RA8E1與RA8E2提供理想的標量和矢量計算性能以及同類卓越的功能集,滿足價值導向型市場需求
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,推出RA8E1和RA8E2微控制器(MCU)產品群,進一步擴展其業(yè)界卓越和廣受歡迎的MCU系列。2023年推出的RA8系列MCU是首批采用Arm? Cortex?-M85處理器的MCU,實現(xiàn)市場領先的6.39 CoreMark/MHz(注)性能。新款RA8E1和RA8E2 MCU在保持同等性能的同時,通過精簡功能集降低成本,成為工業(yè)和家居自動化、辦公設備、醫(yī)療保健和消費品等大批量應用的理想之選。
RA8E1和RA8E2 MCU采用Arm Helium?技術,即Arm的M-Profile矢量擴展,與基于Arm Cortex-M7處理器的MCU相比,在數字信號處理器(DSP)和機器學習(ML)應用層面實現(xiàn)高達4倍的性能提升,使得快速增長的AIoT領域應用成為可能——在這一領域,高性能對于AI模型的執(zhí)行至關重要。
RA8系列產品集成低功耗特性和多種低功耗模式,在提供業(yè)界卓越性能的同時,可進一步提高能效。低功耗模式、獨立電源域、更低的電壓范圍、快速喚醒時間,以及較低的典型工作和待機電流組合,使得系統(tǒng)整體功耗更低。幫助客戶降低整體系統(tǒng)功耗并滿足相關法規(guī)要求。新款Arm Cortex-M85內核還能以更低的功耗執(zhí)行各種DSP/ML任務。
RA8系列MCU由瑞薩靈活配置軟件包(FSP)提供支持。FSP帶來所需的所有基礎架構軟件,包括多個RTOS、BSP、外設驅動程序、中間件、連接、網絡和TrustZone支持,以及用于構建復雜AI、電機控制和云解決方案的參考軟件,從而加快應用開發(fā)速度。它允許客戶將自己的既有代碼和所選的RTOS與FSP集成,為應用開發(fā)打造充分的靈活性。借助FSP,可輕松將現(xiàn)有設計遷移至新的RA8系列產品。
Daryl Khoo, Vice President of Embedded Processing 1st Business Division at Renesas表示:“我們的客戶對RA8 MCU的卓越性能贊不絕口,現(xiàn)在他們期望獲得性能更高且功能更優(yōu)化的版本,以滿足其成本敏感的工業(yè)、視覺AI和中端圖形應用需求。RA8E1和RA8E2為這些市場打造了性能和功能的完美平衡,并且借助FSP實現(xiàn)了在RA8系列內部或從RA6 MCU的輕松遷移?!?/p>
RA8E1 MCU的關鍵特性
- 內核:360MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技術
- 存儲:集成1MB閃存、544KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM、帶奇偶校驗保護的512KB用戶SRAM)、1KB待機SRAM、32KB I/D緩存
- 外設:以太網、XSPI(八線SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、溫度傳感器、8位CEU、GPT、LP-GPT、WDT、RTC
- 封裝:100/144引腳LQFP
RA8E2 MCU的關鍵特性
- 內核:480MHz Arm Cortex-M85,包含Helium和TrustZone技術
- 存儲:集成1MB閃存、672KB SRAM(包括帶ECC的32KB TCM、帶奇偶校驗保護的512KB用戶SRAM+額外128KB用戶SRAM)、1KB待機SRAM、32KB I/D緩存
- 外設:16位外部存儲器接口、XSPI(八線SPI)、SPI、I2C、USBFS、CAN-FD、SSI、12位ADC、12位DAC、HSCOMP、溫度傳感器、GLCDC、2DRW、GPT、LP-GPT、WDT、RTC
- 封裝:224引腳BGA
成功產品組合
瑞薩將全新RA8E1和RA8E2產品群MCU與其產品組合中的眾多兼容器件相結合,創(chuàng)建了廣泛的“成功產品組合”,包括入門級語音和視覺人工智能系統(tǒng)以及家用電器人機界面 (HMI)。這些“成功產品組合”基于相互兼容且可無縫協(xié)作的產品,具備經技術驗證的系統(tǒng)架構,帶來優(yōu)化的低風險設計,以加快產品上市速度。瑞薩現(xiàn)已基于其產品陣容中的各類產品,推出超過400款“成功產品組合”,使客戶能夠加速設計過程,更快地將產品推向市場。
供貨信息
RA8E1和RA8E2產品群MCU以及FSP軟件現(xiàn)已上市。瑞薩還推出了RA8E1快速原型開發(fā)板,并計劃于2025年第一季度初發(fā)布包括TFT顯示屏在內的RA8E2評估套件。