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作者 | 方文三
從需求端來看，通貨膨脹壓力及AI個人電腦應用場景的缺乏，共同阻礙了大規(guī)模升級周期的形成。在供應端，主要制造商于第三季度恢復了滿負荷生產，同時其他供應商亦通過技術革新提升了產能，共同推動了整體供應能力的提升，進而加劇了市場價格競爭。
NAND市場第四季度將出現(xiàn)下滑
根據市場研究公司Trend Force的最新報告，盡管第三季度的NAND平均售價（ASP）預計將上漲5%至10%，但第四季度卻預計將出現(xiàn)3%至8%的下滑。
在消費類NAND產品中，價格跌幅尤為顯著。特別是用于高端及旗艦智能手機的eMMC和UFS產品，預計第四季度價格將下降8%至13%。
全球經濟低迷背景下，智能手機平均更換周期延長至三年，且市場缺乏能夠替代智能手機的突破性應用，導致智能手機及筆記本電腦制造商采取更為保守的庫存管理策略，進而影響了NAND訂單的發(fā)放。
個人電腦用SSD及通用閃存存儲（UFS）市場則因終端產品銷售不振，買家普遍采取更為審慎的采購策略，進一步加劇了市場的不確定性。
企業(yè)級SSD市場預計價格將經歷0%至5%的增長，然而，此增幅較初期預測有所縮減。第四季度，服務器OEM訂單顯著縮減，部分歸因于企業(yè)客戶對AI服務器部署的延緩。
對于eMMC和UFS市場，這兩款主要應用于智能手機的產品，其價格預計在第四季度將下滑8%至13%。
此外，NAND晶圓價格亦面臨下行壓力。繼第三季度3%至8%的降幅后，第四季度NAND晶圓價格預計還將再下降10%至15%。
這一趨勢主要歸因于模塊制造商庫存積壓嚴重，以及部分供應商為保持市場競爭力而采取的降價策略。
若市場環(huán)境進一步惡化，價格降幅可能更為顯著。
這些預測凸顯了NAND閃存市場整體承受的價格下行壓力，尤其在面向消費者的細分市場中，隨著年底購物季的臨近，大幅度的價格調整已成市場期待。
DRAM市場方面呈現(xiàn)出價格下滑的趨勢
Trend Force預測，雖然第三季度通用DRAM平均價格上漲了8%至13%，但第四季度漲幅將大幅收窄至0%至5%。
具體到不同應用場景的DRAM產品而言，PC用DRAM和顯卡用DRAM價格預計將在第四季度維持與上季度相似的水平；
而服務器用DRAM DDR5價格則預計比上季度上漲0%至5%。
不過，受智能手機需求下滑的影響，移動DRAM價格預計將在第四季度下降5%至10%。
在消費級DRAM領域，DDR5價格預計下降0%至5%，而DDR4價格則預計保持穩(wěn)定。
手機市場復蘇態(tài)勢不顯著及大廠策略調頭
在第三季度，眾多核心制造商已成功恢復全面生產能力，部分供應商則憑借技術創(chuàng)新與改進，實現(xiàn)了產能的顯著提升，進而推動了整體供應能力的增強。
然而，由于市場需求持續(xù)疲軟，這一供應增長態(tài)勢與需求之間形成了鮮明對比，最終導致了供應過剩的局面。
根據提供的數(shù)據，無論是DDR、SSD、LPDDR還是eMMC等存儲產品類別，其價格趨勢在觀察期間均呈現(xiàn)出顯著的下降趨勢。
同時，市場需求增長的乏力亦可能導致了供需失衡，促使價格逐步走低。
由于IT行業(yè)需求未達預期，3D NAND內存價格遭遇下滑。
為應對此狀況，主要閃存制造商正考慮調整生產計劃，減少對非易失性內存的投資，并可能轉向生產高帶寬內存（HBM）。
這一轉變源自人工智能行業(yè)對HBM內存的旺盛需求，正達到前所未有的水平。
目前，所有主要的3D NAND制造商，包括Kioxia、美光、三星和SK海力士，均在評估減少非易失性存儲器產量及擴建額外閃存容量投資的可行性。
此舉措有望穩(wěn)定3D NAND價格，并可能在短期內至中期內對DRAM價格產生抑制作用。
鑒于當前市場態(tài)勢，三星與SK海力士等公司正將戰(zhàn)略重心轉移至DRAM領域，因該領域展現(xiàn)出更為強勁的需求。
未來市場價格將展現(xiàn)出結構性的分化態(tài)勢
在供應層面，存儲原廠在供應策略方面采取了更為謹慎的態(tài)度，顯示出對市場的深思熟慮。
與此同時，在需求方面，由于云服務提供商對AI硬件領域的持續(xù)投資，服務器領域內對高速、大容量存儲產品的需求呈現(xiàn)出顯著的增長趨勢。
展望未來，TrendForce集邦咨詢預測HBM在DRAM總收入中的占比將持續(xù)擴大，從2023年的8%增長至2024年的21%，并有望在2025年進一步突破30%的大關。
此外，隨著AI平臺對新一代HBM產品的積極采用，TrendForce預計2025年HBM需求將主要集中在HBM3e世代產品上。
其中12hi產品占比將超過一半，成為下半年AI領域主要競爭廠商爭相布局的主流產品。
摩根士丹利近期發(fā)布了一系列減持行動，主要基于智能手機與PC需求下滑，進而導致通用DRAM需求減弱，以及高帶寬內存（HBM）市場供過于求、價格下跌的預測。
就HBM市場而言，從需求端觀察，多家大型科技公司在人工智能領域的投資增速顯著放緩，預示著由AI驅動的HBM需求增長動力明顯減弱。
從供應端分析，預計明年HBM供給量將大幅超出市場需求，特別是三星電子全面進軍HBM市場，將進一步加劇市場供給過剩的狀況。
盡管AI領域的需求依然相對穩(wěn)健，但傳統(tǒng)終端市場的疲軟態(tài)勢已對DRAM價格預期構成壓力。
初步跡象表明，2024年第四季度的DRAM定價環(huán)境將更具挑戰(zhàn)性，且可能在2025年出現(xiàn)趨勢性反轉。
當前市場已發(fā)出賣出信號，預示著下一輪周期性下滑將于2025年啟動，DRAM市場將持續(xù)面臨供應過剩的問題，直至2026年，庫存累積現(xiàn)象更是加劇了這一困境。
此外，NAND市場在2025年的產能支出預計仍將保持健康水平。
然而，鑒于終端市場風險的暴露及與DRAM市場相似的客戶群體重疊，NAND與DRAM的周期性波動往往呈現(xiàn)同步趨勢。
一旦AI領域出現(xiàn)顯著的進展減速，其連鎖反應將對內存市場產生深刻且廣泛的負面影響。
具體而言，此類停滯現(xiàn)象極有可能導致對高性能內存產品，如HBM、DRAM以及SSD的需求出現(xiàn)急劇萎縮，進而對內存市場的預期增長軌跡及既有的投資模式造成擾動與調整。
在AI應用蓬勃發(fā)展的背景下，內存市場中的資本支出正逐步向DRAM傾斜。
隨著制造商積極擴增產能以應對日益增長的市場需求，DRAM領域的資本支出預計將實現(xiàn)近20%的年度同比增長。
結尾：
事實上，存儲市場的競爭激烈，各大廠商為了爭奪市場份額，不得不采取降價策略。
這種降價策略雖然有助于清理庫存，但也給廠商帶來了一定的壓力。
一方面，降價會降低廠商的利潤空間；另一方面，廠商還需要面對庫存損失的風險。
然而，在當前市場環(huán)境下，降價似乎是廠商們不得不做出的選擇。
部分資料參考：
半導體產業(yè)縱橫：《存儲價格，變了又變》，天天IC：《存儲價格，下跌20%》，中國電子報：《存儲芯片價格為何一漲再漲？》，半導體行業(yè)觀察：《新興存儲，冰火兩重天》《存儲芯片，再被看衰》，半導體芯情：《存儲產品價格未來幾月可能嚴重分化》《十月存儲芯片出貨量繼續(xù)飆升，市場主要由什么需求拉動？》，閃德資訊：《雙11戰(zhàn)線拉長，存儲價格再卷，市場亂象頻出》
