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研報(bào) | 需求展望疲弱、庫(kù)存和供給上升,預(yù)計(jì)2025年DRAM價(jià)格將下跌

11/19 12:40
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產(chǎn)業(yè)洞察

第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價(jià)的關(guān)鍵時(shí)期,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查,制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應(yīng)充足、需求減弱,目前價(jià)格已呈現(xiàn)跌勢(shì)。DDR5與LPDDR5X等先進(jìn)制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確,加上部分買賣方庫(kù)存水位偏高,價(jià)格不排除于今年第四季底開始下跌。

TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,先前受三大供應(yīng)商積極建置HBM產(chǎn)能,加上預(yù)計(jì)新廠到2026年才會(huì)步入量產(chǎn)階段等影響,TrendForce集邦咨詢?cè)緦?duì)于2025年DRAM價(jià)格走勢(shì)看法偏樂觀。然而,近期市場(chǎng)動(dòng)態(tài)變化快速,使得TrendForce集邦咨詢對(duì)明年的價(jià)格預(yù)測(cè)進(jìn)行調(diào)整,2025年DRAM價(jià)格將轉(zhuǎn)為下跌,上半年的跌幅較明顯,其中,DDR4和LPDDR4X的降價(jià)壓力將持續(xù)大于DDR5與LPDDR5X。

從供給角度分析,由于NAND Flash市況同步轉(zhuǎn)弱且獲利能力較DRAM產(chǎn)品差,將促使部分產(chǎn)線從NAND Flash轉(zhuǎn)向DRAM。此外,雖然HBM3e 12hi明年有望快速成為AI應(yīng)用主流,但并非每家供應(yīng)商都能如期通過NVIDIA英偉達(dá))認(rèn)證,因此供應(yīng)商將TSV產(chǎn)能轉(zhuǎn)回一般型DRAM(conventional DRAM)的可能性增加。

吳雅婷表示,業(yè)界產(chǎn)能擴(kuò)張快速,除此之外,消費(fèi)型電子產(chǎn)品需求持續(xù)弱化,也將為2025年DRAM價(jià)格走勢(shì)帶來沖擊,若廠商未能做好產(chǎn)能調(diào)控,整體產(chǎn)業(yè)庫(kù)存的去化速度將更加緩慢。

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