漏極放置一個TVS來保護MOSFET。
4.最大柵源電壓（Vgss）
最大柵源電壓 (VGSS?) 表示MOSFET的柵極和源極之間能夠承受的最大電壓值，超過此電壓可能導致MOSFET的柵極氧化層永久損壞。為了避免這個問題的發(fā)生，有時候需要在MOSFET的柵極和源極之間并聯(lián)一個穩(wěn)壓二極管。
那為什么有的電路需要并聯(lián)穩(wěn)壓二極管，有的不需要呢？
1.看驅(qū)動電路是否穩(wěn)定：
如果你用5V，比如MCU IO口驅(qū)動MOSFET，那就不需要考慮這個問題，如果你用的是驅(qū)動器，驅(qū)動器的電源是從12電源取電，那就需要考慮這個問題了。
2.部分MOSFET驅(qū)動器有電壓限制功能，那我們也能節(jié)省外部的穩(wěn)壓二極管。
3.有些MOSFET內(nèi)部自帶穩(wěn)壓二極管。
